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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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最近有粉絲在看過太陽(yáng)能充電寶項(xiàng)目后,根據(jù)小編分享的原理圖,自己設(shè)計(jì)了PCB,并進(jìn)行了打樣焊接,經(jīng)過調(diào)試后發(fā)現(xiàn)效果并不是很好,在分析了粉絲的PCB后,認(rèn)為...
2023-03-16 標(biāo)簽:開關(guān)電源BUCKMOS管 4.1k 0
在電路設(shè)計(jì)上,我們見到最多的是使用MOS管最為開關(guān)控制器件,但是MOS管除了具有開關(guān)的功能之外,還有隔離作用,下面就和大家一起看一下吧。
2023-11-30 標(biāo)簽:保護(hù)電路MOS管開關(guān)控制 4.1k 0
電平轉(zhuǎn)換在電路設(shè)計(jì)中非常常見,因?yàn)樽鲭娐吩O(shè)計(jì)很多時(shí)候就像在搭積木,這個(gè)電路模塊,加上那個(gè)電路模塊,拼拼湊湊連起來(lái)就是一個(gè)電子產(chǎn)品了。而各電路模塊間經(jīng)常會(huì)...
2023-05-05 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)MOS管I2C 4.1k 0
MOSFET驅(qū)動(dòng)器的工作原理 MOSFET作為開關(guān)的作用
當(dāng)我們使用 MCU(微控制器)制作產(chǎn)品或者搭建電路時(shí),有時(shí)候希望通過 MCU 控制某些外設(shè)。外設(shè)可能是一個(gè)需要極小電流的設(shè)備,比如 LED,或者是大功率...
在分析共柵極架構(gòu)(CG)的LNA前,需要先回顧一下共柵架構(gòu)MOS管的輸入阻抗,輸出阻抗和電壓增益的推導(dǎo)過程。
2023-03-26 標(biāo)簽:MOS管LNA拓?fù)浣Y(jié)構(gòu) 4.1k 0
新能源風(fēng)力發(fā)電中電流傳感器的作用有哪些呢?
能源(Energy Source)亦稱能量資源或能源資源,為人類的生產(chǎn)和生活提供各種能力和動(dòng)力的物質(zhì)資源,是國(guó)民經(jīng)濟(jì)的重要物質(zhì)基礎(chǔ),未來(lái)國(guó)家命運(yùn)取決于能...
MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低,開關(guān)速度快,因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源上。而用好一個(gè)MOS管,其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動(dòng)電路。
2022-09-06 標(biāo)簽:MOS管驅(qū)動(dòng)電路電源IC 4.1k 0
MOS管的工作狀態(tài)一共有兩種:增強(qiáng)型和耗盡型兩類又有N溝道和P溝道之分。
2023-03-30 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 4.1k 0
對(duì)于咱們電源工程師來(lái)講,我們很多時(shí)候都在看波形,看輸入波形,MOS開關(guān)波形,電流波形,輸出二極管波形,芯片波形,MOS管的GS波形,我們拿開關(guān)GS波形為...
為什么PMOS作為高側(cè)開關(guān)更容易實(shí)現(xiàn)
高側(cè)開關(guān)就是負(fù)載是接地的,開關(guān)相對(duì)于負(fù)載處于高電位,如下圖所示。如果將開關(guān)和負(fù)載的位置互換,就是低側(cè)開關(guān)。
通過調(diào)節(jié)頻率使PFC電感電流在每個(gè)高頻周期過零,以實(shí)現(xiàn)PFC二極管的零電流關(guān)斷,消除反向恢復(fù)損耗。PFC二極管電流過零后,PFC電感與MOSFET寄生電...
MOS 管的開啟與關(guān)閉 要研究這個(gè)自舉的由來(lái),我們還是先看一下 MOS 的開啟與關(guān)閉。從上文得知,我們首先要分別看一下 NMOS 和 PMOS電源拓?fù)渲?..
在汽車電子領(lǐng)域,MOS管的應(yīng)用非常廣泛。其中大部分是用作開關(guān)管的,從電源到各類型的功率驅(qū)動(dòng),都少不了MOS管的身影。今天我們來(lái)簡(jiǎn)單介紹一下汽車電子中,M...
二極管 VS MOS管,你的防反接保護(hù)電路選擇誰(shuí)?
通常情況下直流電源輸入防反接保護(hù)電路是利用二極管的單向?qū)щ娦詠?lái)實(shí)現(xiàn)防反接保護(hù)。如下圖1所示。
在傳統(tǒng)的風(fēng)力發(fā)電中,由于風(fēng)力的不穩(wěn)定性,因此直接產(chǎn)生的電壓不穩(wěn)定,不能直接被利用,需要進(jìn)一步的穩(wěn)壓,儲(chǔ)能,轉(zhuǎn)化才能實(shí)現(xiàn)正常的使用。
2023-01-13 標(biāo)簽:MOS管風(fēng)力發(fā)電逆變電路 4k 0
電力MOSFET都是通過增加N-漂移區(qū)的厚度來(lái)提高工作電壓,但由此也帶來(lái)通態(tài)電阻的增大,當(dāng)電流比較大時(shí),管壓降和損耗會(huì)明顯加大,因此MOSFET特別適合...
芯片Signoff是通過什么機(jī)制去控制偏差帶來(lái)的不確定性風(fēng)險(xiǎn)的?
在芯片設(shè)計(jì)、制造、應(yīng)用等各個(gè)環(huán)節(jié)都不可避免地會(huì)引入偏差,其直接造成的影響是晶體管、電阻電容以及繞線等電特性的不確定性。
2023-06-28 標(biāo)簽:放大器MOS管芯片設(shè)計(jì) 4k 0
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