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      標(biāo)簽　>　mdd

      mdd

      mdd

      +關(guān)注1人關(guān)注

      MDD是國(guó)內(nèi)少數(shù)采用了“Fabless+封裝測(cè)試”模式的半導(dǎo)體品牌，15年的行業(yè)深耕，一直專(zhuān)注于半導(dǎo)體領(lǐng)域。在科技研發(fā)與創(chuàng)新的基礎(chǔ)上，積累了厚實(shí)的研發(fā)設(shè)計(jì)能力，同時(shí)還建立全流程的封裝測(cè)試產(chǎn)線(xiàn)（涵蓋封裝測(cè)試、成品測(cè)試等多項(xiàng)）。為客戶(hù)提供MOSFET、SiC、功率二極管及整流橋等高品質(zhì)的半導(dǎo)體分立器件

      文章：62個(gè) 瀏覽：808次 帖子：1個(gè)

      mdd技術(shù)

      MOS名稱(chēng)/特點(diǎn)/結(jié)構(gòu)/工作原理

      MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱(chēng)是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體...

      2022-07-25 標(biāo)簽：MOSFET晶體管MOS 9818 0

      ESD管和TVS管的區(qū)別

      TVS和ESD都是利用二極管反向擊穿特性的原理制成的電壓保護(hù)型器件。TVS(Transient Voltage Suppressors)，即瞬態(tài)抑制二極...

      2022-12-13 標(biāo)簽：二極管TVS管ESD管 7101 0

      MOSFET在BMS的應(yīng)用案例

      電池管理系統(tǒng)是一種能夠?qū)﹄姵剡M(jìn)行監(jiān)控和管理的電子裝備，是電池與用戶(hù)之間的紐帶。通過(guò)對(duì)電壓、電流、溫度以及SOC等數(shù)據(jù)采集，計(jì)算進(jìn)而控制電池的充放電過(guò)程，...

      2023-02-16 標(biāo)簽：MOSFET充電器MOS管 4061 0

      靜電是如何損害電子元器件的

      靜電是如何產(chǎn)生的 任何兩個(gè)不同材質(zhì)的物體接觸后再分離，即可產(chǎn)生靜電，而產(chǎn)生靜電的普遍方法，就是摩擦生電。材料的絕緣性越好，越容易產(chǎn)生靜電。因?yàn)榭諝庖彩怯?..

      2023-03-29 標(biāo)簽：電子元器件靜電電壓 3768 0

      MDD辰達(dá)半導(dǎo)體MDD100N03D 先進(jìn)Trench工藝N溝道的大電流低內(nèi)阻MOS

      MDD辰達(dá)半導(dǎo)體MDD100N03D 先進(jìn)Trench工藝N溝道的大電流低內(nèi)阻MOS

      ? 在智能家居和電動(dòng)工具領(lǐng)域，電機(jī)驅(qū)動(dòng)的效率與可靠性直接決定了用戶(hù)體驗(yàn)。無(wú)論是洗地機(jī)的強(qiáng)勁動(dòng)力、掃地機(jī)器人的持久續(xù)航，還是電動(dòng)工具的高效作業(yè)，都離不開(kāi)一...

      2025-03-05 標(biāo)簽：MOSFET分立器件MOS 2831 0

      對(duì)于工程師來(lái)說(shuō)，浪涌保護(hù)不僅僅是選擇合適的電源板或者拔下幾根電纜，主要涉及在?PCB 布局中放置瞬態(tài)保護(hù)組件并應(yīng)用明確的接地策略。 TVS 二極管是用...

      2024-08-30 標(biāo)簽：PCBTVS管MDD 1730 0

      橋堆的電壓怎么穩(wěn)定?

      橋堆的電壓怎么穩(wěn)定?

      MDD辰達(dá)半導(dǎo)體橋堆是一種用于將交流電轉(zhuǎn)換為直流電的電路器件，它通過(guò)將交流電的正負(fù)半周期分別轉(zhuǎn)換為同一極性的直流電信號(hào)，整流橋一般由四個(gè)二極管組成，可以...

      2024-05-31 標(biāo)簽：橋堆電路器件MDD 951 0

      MDD整流二極管的并聯(lián)與串聯(lián)應(yīng)用：如何均流與提高耐壓能力？

      MDD整流二極管的并聯(lián)與串聯(lián)應(yīng)用：如何均流與提高耐壓能力？

      電力電子電路設(shè)計(jì)，有時(shí)單個(gè)整流二極管的電流承載能力或耐壓能力無(wú)法滿(mǎn)足應(yīng)用需求，此時(shí)可以通過(guò)并聯(lián)或串聯(lián)方式來(lái)增強(qiáng)電流或耐壓能力。然而，并聯(lián)時(shí)需要解決均流問(wèn)...

