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MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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《漲知識啦9-邊緣終端》--- 場板 本周《漲知識啦》給大家?guī)淼氖沁吘壗K端的系列內(nèi)容第二講,上一講我們介紹了正斜角的概念,它可以改善邊緣電場,起到提高...
然而在這里,我們也不得不提及另外一個大的人物,馬丁阿塔拉(Martin M. “John” Atalla)他也被認為是MOS場效應(yīng)晶體管的發(fā)明人之一, ...
2020-04-04 標簽:集成電路MOS場效應(yīng)晶體管 1.6萬 0
一提到對象存儲,大家多半會聯(lián)想到存儲海量文件。但隨著近幾年大數(shù)據(jù)、云計算等應(yīng)用場景的廣泛部署,客戶對業(yè)務(wù)的敏捷性要求越來越高,盡可能地精簡業(yè)務(wù)處理流程、...
2020-03-26 標簽:MOS圖片處理智能存儲系統(tǒng) 827 0
在電子電路中,MOS 管和 IGBT 管會經(jīng)常出現(xiàn),它們都可以作為開關(guān)元件來使用,MOS 管和 IGBT 管在外形及特性參數(shù)也比較相似,那為什么有些電路...
2020-03-20 標簽:場效應(yīng)管IGBTMOS 1.5萬 1
導熱硅膠片它也是用普通的硅膠作為原料的,然后需要通過一道比較特殊的工藝讓導熱硅膠片稱為具有導熱性能非常好的硅膠制品,它的作用主要的用戶在高溫產(chǎn)品中起到熱...
杉巖海量對象存儲(SandStone MOS)V5.4版本發(fā)布,新增/優(yōu)化多項功能
作為一家專注于產(chǎn)品自主研發(fā)的企業(yè)級存儲廠商,杉巖數(shù)據(jù)始終堅持以客戶需求為導向,持續(xù)完善存儲產(chǎn)品及解決方案,通過版本迭代不斷豐富產(chǎn)品特性,不斷提升產(chǎn)品競爭...
MOS管驅(qū)動設(shè)計一般認為MOSFET是電壓驅(qū)動的,不需要驅(qū)動電流。然而,在MOS的G、S兩級之間有結(jié)電容存在,這個電容會讓驅(qū)動MOS變的不那么簡單。 如...
導語:海量小文件的元數(shù)據(jù)管理、存儲性能以及訪問效率等問題是目前學術(shù)界和工業(yè)界公認的難題。杉巖海量對象存儲MOS利用包括小文件聚合功能在內(nèi)的獨特技術(shù),幫助...
2020-03-17 標簽:MOS 963 0
滿足新能源充電標準 長園維安MOS模塊創(chuàng)新封裝
在11月8日的第十三屆(上海)新能源汽車核心電源技術(shù)研討會上,長園維安產(chǎn)品應(yīng)用經(jīng)理郭建軍先生帶來了《超結(jié)SJ-MOSFET 在充電機領(lǐng)域的應(yīng)用》的主題演...
回顧關(guān)于MOS-AK 北京器件模型會議可靠性報告的發(fā)展
FinFET和FDSOI是先進的工藝技術(shù)節(jié)點采用的新的器件創(chuàng)新來繼續(xù)保持摩爾定律。在這些器件結(jié)構(gòu)中,器件自熱效應(yīng)(SHE)和應(yīng)力引起的器件可靠性老化效應(yīng)...
關(guān)于MOS器件的發(fā)展與挑戰(zhàn)分析介紹
隨著MOS器件的特征尺寸不斷縮小到90nm及以下時,短溝道效應(yīng)中的器件亞閾值電流成為妨礙工藝進一步發(fā)展的主要因素,盡管提高溝道摻雜濃度可以在一定程度上抑...
Mos在控制器電路中的工作狀態(tài):開通過程(由截止到導通的過渡過程)、導通狀態(tài)、關(guān)斷過程(由導通到截止的過渡過程)、截止狀態(tài)。
減少導通損耗在變壓器次級線圈后面加飽和電感,加反向恢復(fù)時間快的二極管,利用飽和電感阻礙電流變化的特性,限制電流上升的速率,使電流與電壓的波形盡可能小地重疊。
下面是N型MOS管的一個簡單的引用電路,當G端通入高電平,MOS管D、S間導通,此時MOS管導通,電機的電流得以通過,電機轉(zhuǎn)動。當G端為低電平的時候,D...
【測評報告】Infineon CoolMOS? P7提高電源效率評比
Infineon公司CoolMOS?系列一直是行業(yè)標桿, 從跨時代意義的CoolMOS? C3到升級版的 CoolMOS? C6、 CoolMOS? C...
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