mos管

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mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術(shù)

H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路解析

之前介紹過H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的基本原理，但是以集成的電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片為示例。這些集成的芯片使用起來比較簡(jiǎn)單，但是只能適用于一些小電流電機(jī)，對(duì)于大電流的電機(jī)(比...

2022-12-29 標(biāo)簽：pcb MOS管驅(qū)動(dòng)電路 1.3萬 0

通用測(cè)試儀器大全之電子負(fù)載儀（特性，工作原理，使用方法，應(yīng)用范圍）

以增強(qiáng)AVRRISC結(jié)構(gòu)的ATmega16控制器為核心，設(shè)計(jì)并制作了直流電子負(fù)載儀。系統(tǒng)通過斜波發(fā)生器產(chǎn)生的鋸齒波和電流采樣信號(hào)與控制信號(hào)的誤差信號(hào)作比...

2017-05-10 標(biāo)簽：mos管電子負(fù)載儀 1.3萬 0

由MOS管構(gòu)成的開關(guān)電流電路延遲線的設(shè)計(jì)方法

開關(guān)電流技術(shù)是近年來提出的一種新的模擬信號(hào)采樣、保持、處理技術(shù)。與已成熟的開關(guān)電容技術(shù)相比，開關(guān)電流技術(shù)不需要線性電容和高性能運(yùn)算放大器，整個(gè)電路均由M...

2018-09-29 標(biāo)簽：存儲(chǔ)mos管開關(guān)電流 1.3萬 0

MOS管的米勒效應(yīng)：如何減小米勒平臺(tái)

從多個(gè)維度分析了米勒效應(yīng)，針對(duì)Cgd的影響也做了定量的推導(dǎo)，今天我們?cè)俸痛蠹乙黄穑Y(jié)合米勒效應(yīng)的仿真，探討下如何減小米勒平臺(tái)。

2023-02-14 標(biāo)簽：開關(guān)電路示波器 MOS管 1.3萬 0

開關(guān)電源與線性電源的本質(zhì)區(qū)別

開關(guān)電源是直流電轉(zhuǎn)變?yōu)楦哳l脈沖電流，將電能儲(chǔ)存到電感、電容元件中，利用電感、電容的特性將電能按預(yù)定的要求釋放出來來改變輸出電壓或電流的; 線性電源沒有高...

2022-07-27 標(biāo)簽：開關(guān)電源 MOS管線性電源 1.3萬 0

三極管和MOS管怎么對(duì)接下拉電阻，電阻自動(dòng)降壓電阻該如何設(shè)計(jì)？

線路分析：電機(jī)啟動(dòng)時(shí)，按下啟動(dòng)按鈕SB1，接觸器KM1線圈得電，KM1吸合，KM1的常開接點(diǎn)閉合，使KM2線圈得電，KM2的常開接點(diǎn)自鎖，使KM1、KM...

2017-06-12 標(biāo)簽：三極管電阻 mos管 1.3萬 0

MOS管封裝分類及PLCC封裝樣式

不同的封裝、不同的設(shè)計(jì)，MOS管的規(guī)格尺寸、各類電性參數(shù)等都會(huì)不一樣，而它們?cè)陔娐分兴芷鸬降淖饔靡矔?huì)不一樣；另外，封裝還是電路設(shè)計(jì)中MOS管選擇的重要...

2018-12-14 標(biāo)簽：封裝 MOS管 1.3萬 0

MOS管典型應(yīng)用電路圖 MOS管常見的幾種應(yīng)用電路

MOS管最常見的電路可能就是開關(guān)和放大器。

2023-07-17 標(biāo)簽：放大器開關(guān)電路放大電路 1.3萬 0

電容效應(yīng)于二極管的作用是什么？電容緩沖電路該如何設(shè)計(jì)？

首先，測(cè)量MOSFET開關(guān)節(jié)點(diǎn)（SW）在關(guān)斷時(shí)的振鈴頻率（Fring）。在MOSFET上焊接一個(gè)100 pF低ESR薄膜電容。增加電容，直到振鈴頻率為初...

