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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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淺談MOS管開通過程的米勒效應(yīng)及應(yīng)對措施
在現(xiàn)在使用的MOS和IGBT等開關(guān)電源應(yīng)用中,所需要面對一個常見的問題 — 米勒效應(yīng),本文將主要介紹MOS管在開通過程中米勒效應(yīng)的成因、表現(xiàn)、危害及應(yīng)對方法。
2023-02-10 標(biāo)簽:開關(guān)電源IGBTMOS 1.2萬 0
比亞迪車載充電機(OBC)選用國產(chǎn)碳化硅擁有更強競爭力
隨著新能源汽車行業(yè)的發(fā)展與進步,提升新能源汽車?yán)m(xù)航里程成為了行業(yè)發(fā)展的主要任務(wù)之一,在動力電池能量密度不能持續(xù)增加的情況下,降低車用部件重量是提升續(xù)航里...
本文對MOS失效原因總結(jié)以下六點,然后對1,2重點進行分析: 1、雪崩失效(電壓失效),也就是漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓,并且超過...
這里介紹的逆變器(見圖1)主要由MOS場效應(yīng)管,普通電源變壓器構(gòu)成。其輸出功率取決于MOS場效應(yīng)管和電源變壓器的功率,免除了煩瑣的變壓器繞制,適合電子愛...
2011-06-03 標(biāo)簽:場效應(yīng)管逆變器MOS 1.0萬 1
關(guān)于MOS器件的發(fā)展與挑戰(zhàn)分析介紹
隨著MOS器件的特征尺寸不斷縮小到90nm及以下時,短溝道效應(yīng)中的器件亞閾值電流成為妨礙工藝進一步發(fā)展的主要因素,盡管提高溝道摻雜濃度可以在一定程度上抑...
網(wǎng)友談?wù)?Coolmos的選擇與優(yōu)勢
電子發(fā)燒友網(wǎng)整理了網(wǎng)友針對Coolmos的選型及優(yōu)勢的一些談?wù)?,方便大家參?/p>
超結(jié)MOS管65R380的特點及應(yīng)用領(lǐng)域
超結(jié)MOS也叫COOlMOS,是在普通MOS基礎(chǔ)上使用新型超結(jié)結(jié)構(gòu)設(shè)計的MOS管。超結(jié)MOS管主要在500V、600V、650V及以上高電壓場合使用。
之前的文章對MOS電容器進行了簡單介紹,因此對MOS晶體管的理解已經(jīng)打下了一定的基礎(chǔ),本文將對深入介紹NMOS晶體管的結(jié)構(gòu)及工作原理,最后再從機理上對漏...
2022年派恩杰完成數(shù)億元融資;僅車規(guī)功率MOS芯片營收過半億
派恩杰在這一年取得了優(yōu)秀的成績!近日,碳化硅功率器件設(shè)計及方案商派恩杰半導(dǎo)體(杭州)有限公司(下稱“派恩杰半導(dǎo)體”)在1月19日正式完成數(shù)億元A輪融資,...
反激CCM模式的開關(guān)電源MOS開關(guān)損耗推導(dǎo)過程
電源工程師們都知道開關(guān)MOS在整個電源系統(tǒng)里面的損耗占比是不小的,開關(guān)mos的的損耗我們談及最多的就是開通損耗和關(guān)斷損耗,由于這兩個損耗不像導(dǎo)通損耗或驅(qū)...
2021-03-24 標(biāo)簽:開關(guān)電源MOS 8.9k 0
減少導(dǎo)通損耗在變壓器次級線圈后面加飽和電感,加反向恢復(fù)時間快的二極管,利用飽和電感阻礙電流變化的特性,限制電流上升的速率,使電流與電壓的波形盡可能小地重疊。
下面是N型MOS管的一個簡單的引用電路,當(dāng)G端通入高電平,MOS管D、S間導(dǎo)通,此時MOS管導(dǎo)通,電機的電流得以通過,電機轉(zhuǎn)動。當(dāng)G端為低電平的時候,D...
Mos在控制器電路中的工作狀態(tài):開通過程(由截止到導(dǎo)通的過渡過程)、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過程(由導(dǎo)通到截止的過渡過程)、截止?fàn)顟B(tài)。
講解MOS管驅(qū)動設(shè)計細(xì)節(jié)
MOS管驅(qū)動設(shè)計一般認(rèn)為MOSFET是電壓驅(qū)動的,不需要驅(qū)動電流。然而,在MOS的G、S兩級之間有結(jié)電容存在,這個電容會讓驅(qū)動MOS變的不那么簡單。 如...
《漲知識啦9-邊緣終端》--- 場板 本周《漲知識啦》給大家?guī)淼氖沁吘壗K端的系列內(nèi)容第二講,上一講我們介紹了正斜角的概念,它可以改善邊緣電場,起到提高...
MOS 是電壓驅(qū)動型器件,只要柵極和源級間給一個適當(dāng)電壓,源級和漏級間通路就形成。這個電流通路的電阻被成為 MOS 內(nèi)阻,就是導(dǎo)通電阻。這個內(nèi)阻大小基本...
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