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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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開關(guān)器件在運(yùn)行過程中存在短路風(fēng)險(xiǎn),配置合適的短路保護(hù)電路,可以有效減少開關(guān)器件在使用過程中因短路而造成的損壞。與硅IGBT相比,碳化硅MOSFET短...
2023-02-12 標(biāo)簽:MOSFETIGBT開關(guān)器件 2790 0
在SiC MOSFET的開發(fā)與應(yīng)用方面,與相同功率等級(jí)的Si MOSFET相比,SiC MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低,適用于更高的工作頻率...
一款用于替代Flyback副邊肖特基二極管的高性能同步整流開關(guān)
同步整流芯片U7710 &U7711就是一款用于替代Flyback副邊肖特基二極管的高性能同步整流開關(guān),內(nèi)置超低導(dǎo)通阻抗功率MOSFET以提升系統(tǒng)效率。
為您的設(shè)計(jì)選擇最佳選項(xiàng):碳化硅MOSFET相對(duì)于IGBT的優(yōu)勢!
GBT(絕緣柵雙極晶體管)和MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)用于許多不同類型的電源應(yīng)用,包括可再生能源、航空航天、汽車和運(yùn)輸、測試和測量以及...
如何利用IT2800源表快速實(shí)現(xiàn)MOSFET器件的I-V特性測試?
MOSFET即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管,是電路設(shè)計(jì)中常用的功率開關(guān)器件,為壓控器件;其特點(diǎn)是用柵極電壓來控制漏極電流,具備驅(qū)動(dòng)電路簡單,驅(qū)動(dòng)功率小,開關(guān)...
2023-02-12 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管功率器件 1193 0
n溝道場效應(yīng)管和p溝道場效應(yīng)管能互換嗎
純半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能很差,但是可以通過加入一些特殊的雜質(zhì)增強(qiáng)其導(dǎo)電能力。N型MOSFET會(huì)引入額外可移動(dòng)的負(fù)電荷(電子),此時(shí)為N型(N溝道)參雜,在N型...
在一般的系統(tǒng)中,電源(包括電池)能否保持穩(wěn)定供電是極其重要的。因此,要花很長的時(shí)間進(jìn)行電源測試時(shí),讓電源連接什么樣的負(fù)載就成了一個(gè)問題。
車規(guī)MOSFET技術(shù)確保功率開關(guān)管的可靠性和強(qiáng)電流處理能力
大電流功率開關(guān)管是一個(gè)串聯(lián)到主電源軌并由邏輯電路控制的低電阻MOSFET晶體管,集成了各種保護(hù)、診斷和檢測功能。在大功率汽車電源系統(tǒng)中,通過背靠背連接的...
車規(guī)MOSFET技術(shù)確保功率開關(guān)管的解決方案
大電流功率開關(guān)管是一個(gè)串聯(lián)到主電源軌并由邏輯電路控制的低電阻MOSFET晶體管,集成了各種保護(hù)、診斷和檢測功能。
2023-02-10 標(biāo)簽:MOSFET功率開關(guān)ecu 1196 0
功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)選型避坑指南
動(dòng)態(tài)特性是功率器件的重要特性,在器件研發(fā)、系統(tǒng)應(yīng)用和學(xué)術(shù)研究等各個(gè)環(huán)節(jié)都扮演著非常重要的角色。故對(duì)功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)進(jìn)行測試是相關(guān)工作的必備一環(huán),主要采用...
2023-02-10 標(biāo)簽:MOSFET測試系統(tǒng)分立器件 698 0
SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體具有擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢,在各種各樣的電源應(yīng)用范圍在迅速地?cái)U(kuò)大。其中一個(gè)...
2023-02-10 標(biāo)簽:MOSFETSiC寬禁帶半導(dǎo)體 1796 0
單片式開關(guān)穩(wěn)壓器—當(dāng)所有一切都集成在芯片上時(shí)
開關(guān)穩(wěn)壓器可以采用單片結(jié)構(gòu),也可以通過控制器構(gòu)建。在單片式開關(guān)穩(wěn)壓器中,各功率開關(guān)(一般是MOSFET)會(huì)集成在單個(gè)硅芯片中。使用控制器構(gòu)建時(shí),除了控制...
2023-02-10 標(biāo)簽:MOSFET控制器開關(guān)穩(wěn)壓器 437 0
降壓轉(zhuǎn)換器的主要功能是把一個(gè)較高的直流輸入電壓轉(zhuǎn)換成較低的直流輸出電壓。為了達(dá)到這個(gè)要求,MOSFET 以固定頻率(fS),在脈寬調(diào)制信號(hào)(PWM)的控...
2023-02-10 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源降壓轉(zhuǎn)換器 1272 0
耗電應(yīng)用要求提高系統(tǒng)效率,以滿足消費(fèi)者和監(jiān)管部門對(duì)更清潔空氣和減少碳足跡的要求。這推動(dòng)了對(duì)理想的“無損耗”電源開關(guān)的需求,在大多數(shù)現(xiàn)代電子系統(tǒng)中,這種開...
搭載了SiC-MOSFET/SiC-SBD的全SiC功率模塊介紹
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比,“全SiC...
通過雙脈沖測試評(píng)估MOSFET的反向恢復(fù)特性
本文我們將根據(jù)使用了幾種MOSFET的雙脈沖測試結(jié)果,來探討MOSFET的反向恢復(fù)特性。該評(píng)估中的試驗(yàn)電路將使用上一篇文章中給出的基本電路圖。另外,相應(yīng)...
空調(diào)用電流連續(xù)模式PFC電路:利用MOSFET和二極管提高效率的案例
上一篇文章中介紹了在LED照明電路中提升效率并降低噪聲的案例,本文將介紹在空調(diào)中的案例。近年來,隨著表示全年能效比的APF(Annual Perform...
LED照明電路(臨界模式PFC+DC/DC):利用MOSFET提升效率并降低噪聲的案例
從本文開始將介紹在具體應(yīng)用中效率等的改善案例。LED照明電路(臨界模式PFC+DC/DC):利用MOSFET提升效率并降低噪聲的案例,下面的電路摘自實(shí)際...
2023-02-10 標(biāo)簽:led轉(zhuǎn)換器MOSFET 2267 0
內(nèi)置MOSFET的同步整流式降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器IC BD9V100MUF-C介紹
ROHM開發(fā)出以2MHz開關(guān)頻率實(shí)現(xiàn)業(yè)界最高降壓比的DC/DC轉(zhuǎn)換器IC“BD9V100MUF-C”,并已于2017年6月開始出售樣品,于2017年12...
2023-02-10 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETIC 775 0
實(shí)際工作中的晶體管適用性確認(rèn)-確認(rèn)在實(shí)際使用溫度降額后的SOA范圍內(nèi)
在本章中將介紹判斷所選的晶體管在實(shí)際工作中是否適用的方法和步驟。 本篇將介紹右側(cè)流程圖的④確認(rèn)在使用環(huán)境溫度下降額的SOA范圍內(nèi)。
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