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標簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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mos管的箭頭表示什么?mos管電流方向與箭頭 MOS管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transist...
2023-09-07 標簽:MOS管半導(dǎo)體器件 9.1k 0
MOS管被擊穿的原因及解決方案,電子元件及產(chǎn)品在什么情況下會遭受靜電破壞呢?可以這么說:電子產(chǎn)品從生產(chǎn)到使用的全過程都遭受靜電破壞的威脅
mos管工作原理 mos管有什么用途和功能 MOS(Metal Oxide Semiconductor)管是一種基于場效應(yīng)晶體管技術(shù)的電子器件,具有廣泛...
極管一般應(yīng)用于開關(guān)電路、信號放大電路、電平轉(zhuǎn)換電路等,而MOS管多用于放大電路、開關(guān)電路,有時候兩者可以起到同樣的效果,例如在小負載的開關(guān)電路當(dāng)中。
減少導(dǎo)通損耗在變壓器次級線圈后面加飽和電感,加反向恢復(fù)時間快的二極管,利用飽和電感阻礙電流變化的特性,限制電流上升的速率,使電流與電壓的波形盡可能小地重疊。
下面是N型MOS管的一個簡單的引用電路,當(dāng)G端通入高電平,MOS管D、S間導(dǎo)通,此時MOS管導(dǎo)通,電機的電流得以通過,電機轉(zhuǎn)動。當(dāng)G端為低電平的時候,D...
今天有個小伙伴留言說不明白 CCM 和 DCM 之間的區(qū)別,要如何區(qū)分這兩種模式,我之前在網(wǎng)絡(luò)上有看到一份關(guān)于 CCM 和 DCM 這兩者之間的判別及分...
igbt逆變電路工作原理? IGBT逆變電路是一種用于變換直流信號轉(zhuǎn)換為交流信號的電路。它們常用于電力電子設(shè)備中,例如交流驅(qū)動電機,太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)以...
JFET的輸入電阻大于100MΩ,并且跨導(dǎo)很高,當(dāng)柵極開路時空間電磁場很容易在柵極上感應(yīng)出電壓信號,使管子趨于截止,或趨于導(dǎo)通。
MOS管中漏電流產(chǎn)生的主要六大原因? MOS管(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種重要的半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。然而,MOS管中漏電...
這個主要是Drain加反偏電壓后,使得Drain/Bulk的PN結(jié)耗盡區(qū)延展,當(dāng)耗盡區(qū)碰到Source的時候,那源漏之間就不需要開啟就形成了 通路,所以...
2021-05-28 標簽:MOSFET場效應(yīng)管MOS管 8.4k 0
如果驅(qū)動高壓MOS管,我們需要采用變壓器驅(qū)動的方式和集成的高邊開關(guān)。這兩個搞定方案都有自己的優(yōu)點和缺點,適合不一樣的使用。集成高邊驅(qū)動器方案很方便,優(yōu)點...
不懂硬件的人,會覺得硬件高深莫測,“為什么他改幾個電阻、電容就調(diào)出來,我弄個半天沒搞定?”,“噢,靠的是經(jīng)驗”,但是經(jīng)驗又是什么呢?不能形容,反正就是不明覺厲。
mos管源極和漏極的區(qū)別? MOSFET,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,是一種晶體管,其目的是通過改變其柵極和源極端子之間的電勢差來控制電子電路內(nèi)的電流...
宋仕強關(guān)于薩科微半導(dǎo)體發(fā)展歷程答記者
宋仕強關(guān)于薩科微半導(dǎo)體發(fā)展歷程答記者 受訪對象:薩科微半導(dǎo)體創(chuàng)始人宋仕強先生 采訪主題:薩科微半導(dǎo)體的成長史的幾個問題 近年來,在半導(dǎo)體“國產(chǎn)替代”和解...
來源:羅姆半導(dǎo)體社區(qū)? MOS管全稱金屬—氧化物—半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管或稱金屬—絕緣體—半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,英文名metal oxide semicond...
2022-12-20 標簽:MOS管 8.2k 0
在 LTspice中搭建仿真電路,并首先仿真其直流特性,見圖 2、圖3。其中 NMOS選用2N7002,Bipolar三極管選用封裝相同,參數(shù)相近的 B...
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