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標(biāo)簽 > mos管

mos管

mos管

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mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術(shù)

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實(shí)現(xiàn)雙電源自動(dòng)切換電路,其中利用了三個(gè)MOS管進(jìn)行的電路設(shè)計(jì)。

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什么是半橋驅(qū)動(dòng)芯片?與普通芯片區(qū)別點(diǎn)在哪里?

由于低側(cè)MOS管驅(qū)動(dòng)電壓的參考點(diǎn)為地,較容易設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路;而高側(cè)的驅(qū)動(dòng)電壓的參考點(diǎn)是跟隨VS電壓浮動(dòng)的,因此如何很好地驅(qū)動(dòng)高側(cè)MOS管是設(shè)計(jì)能否成功的關(guān)鍵。

2022-09-14 標(biāo)簽:MOS管半橋驅(qū)動(dòng)芯片 1.6萬(wàn) 0

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受限于MOS管的驅(qū)動(dòng)閾值,在許多的應(yīng)用場(chǎng)景中無(wú)法直接使用MCU或者SOC的GPIO電平驅(qū)動(dòng)MOS的導(dǎo)通與關(guān)斷,此時(shí)需要在MOS的G極處增加一個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)電...

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OC門和OD門的主要區(qū)別

OC門,又稱集電極開路(漏極開路)與非門門電路,Open Collector(Open Drain)。

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CCM 模式與 DCM 模式的開關(guān)損耗有所不同。先講解復(fù)雜 CCM 模式,DCM 模式很簡(jiǎn)單了。

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GPIO 是通用輸入/輸出端口的簡(jiǎn)稱,是 STM32 可控制的引腳。GPIO 的引腳與外部硬件設(shè)備連接,可實(shí)現(xiàn)與外部通訊、控制外部硬件或者采集外部硬件數(shù)...

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一文詳解p溝道耗盡型mos管開關(guān)電路

在設(shè)計(jì)mos管開關(guān)電路時(shí),就要充分了解mos管的工作原理。在我上一篇文章中,有詳細(xì)地講解mos管的工作原理。

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