      2025-03-17 標(biāo)簽：電阻整流二極管MDD 456 0

      整流橋失效深度剖析：MDD從過(guò)載燒毀到機(jī)械應(yīng)力的工業(yè)案

      整流橋失效深度剖析：MDD從過(guò)載燒毀到機(jī)械應(yīng)力的工業(yè)案

      MDD整流橋是電子設(shè)備中最常見(jiàn)的功率器件之一，被廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、工業(yè)控制、變頻器、汽車(chē)電子和家電電源等領(lǐng)域。然而，在長(zhǎng)期運(yùn)行或極端工況下，整流橋可能...

      2025-03-11 標(biāo)簽：整流橋機(jī)械應(yīng)力MDD 375 0

      高頻應(yīng)用下的整流橋挑戰(zhàn)：MDDEMI優(yōu)化與反向恢復(fù)時(shí)間控制方案

      高頻應(yīng)用下的整流橋挑戰(zhàn)：MDDEMI優(yōu)化與反向恢復(fù)時(shí)間控制方案

      在高頻電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用（如開(kāi)關(guān)電源、逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)）中，MDD整流橋的選型和設(shè)計(jì)直接影響系統(tǒng)效率和電磁兼容性（EMC）。高頻下的主要挑戰(zhàn)包括EMI（電磁干...

      2025-03-12 標(biāo)簽：emi整流橋MDD 367 0

      如何選擇合適的MDD整流二極管封裝？DIP、SMA、DO-41各有何優(yōu)劣？

      如何選擇合適的MDD整流二極管封裝？DIP、SMA、DO-41各有何優(yōu)劣？

      在電子設(shè)計(jì)中，MDD整流二極管的封裝選擇直接影響電路的性能、可靠性和成本。某工業(yè)電源項(xiàng)目因封裝選型不當(dāng)，導(dǎo)致整流二極管溫升超標(biāo)，最終引發(fā)批量失效。MDD...

      2025-03-18 標(biāo)簽：整流二極管SMADIP 361 0

      驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)踩坑錄：MDDMOS管開(kāi)關(guān)異常的診斷與修復(fù)

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      在電力電子系統(tǒng)中，MDDMOS管的開(kāi)關(guān)異常往往導(dǎo)致效率驟降、EMI超標(biāo)甚至器件損毀。某新能源汽車(chē)OBC模塊因驅(qū)動(dòng)波形振蕩引發(fā)MOS管過(guò)熱，導(dǎo)致整機(jī)返修率...

      2025-03-06 標(biāo)簽：MOS驅(qū)動(dòng)電路MDD 355 0

      PN結(jié)的整流特性：MDD整流二極管的核心物理機(jī)制

      PN結(jié)的整流特性：MDD整流二極管的核心物理機(jī)制

      MDD整流二極管是電力電子和信號(hào)處理電路中的重要器件，其核心工作原理依賴(lài)于PN結(jié)的整流特性。PN結(jié)是由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體構(gòu)成的基本結(jié)構(gòu)，通過(guò)其單向?qū)?..

      2025-03-21 標(biāo)簽：整流二極管PN結(jié)MDD 342 0

      MDD整流二極管的伏安特性曲線(xiàn)解析及應(yīng)用影響

      MDD整流二極管的伏安特性曲線(xiàn)解析及應(yīng)用影響

      MDD整流二極管是電子電路中最常見(jiàn)的元件之一，其主要作用是將交流電轉(zhuǎn)換為直流電。在選型和使用過(guò)程中，二極管的伏安特性（I-V曲線(xiàn)）是衡量其性能的關(guān)鍵參數(shù)...

      2025-03-20 標(biāo)簽：整流二極管電子電路MDD 333 0

      整流橋選型十大陷阱：MDD從電流諧波到散熱設(shè)計(jì)的實(shí)戰(zhàn)解析

      整流橋選型十大陷阱：MDD從電流諧波到散熱設(shè)計(jì)的實(shí)戰(zhàn)解析

      在工業(yè)電源設(shè)計(jì)中，整流橋選型失誤可能引發(fā)災(zāi)難性后果。某光伏逆變器項(xiàng)目因忽略反向恢復(fù)電荷（Qrr）導(dǎo)致整機(jī)效率下降8%，直接損失超百萬(wàn)元。本文結(jié)合MDD（...

