mos管

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mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術(shù)

防反接保護電路圖防反接保護電路設(shè)計

通常情況下直流電源輸入防反接保護電路是利用二極管的單向?qū)щ娦詠韺崿F(xiàn)防反接保護。

2023-09-21 標(biāo)簽：二極管電路圖保護電路 1.5萬 0

CMOS模擬集成電路-比較器設(shè)計

開環(huán)比較器基于未補償?shù)姆糯笃?，可以使用單級或者多級結(jié)構(gòu)。根據(jù)輸入信號的大小，開環(huán)放大器工作于小信號狀態(tài)和大信號狀態(tài)(擺率限制)，其對應(yīng)的延遲時間計算也是不同。

2023-09-26 標(biāo)簽：集成電路 CMOS 放大器 1.5萬 0

MOS管的開關(guān)特性

MOS管作為開關(guān)元件，同樣是工作在截止或?qū)▋煞N狀態(tài)。由于MOS管是電壓控制元件，所以主要由柵源電壓uGS決定其工作狀態(tài)。

2019-06-25 標(biāo)簽：MOS管開關(guān)特性 1.5萬 0

按鍵開關(guān)機電路圖按鍵開關(guān)機電路設(shè)計方案

最近做個基于STM32腦波檢測的項目，甲方爸爸要求使用按鍵進行開關(guān)機。在網(wǎng)上查了一些資料，找到了很多案例分享，在此進行總結(jié)。

2023-09-15 標(biāo)簽：電路圖單片機 MOS管 1.5萬 0

MOS失效的原因分析總結(jié)

到底什么是雪崩失效呢，簡單來說MOSFET在電源板上由于母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等等系統(tǒng)電壓疊加在MOSFET漏源之間，導(dǎo)致的一種失效模式...

2018-05-06 標(biāo)簽：二極管 MOSFET MOS管 1.5萬 0

圖文詳解，各種拓撲的“伏秒平衡”！

之所以圖上沒畫出來，就是想說：沒有那些RCD之類的電路，變壓器照樣可以自感出個電壓使自己復(fù)位。當(dāng)然，這里又要注意，自己復(fù)位，是只能回到剩磁點的。也就是，...

2019-05-06 標(biāo)簽：變壓器電路 MOS管 1.5萬 1

PMOS和NMOS開關(guān)電路設(shè)計 MOS管做開關(guān)的特點和注意點

一說到開關(guān)，我們腦海中首先浮現(xiàn)的就是各式各樣的機械開關(guān)，常見的有自鎖開關(guān)、撥碼開關(guān)、船型開關(guān)等等。區(qū)別于這類常見的機械開關(guān)，我們在電子電路中常用的還有各...

2023-12-03 標(biāo)簽：三極管半導(dǎo)體 MOS管 1.5萬 0

MOSFET原理詳解與參數(shù)測試（2）

Rds(ON)是MOSFET工作（啟動）時，漏極D和源極S之間的電阻值。在上文中我們介紹了MOSFET在導(dǎo)通后，Rds(ON)的值不是一成不變的，主要取...

2023-05-26 標(biāo)簽：二極管 MOSFET MOS管 1.5萬 0

緩啟動電路的工作原理、實例分析與應(yīng)用

通信產(chǎn)品一般采用分散供電方式，各單板上采用DC/DC模塊將-48V電源轉(zhuǎn)換為其所需的5V、3.3V、2.5V等子電源。由于輸入電壓高，電源電路中又存在用...

2023-06-29 標(biāo)簽：原理圖 MOS管波形 1.5萬 0

MOS管損耗的8個組成部分

在器件設(shè)計選擇過程中需要對 MOSFET 的工作過程損耗進行先期計算（所謂先期計算是指在沒能夠測試各工作波形的情況下，利用器件規(guī)格書提供的參數(shù)及工作電路...

2019-06-18 標(biāo)簽：電阻 MOS管損耗 1.5萬 0

MOS管的柵極G、源極S、漏極D的判定方法

　　MOS管有三個引腳，分別是，柵極G、源極S、漏極D，這三個腳，用于鏈接外部的電路。其中柵極G是控制引腳，通過改變引腳的電平，我們可以直接控制這個MO...

2023-02-27 標(biāo)簽：驅(qū)動器 MOS管柵極 1.5萬 0

DC-DC中同步整流和異步整流的區(qū)別

　　同步：同步整流是采用導(dǎo)通電阻極低的專用功率MOS，來取代整流二極管以降低整流損耗。它能大大提高DC-DC變換器的效率并且不存在由肖特基勢壘電壓而造成...

