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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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Source、Drain、Gate —— 場(chǎng)效應(yīng)管的三極:源級(jí)S、漏級(jí)D、柵級(jí)G。(這里不講柵極GOX擊穿了啊,只針對(duì)漏極電壓擊穿)先講測(cè)試條件,都是源...
2021-02-08 標(biāo)簽:二極管場(chǎng)效應(yīng)管MOS 4280 0
放大器設(shè)計(jì):晶體管BJT的工作原理 MOS和BJT晶體管的區(qū)別
對(duì)于BJT晶體管,電流從一個(gè)基極到另一個(gè)發(fā)射極,決定了從集電極到發(fā)射極能流多少電流。 對(duì)于MOSFET晶體管,電壓柵極和源極之間的電流決定了有多少電流...
超大規(guī)模集成電路分析_影響MOS晶體管的非理想因素
自20世紀(jì)40年代末至50年代初發(fā)明晶體管以來(lái),它一直是電子器件中最主要的元件,它使現(xiàn)代技術(shù)得到了極大的提高。摩爾定律和Dennard縮放已經(jīng)描述了改進(jìn)...
MOS管學(xué)習(xí)的詳細(xì)資料說(shuō)明
MOS管學(xué)名是場(chǎng)效應(yīng)管,是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管,屬于絕緣柵型。本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)造、特點(diǎn)、實(shí)用電路等幾個(gè)方面用工程師的話簡(jiǎn)單描述。
2021-01-03 標(biāo)簽:半導(dǎo)體MOS驅(qū)動(dòng)電路 4206 0
幾款常見(jiàn)保護(hù)電路設(shè)計(jì)(干貨)
鑒于電源電路存在一些不穩(wěn)定因素,而設(shè)計(jì)用來(lái)防止此類不穩(wěn)定因素影響電路效果的回路稱作保護(hù)電路。在各類電子產(chǎn)品中,保護(hù)電路比比皆是,例如:過(guò)流保護(hù)、過(guò)壓保護(hù)...
寬范圍輸入常規(guī)隔離開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)
針對(duì)開(kāi)關(guān)電源很多人覺(jué)得很難,其實(shí)不然。設(shè)計(jì)一款開(kāi)關(guān)電源并不難,難就難在做精,等你真正入門了,積累一定的經(jīng)驗(yàn),再采用分立的結(jié)構(gòu)進(jìn)行設(shè)計(jì)就簡(jiǎn)單多了。萬(wàn)事開(kāi)頭...
2022-03-12 標(biāo)簽:原理圖開(kāi)關(guān)電源MOS 4199 0
DC-DC的開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴控制方式
引言:由于電源效率變得越來(lái)越重要,會(huì)使用更高的開(kāi)關(guān)速度來(lái)降低損耗(開(kāi)關(guān)損耗的評(píng)估傳送門:DC-DC-22:如何選擇DC-DC的開(kāi)關(guān)頻率-2),現(xiàn)常見(jiàn)的開(kāi)...
最近在調(diào)ICM20602模塊,一個(gè)六軸陀螺儀和加速度計(jì),使用IIC通信協(xié)議,這個(gè)過(guò)程中遇到一個(gè)困擾我很長(zhǎng)時(shí)間的問(wèn)題。
自 20 世紀(jì) 80 年代發(fā)展至今,IGBT 芯片經(jīng)歷了 7 代技術(shù)及工藝的升級(jí),從平面穿通型(PT)到微溝槽場(chǎng)截止型,IGBT 從芯片面積、工藝線寬、...
AIN/AIGaN/GaN MIS異質(zhì)結(jié)構(gòu)C-V分析
C-V測(cè)試是研究絕緣柵HEMT器件性能的重要方法,采用Keithley 4200半導(dǎo)體表征系統(tǒng)的CVU模塊測(cè)量了肖特基柵和絕緣柵異質(zhì)結(jié)構(gòu)的C-V特性。
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種常用的半導(dǎo)體器件,由源(Source)、漏(Drain)和柵(Gate)三個(gè)主要區(qū)域組成。依照其“通道...
1腳就是柵極,這個(gè)柵極就是控制極,在柵極加上電壓和不加上電壓來(lái)控制2腳和3腳的相通與不相通,N溝道的,在柵極加上電壓2腳和3腳就通電了,去掉電壓就關(guān)斷了...
2022-12-02 標(biāo)簽:電路圖場(chǎng)效應(yīng)管MOS 4030 0
就是邏輯為高的時(shí)候,MOS管是關(guān)的,低的時(shí)候它為開(kāi),這個(gè)很容易出問(wèn)題。假設(shè)我這個(gè)板子給軟件工程師來(lái)調(diào)試,一上電會(huì)嚇?biāo)廊说摹?/p>
MOS管是一種電壓型控制器件,具有開(kāi)掛速度快,輸入阻抗高,驅(qū)動(dòng)功率小等一系列優(yōu)點(diǎn)。
泄放電路就是將一部分能量轉(zhuǎn)換成熱或者其它形式能量的電路。單板斷電后,LED燈長(zhǎng)時(shí)間沒(méi)有熄滅,就是對(duì)儲(chǔ)能器件的能量沒(méi)有合理的泄放掉。
2024-01-24 標(biāo)簽:led三極管開(kāi)關(guān)電源 3905 0
SimpleFOC之多路PWM驅(qū)動(dòng),相電流監(jiān)測(cè)1
開(kāi)關(guān)元器件的和嚴(yán)格意義并不是相同的。IGBT,MOS并不是理想開(kāi)關(guān)器件,其開(kāi)通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間不是嚴(yán)格一致的,如果兩端有電壓,將導(dǎo)致直流電源短路,損壞橋臂...
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