      2025-03-10 標(biāo)簽：散熱設(shè)計(jì)整流橋MDD 323 0

      MDD整流橋諧波抑制全攻略：LC濾波與有源PFC的工程平衡術(shù)

      MDD整流橋諧波抑制全攻略：LC濾波與有源PFC的工程平衡術(shù)

      在電力電子應(yīng)用中，MDD整流橋廣泛用于AC-DC轉(zhuǎn)換，但其非線(xiàn)性整流特性會(huì)產(chǎn)生較大的諧波電流，影響電網(wǎng)質(zhì)量，甚至導(dǎo)致電磁干擾（EMI）超標(biāo)。為抑制諧波，...

      2025-03-13 標(biāo)簽：整流橋LC濾波有源PFC 313 0

      MOS管莫名燒毀？5大元兇與防護(hù)方案深度解析MDD

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      在電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，MOS管燒毀是工程師常遇的棘手問(wèn)題。MDD辰達(dá)半導(dǎo)體在本文結(jié)合典型失效案例與工程實(shí)踐，深度解析五大核心失效機(jī)理及防護(hù)策略，為電路可靠性...

      2025-03-03 標(biāo)簽：MOS管MOSMDD 290 0

      MOS管選型十大陷阱：參數(shù)誤讀引發(fā)的血淚教訓(xùn)MDD

      MOS管選型十大陷阱：參數(shù)誤讀引發(fā)的血淚教訓(xùn)MDD

      在電力電子設(shè)計(jì)中，MOS管選型失誤導(dǎo)致的硬件失效屢見(jiàn)不鮮。某光伏逆變器因忽視Coss參數(shù)引發(fā)炸管，直接損失50萬(wàn)元。本文以真實(shí)案例為鑒，MDD辰達(dá)半導(dǎo)體...

      2025-03-04 標(biāo)簽：電源MOSMDD 285 0

      肖特基二極管vs超快恢復(fù)二極管：哪種MDD高效率整流管更適合你的應(yīng)用？

      肖特基二極管vs超快恢復(fù)二極管：哪種MDD高效率整流管更適合你的應(yīng)用？

      在電源設(shè)計(jì)中，MDD高效率整流管對(duì)轉(zhuǎn)換效率、功率損耗和系統(tǒng)穩(wěn)定性起著關(guān)鍵作用。常見(jiàn)的MDD高效整流管主要包括肖特基二極管和超快恢復(fù)二極管。它們?cè)诠ぷ髟?..

      2025-04-01 標(biāo)簽：電源設(shè)計(jì)整流管MDD 271 0

      MDD快恢復(fù)二極管的典型失效模式：如何避免短路、過(guò)熱和過(guò)載？

      MDD快恢復(fù)二極管的典型失效模式：如何避免短路、過(guò)熱和過(guò)載？

      1.快恢復(fù)二極管概述快恢復(fù)二極管（FRD，F(xiàn)astRecoveryDiode）是一種專(zhuān)為高頻整流電路設(shè)計(jì)的半導(dǎo)體器件，具有短反向恢復(fù)時(shí)間（trr）、低反...

      2025-03-26 標(biāo)簽：快恢復(fù)二極管MDD 271 0

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        電子發(fā)燒友網(wǎng)于2006年10月成立， 是一個(gè)以電子技術(shù)知識(shí)為核心，以工程師為主導(dǎo)的平臺(tái)。致立于為中國(guó)電子工程師的電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)等做出最大貢獻(xiàn)，促進(jìn)中國(guó)電子科技的穩(wěn)步發(fā)展。
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        　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見(jiàn)Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
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      • 測(cè)試電路
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        +關(guān)注
      • 功放板
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        +關(guān)注
      • ELMOS
        ELMOS
        +關(guān)注
      • 功放制作
        功放制作
        +關(guān)注
        功率放大器（英文名稱(chēng)：power amplifier），簡(jiǎn)稱(chēng)“功放”，是指在給定失真率條件下，能產(chǎn)生最大功率輸出以驅(qū)動(dòng)某一負(fù)載（例如揚(yáng)聲器）的放大器。
      • 科創(chuàng)板
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        +關(guān)注
        擬訂科創(chuàng)板股票上市審核規(guī)則、科創(chuàng)板上市公司并購(gòu)重組審核規(guī)則、上市委員會(huì)及科技創(chuàng)新咨詢(xún)委員會(huì)相關(guān)規(guī)則；負(fù)責(zé)科創(chuàng)板股票發(fā)行上市審核和科創(chuàng)板上市公司并購(gòu)重組審核工作，擬訂審核標(biāo)準(zhǔn)、審核程序等；對(duì)發(fā)行人、科創(chuàng)板上市公司及中介機(jī)構(gòu)進(jìn)行自律監(jiān)管等。
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