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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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MOS管的工作狀態(tài)一共有兩種：增強(qiáng)型和耗盡型兩類又有N溝道和P溝道之分。
2023-03-30 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 3878 0
前面我們?cè)敿?xì)的介紹了共射放大電路的設(shè)計(jì)步驟，對(duì)于低頻信號(hào)，可以不考慮三極管的頻率特性，但是隨著輸入信號(hào)頻率的增加，MOS管的寄生電容就不得不考慮。MOS...
MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低，開關(guān)速度快，因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源上。而用好一個(gè)MOS管，其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動(dòng)電路。
2022-09-06 標(biāo)簽：MOS管驅(qū)動(dòng)電路電源IC 3870 0
現(xiàn)在電源模塊的體積越來(lái)越小，功率密度也越來(lái)越高，并且模塊的工作環(huán)境也愈發(fā)惡劣，其高低溫設(shè)計(jì)、熱設(shè)計(jì)以及應(yīng)力問(wèn)題逐漸引起了各位工程師的重視。
電路需要增加5V過(guò)壓保護(hù)功能。剛開始，我是用穩(wěn)壓二極管組合三極管，MOS管設(shè)計(jì)的電路，結(jié)果功能實(shí)現(xiàn)不了，電壓到了10V都沒(méi)有保護(hù)。
2022-09-28 標(biāo)簽：保護(hù)電路過(guò)壓保護(hù)MOS管 3861 0
所以從這個(gè)角度來(lái)說(shuō)，哪個(gè)有源MOS管子可以實(shí)現(xiàn)這樣的阻抗變化，就可以稱為有源電感。
2023-09-21 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器MOS管跟隨器 3858 0
MOS管驅(qū)動(dòng)電路gs兩端并接一個(gè)電阻有何作用？
如圖所示MOS管驅(qū)動(dòng)電路，定性分析可知，當(dāng)MOS管關(guān)斷時(shí)，MOS管兩端應(yīng)力為Vds，此時(shí)Vds向Cgd和Cgs充電，可能導(dǎo)致Vgs達(dá)到Vgs(th)導(dǎo)致...
2024-02-27 標(biāo)簽：MOS管驅(qū)動(dòng)電路VDS 3854 0
在傳統(tǒng)的風(fēng)力發(fā)電中，由于風(fēng)力的不穩(wěn)定性，因此直接產(chǎn)生的電壓不穩(wěn)定，不能直接被利用，需要進(jìn)一步的穩(wěn)壓，儲(chǔ)能，轉(zhuǎn)化才能實(shí)現(xiàn)正常的使用。
2023-01-13 標(biāo)簽：MOS管風(fēng)力發(fā)電逆變電路 3840 0
在分析共柵極架構(gòu)(CG)的LNA前，需要先回顧一下共柵架構(gòu)MOS管的輸入阻抗，輸出阻抗和電壓增益的推導(dǎo)過(guò)程。
2023-03-26 標(biāo)簽：MOS管LNA拓?fù)浣Y(jié)構(gòu) 3822 0
我們?cè)谧鲭娐吩O(shè)計(jì)中三極管和MOS管做開關(guān)用時(shí)候有什么區(qū)別 工作性質(zhì),MOS管用于高頻高速電路，大電流場(chǎng)合，以及對(duì)基極或漏極控制電流比較敏感的地方。
2011-11-19 標(biāo)簽：三極管電路設(shè)計(jì)mos管 3814 5
自舉電路也叫升壓電路，是利用自舉升壓二極管，自舉升壓電容等電子元件，使電容放電電壓和電源電壓疊加，從而使電壓升高，有的電路升高的電壓能達(dá)到數(shù)倍電源電壓。
2023-06-01 標(biāo)簽：二極管升壓電路場(chǎng)效應(yīng)管 3804 0
電力MOSFET都是通過(guò)增加N-漂移區(qū)的厚度來(lái)提高工作電壓，但由此也帶來(lái)通態(tài)電阻的增大，當(dāng)電流比較大時(shí)，管壓降和損耗會(huì)明顯加大，因此MOSFET特別適合...
把紅表筆接到MOS管的源極S；把黑表筆接到MOS管的漏極D，此時(shí)表針指示應(yīng)該為無(wú)窮大，如圖5-3所示。如果有歐姆指數(shù)，說(shuō)明被測(cè)管有漏電現(xiàn)象，此管不能用。
從上篇文章，我們可以很明顯的看出STA的兩大因素，一個(gè)是延遲計(jì)算，一個(gè)是約束檢查。
對(duì)于咱們電源工程師來(lái)講，我們很多時(shí)候都在看波形，看輸入波形，MOS開關(guān)波形，電流波形，輸出二極管波形，芯片波形，MOS管的GS波形，我們拿開關(guān)GS波形為...
理想的MOS晶體管不應(yīng)該有任何電流流入襯底或者阱中，當(dāng)晶體管關(guān)閉的時(shí)候DS之間不應(yīng)該存在任何的電流。但是，現(xiàn)實(shí)中MOS卻存在各種不同的漏電流。漏電流一方...
MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低，開關(guān)速度快，因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源上。而用好一個(gè)MOS管，其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動(dòng)電路。
2023-05-12 標(biāo)簽：開關(guān)電源電路設(shè)計(jì)MOS管 3756 0
傳統(tǒng)Boost PFC和無(wú)橋PFC的工作原理及狀態(tài)
由于無(wú)橋PFC拓?fù)渲饕獮樘岣咝剩ㄊ〉袅苏鳂蚣捌鋼p耗），但相對(duì)傳統(tǒng)Boost PFC，在成本（所用MOS管和快速二極管多一倍）、控制（相對(duì)復(fù)雜）和EM...
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