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MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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當(dāng) 3.3V 器件輸出高電平信號(hào),由于上拉 5V 作用,信號(hào)輸入器件被上拉為 5V 電平。 當(dāng) 3.3V 器件輸出低電平信號(hào),使 OUTPUT 信...
功率IC是一種重要的電子器件,它具有高效、集成度高、穩(wěn)定性好、靈活性強(qiáng)、適應(yīng)范圍廣等特點(diǎn)。 MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種三端半...
“電路防反接,你真的會(huì)用了嗎?MOS管用作防反接的接法,理解了嗎?”,做過電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)的工程師,都會(huì)在電源部分加入防反接電路,主要目的就是怕電源的GND...
帶電粒子輻射作為主要的空間輻射環(huán)境,是引起航天器故障的重要原因之一。因此,分析空間輻射環(huán)境對(duì)航天器的具體影響,并針對(duì)性開展抗輻射加固設(shè)計(jì),是航天器設(shè)計(jì)的...
電路中經(jīng)常會(huì)通過較大的電流,這就造成了電路中存在很多不確定的因素。為了避免這些因素對(duì)電路或者重要器件的損傷,保護(hù)電路應(yīng)運(yùn)而生。保護(hù)電路在逆變電源這種經(jīng)常...
邏輯門(LogicGates)是集成電路設(shè)計(jì)的基本組件,通過晶體管或MOS管組成的簡單邏輯門,可以對(duì)輸入的電平(高或低)進(jìn)行一些簡單的邏輯運(yùn)算處理,而簡...
大家都知道三極管是電流控制型元件,三極管工作在放大狀態(tài)下存在Ic=βIb的關(guān)系,怎么理解三極管的放大模型呢?這兒我們拋開三極管內(nèi)部空穴和電子的運(yùn)動(dòng),還是...
超結(jié)也稱為超級(jí)結(jié),是英文Super Junction 的直譯,而英飛凌之前將這種技術(shù)稱之為CoolMOS。因而超結(jié)(Super Junction,Coo...
按施敏教授的觀點(diǎn),半導(dǎo)體器件有四個(gè)最基本的結(jié)構(gòu)單元:金半接觸、PN結(jié)、異質(zhì)結(jié)、MOS結(jié)構(gòu)。所有的半導(dǎo)體器件都可以看作是這四種基本結(jié)構(gòu)的組合,比如BJT由...
MOS,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Fi...
使用Microchip MCC + PIC16F161x CIP快速開發(fā)基于單相BLDC電機(jī)的風(fēng)扇
無刷直流(BLDC)電機(jī)是一種正在快速普及的電機(jī)類型,在家用電器、汽車、消費(fèi)品、醫(yī)療、工業(yè)等行業(yè)中有大量應(yīng)用。
2021-01-18 標(biāo)簽:運(yùn)算放大器MOSBLDC電機(jī) 4433 0
首先我們介紹增強(qiáng)型MOS管,也是以NMOS管為例。 為什么要叫增強(qiáng)型,我們下面都會(huì)介紹到。
2023-02-22 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管MOS 4306 0
Source、Drain、Gate —— 場(chǎng)效應(yīng)管的三極:源級(jí)S、漏級(jí)D、柵級(jí)G。(這里不講柵極GOX擊穿了啊,只針對(duì)漏極電壓擊穿)先講測(cè)試條件,都是源...
2021-02-08 標(biāo)簽:二極管場(chǎng)效應(yīng)管MOS 4264 0
放大器設(shè)計(jì):晶體管BJT的工作原理 MOS和BJT晶體管的區(qū)別
對(duì)于BJT晶體管,電流從一個(gè)基極到另一個(gè)發(fā)射極,決定了從集電極到發(fā)射極能流多少電流。 對(duì)于MOSFET晶體管,電壓柵極和源極之間的電流決定了有多少電流...
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