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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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我們在做電路設(shè)計中三極管和MOS管做開關(guān)用時候有什么區(qū)別 工作性質(zhì),MOS管用于高頻高速電路,大電流場合,以及對基極或漏極控制電流比較敏感的地方。
使用時,要特別注意內(nèi)部保護二極管。例如,電源接反時,源級S接到了電源正極,此時通過內(nèi)部寄生二極管導(dǎo)通,如果電源輸入沒有反接保護,NOMS管有可能燒毀。
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是現(xiàn)代電子...
在實際電路調(diào)試中,會因小失誤將電源的正負(fù)極接反,從而導(dǎo)致電路中的相關(guān)器件損壞。即在電路設(shè)計中,增加適當(dāng)?shù)姆婪唇与娐?。比較簡單的電路,即在電源的輸入端串聯(lián)...
當(dāng)開關(guān)關(guān)斷的時候,溝道電荷需要消失,電荷只能流入到MOS管本身的S端或D端,對兩端的電壓造成影響。因此流入采樣電容上的電荷會產(chǎn)生一個offset,o...
光伏儲能電池管理系統(tǒng)BMS充放電回路設(shè)計圖
完整的電化學(xué)儲能系統(tǒng)主要由電池組、電池管理系統(tǒng)(BMS)、能量管理系統(tǒng)(EMS)、儲能變流器(PCS)以及其他電氣設(shè)備構(gòu)成。BMS(Battery Ma...
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)的柵極電壓控制是MOS管工作中的一個關(guān)鍵參...
這樣描述可能不直觀。我們看下N溝道-JFET的構(gòu)造,如下圖所示,柵極和源極之間就是一個耗盡層(PN結(jié))。
2023-01-29 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS管負(fù)電壓 3.8k 0
MOS管因為其導(dǎo)通內(nèi)阻低,開關(guān)速度快,因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源上。而用好一個MOS管,其驅(qū)動電路的設(shè)計就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動電路。
2023-07-03 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源MOS管 3.8k 0
MOSFET在雪崩效應(yīng)發(fā)生時能夠承受的電流和電壓能力。雪崩耐量越高,器件的可靠性越好。參數(shù):雪崩耐量 - SURG (Surge Tolerance)
基于MOS管和三極管的電源開關(guān)電路設(shè)計
三極管與MOS管組成的電源開關(guān)電路一定是NPN與PMOS管組合么?
2023-11-17 標(biāo)簽:三極管開關(guān)電路電路設(shè)計 3.8k 0
同步整流技術(shù)就是采用低導(dǎo)通電阻的功率MOS管代替開關(guān)變換器快恢復(fù)二極管,起整流管的作用,從而達到降低整流損耗,提高效率的目的。
2023-06-12 標(biāo)簽:MOS管快恢復(fù)二極管整流管 3.7k 0
MOS管工作在開關(guān)狀態(tài)下的Miller效應(yīng)的原因與現(xiàn)象分析
簡 介: 本文對于 MOS 管工作在開關(guān)狀態(tài)下的 Miller 效應(yīng)的原因與現(xiàn)象進行了分析。巧妙的應(yīng)用 Miller 效應(yīng)可以實現(xiàn)電源的緩啟動。
MOS管驅(qū)動芯片的基本概念和技術(shù)參數(shù)
MOS管驅(qū)動芯片是一種在電子系統(tǒng)中廣泛應(yīng)用的功率放大器,其主要功能是通過控制MOS管(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的導(dǎo)通和截止,實現(xiàn)對電路的高效控制。
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