2017-06-01 標(biāo)簽：二極管電容 mos管 1.3萬 0

mos管驅(qū)動(dòng)及應(yīng)用電路

上邊說的4V或10V是常用的MOS管的導(dǎo)通電壓，設(shè)計(jì)時(shí)當(dāng)然需要有一定的余量。而且電壓越高，導(dǎo)通速度越快，導(dǎo)通電阻也越小。現(xiàn)在也有導(dǎo)通電壓更小的MOS管用...

2019-06-19 標(biāo)簽：MOS管驅(qū)動(dòng)電壓 1.3萬 0

深入解析鋰電池保護(hù)板的工作原理

　　拆過手機(jī)或者平板的用戶，應(yīng)該都注意過，在手機(jī)或者平板的鋰電池部分，其上端有一塊質(zhì)地較軟且被塑料膜包裹起來的電路板(電池大小不同，電路板尺寸也不一樣)...

2022-11-08 標(biāo)簽：鋰電池 MOS管保護(hù)板 1.3萬 0

MOS失效的六點(diǎn)原因總結(jié)

MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。

2018-10-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 mos管張飛電子 1.3萬 0

MOS管和IGBT管有什么區(qū)別

在電子電路中，MOS 管和 IGBT 管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS 管和 IGBT 管在外形及特性參數(shù)也比較相似，那為什么有些電路...

2020-09-09 標(biāo)簽：MOS管 IGBT管 1.3萬 0

怎么去選擇使用gm的三種表達(dá)式呢？

我們?cè)趯懣鐚?dǎo)gm的表達(dá)式時(shí)，知道gm有三種表達(dá)式。表達(dá)式含有的變量其實(shí)只有三個(gè)，一個(gè)W/L，一個(gè)Vgs-Vth，還有一個(gè)Id。

2023-09-17 標(biāo)簽：MOS管變量 1.3萬 0

限流恒流電路設(shè)計(jì)方案

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2022-04-27 標(biāo)簽：電流 MOS管恒流電路 1.3萬 0

什么是軟開關(guān)？為什么選用LLC諧振拓?fù)鋵?shí)現(xiàn)軟開關(guān)？

本文主要參考楊波博士的論文《Topology Investigation for Front End DC/DC Power Conversion fo...

2023-12-03 標(biāo)簽：MOS管軟開關(guān)LLC 1.3萬 0

幾種常用的MOS管柵極驅(qū)動(dòng)電路

MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低，開關(guān)速度快，因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源上。而用好一個(gè)MOS管，其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動(dòng)電路。

2022-03-31 標(biāo)簽：電源 MOS管驅(qū)動(dòng)電路 1.3萬 0

MOS管如何判斷IC的驅(qū)動(dòng)能力？

一、現(xiàn)象現(xiàn)象① 你是否遇到過這樣的情況？IC芯片空載時(shí)，輸出電壓正常，但當(dāng)帶上負(fù)載后，輸出電壓馬上就會(huì)往下掉。這是怎么回事呢？現(xiàn)象② 如圖為MOS管...

2021-02-27 標(biāo)簽：MOS管 IC芯片 1.3萬 0

功率MOS管的每個(gè)參數(shù)介紹

在柵源短接，漏-源額定電壓(VDSS)是指漏-源未發(fā)生雪崩擊穿前所能施加的最大電壓。根據(jù)溫度的不同，實(shí)際雪崩擊穿電壓可能低于額定VDSS。關(guān)于V(BR)...

2019-07-07 標(biāo)簽：MOS管功率MOS管 1.2萬 0

GPIO工作模式的八種模式電路圖解析

共8種工作模式，4種輸入，1.輸入浮空模式2.輸入上拉模式 3.輸入下拉模式4.模擬輸入模式 4種輸出模式：開漏輸出、開漏復(fù)用功能、推挽輸出、推挽復(fù)用輸...

2020-10-18 標(biāo)簽：MOS管晶體管電流驅(qū)動(dòng) 1.2萬 0

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