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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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電機(jī):俗稱“馬達(dá)”,為英語(yǔ)motor的音譯,即為電動(dòng)機(jī)、發(fā)動(dòng)機(jī)。工作原理為通過(guò)通電線圈在磁場(chǎng)中受力轉(zhuǎn)動(dòng)帶動(dòng)起動(dòng)機(jī)轉(zhuǎn)子旋轉(zhuǎn),轉(zhuǎn)子上的小齒輪帶動(dòng)發(fā)動(dòng)機(jī)飛輪旋轉(zhuǎn)。
2023-10-23 標(biāo)簽:三極管MOS管電機(jī)驅(qū)動(dòng) 2592 0
在現(xiàn)代電子設(shè)備中,開關(guān)電源因其高效率、小體積和輕重量而成為電源管理的首選。MOS管作為開關(guān)電源中的核心組件,其性能直接影響電源的穩(wěn)定性和效率。 1. 開...
2024-11-05 標(biāo)簽:開關(guān)電源MOS管電子設(shè)備 2585 0
總電壓采樣電路中使用MOS作為開關(guān)的問(wèn)題
使用高壓MOS作為開關(guān),例如下圖(來(lái)自于ADI官網(wǎng))LTC2949的典型應(yīng)用電路中,使用高壓MOS作為絕緣檢測(cè)的橋臂開關(guān);選用高壓MOS的原因是成本相對(duì)...
MOS管和場(chǎng)效應(yīng)管有什么關(guān)系?
MOS管和場(chǎng)效應(yīng)管有什么關(guān)系?對(duì)于初學(xué)者來(lái)說(shuō),這兩個(gè)名字常常讓人混淆,MOS管到底是不是場(chǎng)效應(yīng)管?
2023-11-13 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 2572 0
給大家介紹四種簡(jiǎn)單實(shí)用的防反接電路設(shè)計(jì)
單個(gè)二極管串聯(lián)到電源輸入端,防反接電路原理是利用二極管的單向?qū)щ娦?,正向?qū)ǎ聪蚪刂?。?dāng)不小心反接電源時(shí),二極管不導(dǎo)通,不會(huì)損壞任何器件。
MOS驅(qū)動(dòng)振蕩模型及開關(guān)暫態(tài)分析
下圖是一款DCDC電源初樣,測(cè)試時(shí)發(fā)現(xiàn)上電,或帶大載時(shí)出現(xiàn)炸機(jī),示波器測(cè)試驅(qū)動(dòng)IC輸入端
開關(guān)電源環(huán)路穩(wěn)定性分析(六)
根據(jù)上一篇文章的分析,開關(guān)電源系統(tǒng)主要分為3個(gè)部分,功率級(jí),控制級(jí),反饋級(jí)。今天這篇文章我們分析功率級(jí)和控制級(jí)的傳遞函數(shù)。
2022-12-06 標(biāo)簽:開關(guān)電源MOS管傳遞函數(shù) 2567 1
三相600V柵極全橋驅(qū)動(dòng)IC-PT5616/PT5616A介紹
PT5616/PT5616A是全橋驅(qū)動(dòng)IC,在最大阻斷電壓為600V的三相系統(tǒng)中,用于控制功率器件,如MOS晶體管或IGBT。
基于TL431搭建的過(guò)壓保護(hù)電路設(shè)計(jì)分析
當(dāng)VIN低于保護(hù)點(diǎn)13.8V以下時(shí),電路輸出VOUT正常,當(dāng)VIN輸入電壓高于13.8V時(shí),TL431陰極導(dǎo)通,三極管Q2基極導(dǎo)通,MOS管的GS極被Q...
2023-08-03 標(biāo)簽:三極管過(guò)壓保護(hù)MOS管 2553 0
場(chǎng)效應(yīng)管的分類 基本共源放大電路的組成及工作原理
場(chǎng)效應(yīng)管的分類 基本共源放大電路的組成及工作原理
2023-02-20 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管MOS 2547 0
IGBT是變頻器的核心部件,自然要分外關(guān)注。 在實(shí)際應(yīng)用中最流行和最常見的電子元器件是雙極結(jié)型晶體管 BJT 和 MOS管。 IGBT實(shí)物圖+電路符號(hào)圖...
功率場(chǎng)效應(yīng)管(Power MOSFET)也叫電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管,是一種單極型的電壓控制器件,不但有自關(guān)斷能力,而且有驅(qū)動(dòng)功率小,開關(guān)速度高、無(wú)二次擊穿、安...
2022-11-18 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 2537 0
分享一種用CAN波形的幅度和脈寬信息來(lái)精確定位錯(cuò)誤幀來(lái)源的方法
我們先從基礎(chǔ)的講起。CAN節(jié)點(diǎn)的電路一般如下圖所示,MCU內(nèi)置了CAN控制器用來(lái)將MCU的數(shù)據(jù)封裝為CAN幀格式,同時(shí)它也負(fù)責(zé)CAN幀的校驗(yàn)和錯(cuò)誤幀的處理。
為什么在MOS管開關(guān)電路設(shè)計(jì)中使用三極管容易燒壞?如何解決?
MOS管作為一種常用的開關(guān)元件,具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和低功耗等優(yōu)點(diǎn),因此在許多電子設(shè)備中廣泛應(yīng)用。
2024-02-21 標(biāo)簽:三極管開關(guān)電路濾波電容 2519 0
介紹一種國(guó)產(chǎn)車規(guī)級(jí)霍爾電流傳感器應(yīng)用案例
國(guó)產(chǎn)車規(guī)級(jí)霍爾電流傳感器CH704是為50A以上大電流檢測(cè)應(yīng)用開發(fā)的隔離集成式電流傳感芯片,具有高精度、增強(qiáng)絕緣耐壓、高可靠性、低功耗等優(yōu)點(diǎn)。
MOS(金屬-氧化物-半導(dǎo)體)管的寄生參數(shù)是指在集成電路設(shè)計(jì)中,除MOS管基本電氣特性(如柵極電壓、漏極電壓、柵極電流等)外,由于制造工藝、封裝方式以及...
使用MOS管的雙向電平轉(zhuǎn)換電路設(shè)計(jì)
在一些IO電平不匹配的情況,需要用到電平轉(zhuǎn)換電路。特別如I2C總線上,主芯片和多個(gè)外設(shè)直接,較常遇到電源域電壓不一致的情況。
2023-06-25 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)MOS管總線 2510 1
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