2023-06-06 標(biāo)簽：整流二極管 MOS管變換器 1.5萬 0

為什么要用gmId設(shè)計方法呢？什么是gmid設(shè)計方法呢？

假設(shè)知道了Id,Vgs-vth，但發(fā)現(xiàn)，廠家給的工藝文件里，并沒有直接給出un和Cox的值，還是沒有辦法計算出管子的W和L值。

2022-09-05 標(biāo)簽：MOS管 PSPICE VDS 1.5萬 0

mos管參數(shù)解讀

敞開電壓（閥值電壓）。當(dāng)外加?xùn)艠O操控電壓VGS超越VGS（th）時，漏區(qū)和源區(qū)的外表反型層形成了銜接的溝道。應(yīng)用中，常將漏極短接前提下ID即是毫安時的柵...

2019-06-24 標(biāo)簽：電容 MOS管 1.5萬 0

一文讀懂IGBT

在我們實際的應(yīng)用當(dāng)中最流行和最常見的電子器件就是常見的雙極結(jié)晶體管BJT和MOS管。雖然BJT和MOS管是最流行最常見的元器件，但是在一些相對較高電流的...

2022-08-22 標(biāo)簽：MOS管 IGBT 晶體管 1.5萬 0

一個簡單的延時斷電控制電路

利用電容，三極管，MOS管來實現(xiàn)一個簡單的延時斷電控制電路。

2023-06-21 標(biāo)簽：三極管單片機 MOS管 1.5萬 1

兩種MOS管緩啟動電路講解

　　利用的都是MOS管的米勒平臺效應(yīng)，分為NMOS和PMOS兩種，一般的NMOS用在接地端，PMOS用在電源的正端，這是由與他們的開啟電壓不同造成的，以...

2023-02-02 標(biāo)簽：mcu MOS管 NMOS 1.4萬 0

MOS管設(shè)計知識：傳輸管TG的原理及組合邏輯延時分析

由兩個鎖存器和中間一個存儲單元（一般是首尾相連的反相器）組成。鎖存器的鎖存時間相反，輸入端鎖存器打開時存入數(shù)據(jù)，鎖存時讀出數(shù)據(jù)。

2020-09-07 標(biāo)簽：CMOS MOS管反相器 1.4萬 0

分享一個限流恒流電路

上圖是一個限流恒流電路，當(dāng)電流低于閾值時，輸出電流由負載決定，當(dāng)負載加重，輸出電流達到閾值時，輸出電流穩(wěn)定在閾值保持恒定

2023-06-18 標(biāo)簽：三極管穩(wěn)壓二極管 MOS管 1.4萬 0

MOS管內(nèi)的體二極管簡析

PMOS管做開關(guān)用，S極作電源輸入，D極作輸出，當(dāng)Vsg大于閾值電壓，MOS管導(dǎo)通，一般MOS管的導(dǎo)通內(nèi)阻都很小，毫歐級別，過幾安培的電流，壓降也才毫伏...

2022-08-12 標(biāo)簽：MOS管體二極管高電平 1.4萬 0

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電流檢測放大器通過測量電流通道上電阻的壓降檢測電流的放大器，電流檢測放大器輸出與被測電流成正比的電壓或電流。可以把電流檢測放大器可看成一個輸入級浮置的儀表/差分放大器。
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行程開關(guān)，位置開關(guān)（又稱限位開關(guān)）的一種，是一種常用的小電流主令電器。利用生產(chǎn)機械運動部件的碰撞使其觸頭動作來實現(xiàn)接通或分?jǐn)嗫刂齐娐?，達到一定的控制目的。通常，這類開關(guān)被用來限制機械運動的位置或行程，使運動機械按一定位置或行程自動停止、反向運動、變速運動或自動往返運動等。
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單相電路里的兩根供電電線，一根叫火線（學(xué)名相線），另一根則叫零線（學(xué)名中性線）?；鹁€和零線的區(qū)別在于它們對地的電壓不同。如果火線和零線一旦碰起來，由于兩者之間的電壓等于220伏，而兩接觸點間的電阻幾乎等于零，這時的電流非常大，在火線和零線的接觸點處將產(chǎn)生巨大的熱量，從而發(fā)出電火花，火花處的溫度高到足以把金屬導(dǎo)線燒得熔化。
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