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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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天線效應(yīng),或者說它的全稱工藝天線效應(yīng)(PAE,process antenna effect),是一種芯片制造過程中產(chǎn)生的效應(yīng)。
2023-12-06 標(biāo)簽:MOS管芯片制造天線效應(yīng) 2942 0
MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低,開關(guān)速度快,因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源上。而用好一個MOS管,其驅(qū)動電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動電路。
在日常工作過程中,難免會遇到電路板,出現(xiàn)各種各樣的故障,但是你知道怎么去維修嗎?手頭上拿到一塊板子,是不是感覺束手無策?接下來,我會帶你學(xué)習(xí)如何檢測線路...
氮化鎵(GaN)MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)管驅(qū)動芯片是一種新型的電子器件,它采用氮化鎵材料作為通道和底層襯底,具有能夠承受高功率、高頻率和高溫度的特性。...
EPROM存儲器的基本結(jié)構(gòu) Flash存儲器和EEPROM存儲器的區(qū)別
EPROM(Erasable Programmable Read-Only Memory)是一種具有可擦除功能的ROM內(nèi)存,寫入前必須先把里面的內(nèi)容...
PDS760-13總功耗,包括二極管的傳導(dǎo)損耗和交流損耗。二極管在MOS管關(guān)斷期間續(xù)流,瞬時傳導(dǎo)損耗以關(guān)斷期間的輸出電流乘以二極管的正向電壓來計(jì)算。二極...
LGBT(Light Emitting Bipolar Transistor)是一種發(fā)光二極管與雙極型晶體管的結(jié)合體。它具有高亮度、高效率、低功耗和長壽...
在設(shè)計(jì)MOS管開關(guān)電路時,就要充分了解MOS管的工作原理。在我上一篇文章中,有詳細(xì)地講解MOS管的工作原理。大家可以點(diǎn)下面這個標(biāo)題直接進(jìn)入,這里就簡單地提一下。
2023-07-03 標(biāo)簽:二極管電路圖開關(guān)電路 2877 0
IGBT的結(jié)構(gòu)和工作原理 igbt和mos管的區(qū)別
絕緣層位于IGBT的N區(qū)表面,通常使用氧化硅(SiO2)等絕緣材料,用于隔離控制電極(柵極)與功率電極(P區(qū)和N+區(qū))。
如何利用示波器進(jìn)行長時間的數(shù)據(jù)記錄
示波器是檢測電子線路最有效的工具之一,通過觀察電子電路中一些關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)如某些引腳,MOS管的輸出波形,可以直觀的檢查電路工作是否正常,驗(yàn)證電子電路設(shè)計(jì)是否...
本期的講的是 另一種形式的推挽電路 。實(shí)現(xiàn)功能為,當(dāng)PWM為高電平時,VOUT輸出電平為低電平,關(guān)斷MOS管Q3;當(dāng)PWM為低電平時,VOUT輸出高電平...
我們的谷德海普的客服反饋,經(jīng)常遇到一些用戶詢問到我們的烙鐵頭使用什么熱電偶型號。把客服問懵了,烙鐵頭的生產(chǎn)過程當(dāng)中沒有使用到單獨(dú)的熱電偶呀,哪來的具體型...
增強(qiáng)型MOS管(Enhancement MOSFET)是一種重要的場效應(yīng)晶體管,具有高輸入阻抗、低輸入電流、高速開關(guān)和低噪聲等優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備...
2024-07-24 標(biāo)簽:MOS管晶體管增強(qiáng)型 2838 0
MCU內(nèi)部的I/O結(jié)構(gòu)和驅(qū)動能力
經(jīng)常會聽到MCU某I/O的驅(qū)動能力是xxmA,那么到底什么是驅(qū)動能力呢?如果某IO的驅(qū)動能力是5mA,它就輸出不了超過5mA的電流了嗎?為什么IO的驅(qū)動...
開關(guān)電源/開關(guān)MOS管/開關(guān)變壓器損耗講解
今天給大家分享的是:開關(guān)電源損耗與效率、開關(guān)晶體管損耗、開關(guān)變壓器損耗。
2023-06-16 標(biāo)簽:變壓器開關(guān)電源MOS管 2826 0
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