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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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工作中,我們使用的單片機(jī)常常被用于控制大電流設(shè)備的正常運(yùn)轉(zhuǎn),這樣的例子是嵌入式設(shè)計(jì)中非常的常見技術(shù),因?yàn)橛趩纹瑱C(jī)它屬于是低功耗微處理器,因此其I/O引腳...
2023-09-22 標(biāo)簽:繼電器MOS管嵌入式設(shè)計(jì) 2312 0
電源防反接(也稱作反接保護(hù))是一種電子電路設(shè)計(jì)中非常重要的環(huán)節(jié),主要用于防止電源(如電池)的正負(fù)極被錯誤連接導(dǎo)致的系統(tǒng)損壞或故障。在實(shí)際應(yīng)用中,反接保護(hù)...
2023-12-25 標(biāo)簽:MOS管場效應(yīng)晶體管電子電路 2307 0
公牛車充拆解|拓爾微A+C雙口快充方案IM2403+TMI3451
在快節(jié)奏的生活中,手機(jī)已成為人們不可或缺的工具。對于經(jīng)常開車出門的人來說,在車上給手機(jī)充電已經(jīng)成為剛需,因此車載充電器是很多車主的不二之選,它能便捷地解...
半導(dǎo)體邏輯器件工藝流程 LTPS工藝對器件參數(shù)的影響
當(dāng)n型半導(dǎo)體與p型半導(dǎo)體接觸時(shí),電子與空穴都從濃度高處向濃度低處擴(kuò)散,稱為擴(kuò)散運(yùn)動。當(dāng)電子進(jìn)入p型區(qū)域,空穴進(jìn)入n型區(qū)域后,即與對方多子復(fù)合,留下了固定...
求一種電流前饋雙閉環(huán)PI控制器逆變仿真設(shè)計(jì)方案
逆變器的控制方法有:PID控制、滯環(huán)控制、無差拍控制、重復(fù)控制、比例諧振控制、智能控制。各種控制方式都有自身的優(yōu)缺點(diǎn)。
如何給電路選擇最合適的MOS產(chǎn)品?選擇MOS管時(shí)需考慮的關(guān)鍵要素
MOS作為一種非常常見的分立器件,它具有開關(guān)、放大、調(diào)壓等作用。MOSFET是電壓控制的管子,通常,MOS管損耗比三極管小,導(dǎo)通后壓降理論上為0。
IGBT是雙極型三極管和MOS管結(jié)合在一起的產(chǎn)物,雙極型三極管具有低頻(10KHz以下)大電流能力,MOSFET具有高頻(100KHz以上)小電流特點(diǎn)。
2023-07-13 標(biāo)簽:三極管IC設(shè)計(jì)MOS管 2290 0
MOS管因其高輸入阻抗、低功耗和良好的線性特性,在現(xiàn)代電子電路中扮演著重要角色。然而,由于制造缺陷、環(huán)境因素或設(shè)計(jì)不當(dāng),MOS管電路可能會出現(xiàn)故障。 M...
介紹一個(gè)使用單個(gè)MOS管來實(shí)現(xiàn)雙向電平轉(zhuǎn)換的電路
我們?nèi)粘9ぷ髦袝?jīng)常碰到電平需要轉(zhuǎn)換的場景,尤其像需要的電壓不同的芯片之間的轉(zhuǎn)換,或者隔離芯片的兩端的不同電壓需求
開關(guān)MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)在電子設(shè)...
常規(guī)的LED控制一般采用PWM信號,通過調(diào)節(jié)占空比控制一路至多路MOS管或IC進(jìn)行調(diào)光調(diào)色功能,市面上大部分LED臺燈上采用的就是PWM控制方式。
2023年是演藝表演恢復(fù)增長的重要一年,僅上半年全球范圍的演唱會數(shù)量同比增長30%。這意味著將帶動上下游的產(chǎn)業(yè),其中舞臺音響功放就是一個(gè)核心的增長極。對...
在ROS學(xué)習(xí)平臺中常常使用到的直流電機(jī)控制原理與驅(qū)動電路
在使用ROS機(jī)器人構(gòu)建地圖的過程中,需要在房間內(nèi)自主運(yùn)行,采集地圖信息。這個(gè)過程中需要控制電機(jī)的正反轉(zhuǎn),電機(jī)的轉(zhuǎn)速,以適應(yīng)機(jī)器人直行,轉(zhuǎn)彎等動作。
三極管和MOS管的基本特性 三極管是電流控制電流器件,用基極電流的變化控制集電極電流的變化。
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