MOS管驅(qū)動(dòng)電壓是否越高越好

不同型號(hào)的MOS管由于結(jié)構(gòu)，制程，工藝的不同，其開(kāi)啟電壓也是不同的，如下圖所示，有些開(kāi)啟電壓1.5V即可，有些則要4.5V，那么我們?cè)隍?qū)動(dòng)對(duì)應(yīng)的MOS時(shí)...

2022-04-08 標(biāo)簽：MOS管驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)電壓 1.9萬(wàn) 1

MOS管的應(yīng)用及導(dǎo)通特性和應(yīng)用驅(qū)動(dòng)電路的總結(jié)

在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是...

2012-10-26 標(biāo)簽：MOS管 1.8萬(wàn) 1

MOS管規(guī)格書(shū)參數(shù)解讀

BVDSS表示漏源極之間能承受的電壓值，這里標(biāo)注的是最小值650V。VGS(th)表示MOSFET的開(kāi)啟電壓，它是負(fù)溫度系數(shù)，隨著溫度的增加，器件的開(kāi)啟...

2024-01-11 標(biāo)簽：二極管MOS管電壓 1.8萬(wàn) 0

電子電路系列—MOS管精講

MOS管學(xué)名是場(chǎng)效應(yīng)管，是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，英文：MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effec...

2011-11-22 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管MOS管電子電路 1.6萬(wàn) 4

MOS管驅(qū)動(dòng)變壓器隔離電路分析和應(yīng)用

1.MOS管驅(qū)動(dòng)基礎(chǔ)和時(shí)間功耗計(jì)算 2.MOS管驅(qū)動(dòng)直連驅(qū)動(dòng)電路分析和應(yīng)用 3.MOS管驅(qū)動(dòng)變壓器隔離電路分析和應(yīng)用 4.MOS管網(wǎng)上搜集到的電路學(xué)習(xí)和...

2012-10-26 標(biāo)簽：MOS管東芝光耦潮光光耦 1.6萬(wàn) 1

詳解MOS管電源開(kāi)關(guān)電路如何開(kāi)啟帶軟開(kāi)啟功能

電源開(kāi)關(guān)電路，經(jīng)常用在各“功能模塊”電路的電源通斷控制，是常用電路之一。

2021-04-28 標(biāo)簽：電路MOS管電源開(kāi)關(guān) 1.5萬(wàn) 0

三極管和MOS管作為開(kāi)關(guān)管時(shí)兩者之間該如何選擇呢？

控制方式不同，三極管是電流型控制元器件，而MOS管是電壓控制元器件，三極管導(dǎo)通所需的控制端的輸入電壓要求較低，一般0.4V~0.6V以上就可以實(shí)現(xiàn)三極管...

2020-04-04 標(biāo)簽：三極管電子元器件MOS管 1.4萬(wàn) 0

MOS管做功放的優(yōu)缺點(diǎn)分析

功率放大器簡(jiǎn)稱(chēng)功放，一般特指音響系統(tǒng)中一種最基本的設(shè)備，俗稱(chēng)“擴(kuò)音機(jī)”，它的任務(wù)是把來(lái)自信號(hào)源(專(zhuān)業(yè)音響系統(tǒng)中則是來(lái)自調(diào)音臺(tái))的微弱電信號(hào)進(jìn)行放大以驅(qū)動(dòng)...

2022-02-12 標(biāo)簽：放大器MOS管晶體管 1.3萬(wàn) 0

帶軟開(kāi)啟功能的MOS管電源開(kāi)關(guān)電路

電源開(kāi)關(guān)電路，經(jīng)常用在各“功能模塊”電路的電源通斷控制，是常用電路之一。本文要講解的電源開(kāi)關(guān)電路，是用MOS管實(shí)現(xiàn)的，且?guī)к涢_(kāi)啟功能。 ? 電路說(shuō)明 電...

2021-09-02 標(biāo)簽：MOS管電源電路電源開(kāi)關(guān) 1.3萬(wàn) 2

mos管寄生電容

功率半導(dǎo)體的核心是PN結(jié)，從二極管、三極管到場(chǎng)效應(yīng)管，都是根據(jù)PN結(jié)特性所做的各種應(yīng)用。場(chǎng)效應(yīng)管分為結(jié)型、絕緣柵型，其中絕緣柵型也稱(chēng)MOS管（Metal...

2022-03-30 標(biāo)簽：MOS管寄生電容功率半導(dǎo)體 1.3萬(wàn) 0