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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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開(kāi)關(guān)電容的噪聲仿真通常有三種方法:基本的.ac/.noise Spice仿真,周期穩(wěn)態(tài)仿真,瞬態(tài)噪聲。
2023-10-13 標(biāo)簽:電路圖電路設(shè)計(jì)adc 5575 0
弱反轉(zhuǎn)電流/次閾值電流:MOS的亞閾值區(qū)域是VG工作的區(qū)域≈VT和VDS》0(在nMOS環(huán)境中)。在該區(qū)域,電壓不足以為MOS開(kāi)始導(dǎo)電構(gòu)建完整的表面通道...
什么是軟開(kāi)關(guān)?LLC電路是如何實(shí)現(xiàn)軟開(kāi)關(guān)的?
與傳統(tǒng)PWM(脈寬調(diào)節(jié))變換器不同,LLC是一種通過(guò)控制開(kāi)關(guān)頻率(頻率調(diào)節(jié))來(lái)實(shí)現(xiàn)輸出電壓恒定的諧振電路。它的優(yōu)點(diǎn)是:實(shí)現(xiàn)原邊兩個(gè)主MOS開(kāi)關(guān)的零電壓開(kāi)...
為了避免反復(fù)開(kāi)關(guān)負(fù)載引起電源異常,那么一般就要增加快速放電電路。一個(gè)非常簡(jiǎn)單的放電電路就是加一個(gè)對(duì)地開(kāi)關(guān)MOS,當(dāng)需要放電時(shí),就打開(kāi)MOS,不需要放電時(shí)...
低Vth加濕器MOS管解決方案與設(shè)計(jì)電路圖 100V耐壓MOS管 N溝道
惠海半導(dǎo)體中低壓場(chǎng)效率管(MOSFET) MOS管型號(hào):HC160N10LS 絲印:HC510 參數(shù):100V5A(5N10) 內(nèi)阻:145mR(VGS...
2021-01-19 標(biāo)簽:電路圖MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 5342 3
如何從MOS管的驅(qū)動(dòng)波形來(lái)判斷驅(qū)動(dòng)好不好,到底是哪里出了問(wèn)題?本文分享幾種常見(jiàn)的MOS管驅(qū)動(dòng)波形。
2023-02-08 標(biāo)簽:三極管MOS管驅(qū)動(dòng) 5280 0
我們這里當(dāng)然不是說(shuō)規(guī)格書(shū)在挖坑,規(guī)格書(shū)的數(shù)據(jù)都是用儀器一個(gè)個(gè)測(cè)出來(lái)的,是剛正不阿的存在!
2022-10-17 標(biāo)簽:電容數(shù)據(jù)MOS 5226 0
MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件,具有許多重要特性,如高輸入阻抗、低功耗、易于集成等。MOS的開(kāi)啟電壓(Vth)是其工作...
2024-08-01 標(biāo)簽:電子設(shè)備MOS半導(dǎo)體器件 5217 0
由于NMOS和PMOS在原理和生產(chǎn)工藝上存在差異,導(dǎo)致同價(jià)格的NMOS在開(kāi)通速度、額定電流、導(dǎo)通內(nèi)阻這些參數(shù)上均優(yōu)于PMOS,所以設(shè)計(jì)中盡量?jī)?yōu)先選擇NMOS。
2024-04-25 標(biāo)簽:電機(jī)控制導(dǎo)通電阻電源開(kāi)關(guān) 5210 0
一文吃透MOS管的構(gòu)造、特點(diǎn)以及實(shí)用電路
MOS管學(xué)名是場(chǎng)效應(yīng)管,是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管,屬于絕緣柵型。本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)造、特點(diǎn)、實(shí)用電路、靜電防護(hù)等幾個(gè)方面用工程師的話簡(jiǎn)單描述。
2023-01-30 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 5078 0
MOS場(chǎng)效應(yīng)管的基本知識(shí)點(diǎn)詳細(xì)說(shuō)明
半導(dǎo)體三極管中參與導(dǎo)電的有兩種極性的載流子,所以也稱(chēng)為雙極型三極管。本文將介紹另一種三極管,這種三極管只有一種載流子參與導(dǎo)電,所以也稱(chēng)為單極型三極管,因...
目前MOSFET仍是數(shù)字集成電路廣泛使用的器件,根據(jù)MOS管的靜態(tài)模型,以NMOS為例,分析其電流電壓特性。 器件部分涉及到很多半導(dǎo)體物理、器件物理相關(guān)...
基于TPS40090功放升壓電源板電路方案設(shè)計(jì)
在50W以?xún)?nèi)在常溫下可以不用安裝散熱板,用于汽車(chē)時(shí)無(wú)論使用多大功率都一定要安裝散熱板,以免汽車(chē)被暴曬后立即使用使溫度過(guò)高造成安全隱患。
主要是講一下關(guān)于mos管的基礎(chǔ)知識(shí),例如:mos管工作原理、mos管封裝等知識(shí)。
常說(shuō)的與推挽輸出相對(duì)的就是開(kāi)漏輸出(Open Drain Output),對(duì)于開(kāi)漏輸出和推挽輸出的區(qū)別最普遍的說(shuō)法就是開(kāi)漏輸出無(wú)法真正輸出高電平,即高電...
硬件工程師的很多項(xiàng)目是在洞洞板上完成的,但有存在不小心將電源正負(fù)極接反的現(xiàn)象,導(dǎo)致很多電子元器件都燒毀,甚至整塊板子都廢掉,還得再焊接一塊,不知道有什么...
當(dāng)帶電離子、電子或射線通過(guò)MOS結(jié)構(gòu)的硅和二氧化硅絕緣層時(shí),引起原子電離而產(chǎn)生電子—空穴對(duì),在外加電場(chǎng)條件下,電子在1ps(1×10-12s)時(shí)間內(nèi)被電...
2024-02-27 標(biāo)簽:元器件電子系統(tǒng)MOS 4864 0
HT7180 3.7V升12V/2A內(nèi)置MOS大電流升壓IC解決方案
HT7180是一款高功率非同步升壓轉(zhuǎn)換器,集成 22mΩ功率開(kāi)關(guān)管,為便攜式系統(tǒng)提供高效的小尺寸解決方案。
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