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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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穿通擊穿的擊穿點(diǎn)軟,擊穿過(guò)程中,電流有逐步增大的特征,這是因?yàn)楹谋M層擴(kuò)展較寬,產(chǎn)生電流較大。另一方面,耗盡層展寬大容易發(fā)生DIBL效應(yīng),使源襯底結(jié)正偏出...
PD/QC快充電源芯片U6649啟動(dòng)快功耗低簡(jiǎn)析
輸出功率達(dá)27W的PD/QC快充電源芯片U6649,提供SOP-8無(wú)鉛封裝。是應(yīng)用于中小功率反激式開關(guān)電源的高性能電流模式PWM功率轉(zhuǎn)換器。
2023-04-21 標(biāo)簽:MOS管功率轉(zhuǎn)換器電源芯片 2146 0
充電樁電氣防火限流式保護(hù)器及其過(guò)電流故障檢測(cè)方法
本文介紹一種電氣防火限流式保護(hù)器及其安全啟動(dòng)方法,以實(shí)現(xiàn)一種開機(jī)流程安全啟動(dòng)的電氣防火限流式保護(hù)器,保證電氣防火限流式保護(hù)器在負(fù)載短路的狀態(tài)下安全的啟動(dòng)。
了解MOS管的寄生電容,如圖C1、C2的值,這個(gè)寄生電容越小越好。如果C1、C2的值比較大,MOS管導(dǎo)通的需要的能量就比較大,如果電源IC沒(méi)有比較大的驅(qū)...
2023-05-12 標(biāo)簽:MOS管驅(qū)動(dòng)電路寄生電容 2139 0
晶體管開關(guān)電路在現(xiàn)在電路設(shè)計(jì)中十分常見。經(jīng)典的74LS、74ALS等集成電路內(nèi)部采用晶體管開關(guān)電路,但只有普通的驅(qū)動(dòng)能力。三極管開關(guān)電路分為兩大類,一類...
2023-02-15 標(biāo)簽:開關(guān)電路電路設(shè)計(jì)MOS管 2136 0
隨著社會(huì)經(jīng)濟(jì)的發(fā)展和人們生活水平的不斷提高,公眾對(duì)文化娛樂(lè)設(shè)施提出了更高要求,游泳作為一項(xiàng)健身運(yùn)動(dòng)受到了越來(lái)越多人的歡迎,全球的泳池?cái)?shù)量呈持續(xù)增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。...
什么會(huì)影響MOS管驅(qū)動(dòng)電壓降低呢?
MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的驅(qū)動(dòng)電壓降低可能會(huì)受到以下因素的影響
MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)管是現(xiàn)代電子技術(shù)的重要組成部分,因其開關(guān)速度快、功耗低、體積小等優(yōu)點(diǎn),廣泛應(yīng)用于各類電子設(shè)備和系統(tǒng)中。根據(jù)功能和特性,MOS管...
一是電壓型,即柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿,形成針孔,使柵極和源極間短路,或者使柵極和漏極間短路;
PN結(jié)是半導(dǎo)體的基礎(chǔ),摻雜是半導(dǎo)體的靈魂,先明確幾點(diǎn)。
GPIO是通用輸入/輸出端口的簡(jiǎn)稱,是STM32可控制的引腳。GPIO的引腳與外部硬件設(shè)備連接,可實(shí)現(xiàn)與外部通訊、控制外部硬件或者采集外部硬件數(shù)據(jù)的功能。
MOS場(chǎng)效應(yīng)管電源開關(guān)電路
MOS管開關(guān)電路是利用MOS管柵極(g)控制MOS管源極(s)和漏極(d)通斷的原理構(gòu)造的電路。因MOS管分為N溝道與P溝道,所以開關(guān)電路也主要分為兩種。
2023-05-16 標(biāo)簽:開關(guān)電路MOS管漏極 2062 0
MOS管是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的簡(jiǎn)稱,是一種廣泛應(yīng)用于集成電路中的微型電子元件。 MOS管即MOSFET,中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)...
MOS管屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,相關(guān)文章:MOS管基本認(rèn)識(shí)。具有輸入電阻高、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)...
2022-09-13 標(biāo)簽:三極管MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2060 0
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