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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱(chēng)是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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干貨 | 功率MOS管燒毀,我們幫你總結(jié)出了這些原因
今天給大家講一下關(guān)于MOS管燒毀的原因,文字比較多點(diǎn),不容易讀,希望大家可以認(rèn)真看完。 MOS 管可能會(huì)遭受與其他功率器件相同的故障,例如過(guò)電壓(半導(dǎo)體...
雙向電平轉(zhuǎn)換電路圖 基于單個(gè)MOS管的雙向電平轉(zhuǎn)換電路設(shè)計(jì)
我們?nèi)粘9ぷ髦袝?huì)經(jīng)常碰到電平需要轉(zhuǎn)換的場(chǎng)景,尤其像需要的電壓不同的芯片之間的轉(zhuǎn)換,或者隔離芯片的兩端的不同電壓需求,還有比如兩個(gè)處理器之間的串口通訊,一...
UPS也就是不間斷電源,它是一種含有儲(chǔ)能裝置的不間斷電源。對(duì)于電源穩(wěn)定性要求較高的設(shè)備是需要提供提供不間斷的電源。
一鍵開(kāi)關(guān)機(jī)單片機(jī)電路設(shè)計(jì)
一般我們做單片機(jī)電路設(shè)計(jì)的時(shí)候,一般就是上電啟動(dòng),直接用開(kāi)關(guān)來(lái)做上電。那我們手機(jī),MP3這些設(shè)備一般都是一鍵長(zhǎng)按然后開(kāi)機(jī)。這樣做可以改善體驗(yàn),關(guān)鍵也不會(huì)誤觸發(fā)。
無(wú)刷電機(jī)如何控制電機(jī)的轉(zhuǎn)速?
如何改變電流方向? 如果將4個(gè)開(kāi)關(guān)按如圖的方式連接的話(huà),閉合不同的開(kāi)關(guān),電流方向就會(huì)發(fā)生改變(此電路是不是有點(diǎn)像字母‘H’,所以叫H橋電路)
UPS不間斷電源建議選用170N1F4A場(chǎng)效應(yīng)管優(yōu)化電路!
隨著數(shù)字化、人工智能化的大時(shí)代推進(jìn),未來(lái)電力能源必然是核心競(jìng)爭(zhēng)力的重要一環(huán)。如何確保電力能源的持續(xù)不間斷,UPS不間斷電源正是其中重要的產(chǎn)品之一。
2024-03-04 標(biāo)簽:UPS場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 1.6k 0
電路設(shè)計(jì)的問(wèn)題是讓MOS管在線(xiàn)工作,而不是在開(kāi)關(guān)狀態(tài)下工作。這也是MOS管加熱的原因之一。如果N-MOS做開(kāi)關(guān),G級(jí)電壓比電源高幾V,P-MOS就相反了...
這是CPU的截面視圖,可以清晰的看到層狀的CPU結(jié)構(gòu),芯片內(nèi)部采用的是層級(jí)排列方式,這個(gè)CPU大概是有10層。其中最下層為器件層,即是MOSFET晶體管。
在現(xiàn)代快節(jié)奏的生活中,快速充電技術(shù)已成為我們?nèi)粘I钪胁豢苫蛉钡囊徊糠?。其中,PD快充技術(shù)憑借其高效、安全的特點(diǎn),逐漸成為了市場(chǎng)上的主流選擇。那么,PD...
不知道是真的還是假的, 今天看到一部短片,?其中短片作者利用石墨烯粉末徒手制作了一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管,? 并將其應(yīng)用在搭建的多諧振蕩電路中。這一點(diǎn)的確感到令人驚...
簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)發(fā)射極關(guān)斷晶閘管
發(fā)射極關(guān)斷 (Emitter Turn-Off, ETO)晶閘管具有柵極截止晶閘管的耐高電壓和高電流的能力.以及易于控制 MOS 柵極的優(yōu)點(diǎn),其他功能包...
如何用分立式BJT設(shè)計(jì)高低邊開(kāi)關(guān)?
MOS類(lèi)型高低邊開(kāi)關(guān)固有其優(yōu)勢(shì),比如壓降小,損耗低,控制簡(jiǎn)易,使用場(chǎng)景也比BJT類(lèi)型的高低邊開(kāi)關(guān)廣泛
2023-06-07 標(biāo)簽:MOS管LED驅(qū)動(dòng)BJT 1.6k 0
MOS管FDBL86066型號(hào)參數(shù)常用于電池管理系統(tǒng)BMS
儲(chǔ)能行業(yè)的發(fā)展每年都在增長(zhǎng),尤其是在俄烏沖突的影響下,海外民眾為解決用電需求,開(kāi)始購(gòu)入戶(hù)用儲(chǔ)能等產(chǎn)品,在歐洲的海外市場(chǎng)爆發(fā)尤為顯著。
2023-08-07 標(biāo)簽:MOS管電池管理系統(tǒng)場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1.6k 0
如何選擇一款與10H16同質(zhì)的場(chǎng)效應(yīng)管替換使用
影響電動(dòng)車(chē)質(zhì)量好壞的原因很多,其中就包括了控制器。而場(chǎng)效應(yīng)管作為控制器的核心元器件的,它的質(zhì)量也直接的影響著電動(dòng)車(chē)的質(zhì)量,10H16場(chǎng)效應(yīng)管也是電動(dòng)車(chē)控...
2020-09-15 標(biāo)簽:電動(dòng)車(chē)控制器場(chǎng)效應(yīng)管 1.6k 0
MOS管和IGBT是現(xiàn)代電子技術(shù)中兩種非常重要的半導(dǎo)體器件,它們?cè)陔娏﹄娮印⒛芰哭D(zhuǎn)換、汽車(chē)電子等多個(gè)領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。盡管它們都是半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件,但它...
這個(gè)電路,首先明白是從左到右,左邊是輸入。5G-pwren為3.3v的高低電平。 那么分析電路,tvs用來(lái)防止靜電,這個(gè)有用,對(duì)于插拔設(shè)備來(lái)說(shuō),電...
mos管,即在集成電路中絕緣性場(chǎng)效應(yīng)管。是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
2023-02-12 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管晶體管 1.5k 0
在介質(zhì)負(fù)載的開(kāi)關(guān)運(yùn)行斷開(kāi)時(shí)產(chǎn)生的回掃電壓,或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進(jìn)入擊穿區(qū)而導(dǎo)致破壞的模式會(huì)引起雪崩破壞。
2022-12-22 標(biāo)簽:MOS管 1.5k 0
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