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MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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什么原因?qū)е滦」β薀o刷直流電機(jī)的MOS管被燒壞
什么原因?qū)е驴刂菩」β薀o刷直流電機(jī)的MOS管被燒壞呢?若能夠提供詳細(xì)電路圖及各元器件的型號(hào)(比如MOS管型號(hào)等)更好,由于沒電路圖,下面對(duì)這部分設(shè)計(jì)MO...
2023-02-15 標(biāo)簽:小功率MOS無刷直流電機(jī) 1899 0
AIN/AIGaN/GaN MIS異質(zhì)結(jié)構(gòu)C-V分析
C-V測(cè)試是研究絕緣柵HEMT器件性能的重要方法,采用Keithley 4200半導(dǎo)體表征系統(tǒng)的CVU模塊測(cè)量了肖特基柵和絕緣柵異質(zhì)結(jié)構(gòu)的C-V特性。
外延工藝是指在襯底上生長(zhǎng)完全排列有序的單晶體層的工藝。一般來講,外延工藝是在單晶襯底上生長(zhǎng)一層與原襯底相同晶格取向的晶體層。外延工藝廣泛用于半導(dǎo)體制造,...
增強(qiáng)型MOS管的結(jié)構(gòu)及工作原理
通常將柵極與襯底連接在一起,這樣襯底與柵極之間就形成電容,當(dāng)柵極與源極之間電壓變化時(shí),將改變襯底靠近絕緣層出的感應(yīng)電荷的多少,從而控制漏極電流大小。
短溝器件的特性與前一節(jié)分析的電阻工作區(qū)和飽和區(qū)的模型有所不同,主要原因是速度飽和效應(yīng)。 載流子的速度正比于電場(chǎng),遷移率是一個(gè)常數(shù),當(dāng)溝道電場(chǎng)達(dá)到某一臨界...
目前MOSFET仍是數(shù)字集成電路廣泛使用的器件,根據(jù)MOS管的靜態(tài)模型,以NMOS為例,分析其電流電壓特性。 器件部分涉及到很多半導(dǎo)體物理、器件物理相關(guān)...
一個(gè)MOSFET管的動(dòng)態(tài)響應(yīng)只取決于它充(放)電這個(gè)器件的本身寄生電容和由互連線及負(fù)載引起的額外電容所需要的時(shí)間。 本征電容的主要來源有三個(gè):基本的MO...
電子元器件有著不同的封裝類型,不同類的元器件外形雖然差不多,但內(nèi)部結(jié)構(gòu)及用途卻大不同,譬如TO220封裝的元件可能是三極管、可控硅、場(chǎng)效應(yīng)管甚至是雙二極管。
什么原因?qū)е驴刂菩」β薀o刷直流電機(jī)的MOS管被燒壞呢?若能夠提供詳細(xì)電路圖及各元器件的型號(hào)(比如MOS管型號(hào)等)更好,由于沒電路圖,下面對(duì)這部分設(shè)計(jì)MO...
眾所周知MOS是電壓型驅(qū)動(dòng),只有G極比S極高一個(gè)開啟電壓Vth之后,MOS才會(huì)導(dǎo)通(這里指NMOS)。
2023-02-10 標(biāo)簽:NMOS驅(qū)動(dòng)MOS 2958 0
同時(shí)具備MOSFET和IGBT優(yōu)勢(shì)的Hybrid MOS
本文介紹ROHM命名為“Hybrid MOS”的、同時(shí)具備MOSFET和IGBT兩者優(yōu)勢(shì)的MOSFET。產(chǎn)品位于下圖最下方紅色框內(nèi)。
什么是MOSFET?MOSFET應(yīng)用領(lǐng)域
MOS,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Fi...
一概述 清洗行業(yè)隨著高壓水槍清洗機(jī)的出現(xiàn),逐漸取代傳統(tǒng)的機(jī)械清洗和化學(xué)清洗方式,以高壓水槍清洗機(jī)為主流的清洗行業(yè)逐漸形成科學(xué)、環(huán)保、高效率的清洗特點(diǎn),高...
模擬開關(guān),是利用JFET或MOS的特性實(shí)現(xiàn)控制信號(hào)通路的開關(guān),主要用來完成信號(hào)鏈路連接或斷開的切換功能。由于它具有功耗低、速度快、無機(jī)械觸點(diǎn)、體積小和使...
2023-02-09 標(biāo)簽:CMOS模擬開關(guān)MOS 1595 0
鑒于電源電路存在一些不穩(wěn)定因素,而設(shè)計(jì)用來防止此類不穩(wěn)定因素影響電路效果的回路稱作保護(hù)電路。在各類電子產(chǎn)品中,保護(hù)電路比比皆是,例如:過流保護(hù)、過壓保護(hù)...
如何從MOS管的驅(qū)動(dòng)波形來判斷驅(qū)動(dòng)好不好,到底是哪里出了問題?本文分享幾種常見的MOS管驅(qū)動(dòng)波形。
2023-02-08 標(biāo)簽:三極管MOS管驅(qū)動(dòng) 5282 0
Mos是電壓驅(qū)動(dòng)型器件,只要柵極和源級(jí)間給一個(gè)適當(dāng)電壓,源級(jí)和漏級(jí)間通路就形成。這個(gè)電流通路的電阻被成為Mos內(nèi)阻,就是導(dǎo)通電阻。
弱反轉(zhuǎn)電流/次閾值電流:MOS的亞閾值區(qū)域是VG工作的區(qū)域≈VT和VDS》0(在nMOS環(huán)境中)。在該區(qū)域,電壓不足以為MOS開始導(dǎo)電構(gòu)建完整的表面通道...
三管MOS DRAM基本單元電路原理 單管MOS動(dòng)態(tài)RAM基本單元電路原理
如果需要讀出數(shù)據(jù),首先需要給T4加上一個(gè)預(yù)充電信號(hào),然后VDD給讀數(shù)據(jù)線充電,代表需要讀出的數(shù)據(jù)是“1”,進(jìn)行讀出時(shí),讀選擇線是高電平。此時(shí),如果原...
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