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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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對(duì)緊湊但功能強(qiáng)大的電機(jī)的需求為設(shè)計(jì)工程師帶來了新的挑戰(zhàn)。為了盡可能提高小型電機(jī)的功率輸出,工程師們開始轉(zhuǎn)向高壓和高頻工作。硅 (Si) 金屬氧化物半導(dǎo)體...
碳化硅功率器件主要應(yīng)用于新能源車的電驅(qū)電控系統(tǒng),相較于傳統(tǒng)硅基 功率半導(dǎo)體器件,碳化硅功率器件在耐壓等級(jí)、開關(guān)損耗和耐高溫性方面具備許多明顯的優(yōu)勢(shì),有助...
低邊開關(guān)導(dǎo)通時(shí)的Gate-Source間電壓的動(dòng)作
當(dāng)SiC MOSFET的LS導(dǎo)通時(shí),首先ID會(huì)變化(下述波形示意圖T1)。此時(shí)LS的ID沿增加方向、HS的ID沿減少方向流動(dòng),受下述等效電路圖中所示的事...
2023-02-28 標(biāo)簽:MOSFETSiC電動(dòng)勢(shì) 767 0
GaN和SiC在工業(yè)電子領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)
提高工業(yè)能源效率是制造業(yè)關(guān)鍵趨勢(shì),聚焦于優(yōu)化電力電子設(shè)備。MOSFET作為主流電子元件,雖控制高效但壽命短、對(duì)過載敏感。新材料如氮化鎵與碳化硅的出現(xiàn),通...
轉(zhuǎn)換器外圍器件的爭(zhēng)取選擇和布局方案分析
去數(shù)十年來,電子產(chǎn)品的發(fā)展可謂一日千里。以個(gè)人通信設(shè)備為例,由最初的奢侈品到現(xiàn)在的廣泛普及,電子產(chǎn)品無論從重量、體積還是效率,都有了翻天覆地的變化。但是...
2020-08-07 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器mosfet封裝 765 0
MOSFET全稱金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。
2023-08-24 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管體二極管 765 0
利用表面貼裝功率器件提高大功率電動(dòng)汽車電池的充電能力
終端用戶希望新的電動(dòng)汽車設(shè)計(jì)能夠最大限度地減少車輛的空閑時(shí)間,尤其是在長(zhǎng)途駕駛中。
2023-10-17 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET充電器 765 0
先進(jìn)碳化硅技術(shù),助力簡(jiǎn)化半導(dǎo)體設(shè)備設(shè)計(jì)
通過利用單一封裝形式和功率拓?fù)洌珹TDI 的電源簡(jiǎn)化了其客戶的設(shè)計(jì)和鑒定過程,從而更輕松地將電源集成到工藝和測(cè)試設(shè)備。這還減少了制造/組裝終端客戶的負(fù)擔(dān)...
SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極源極間電壓的動(dòng)作-SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)
在探討“SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中Gate-Source電壓的動(dòng)作”時(shí),本文先對(duì)SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進(jìn)行介紹,這也是這個(gè)主題的前提。
我的首選顯示器是 LTC4365,如下所示,因?yàn)樗鼭M足了我上面列出的許多所需特性,并且價(jià)格合理,每 1K 件略高于 1 美元。另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是,它可以關(guān)斷一...
超結(jié)功率MOSFET在高電壓開關(guān)應(yīng)用中占據(jù)主導(dǎo)地位,適用于需要高效能和緊湊設(shè)計(jì)的場(chǎng)合。超結(jié)結(jié)構(gòu)能夠在保持高電壓的同時(shí)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻,突破了傳統(tǒng)硅極限?,...
2025-01-03 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源電源芯片 763 0
全芯時(shí)代單通道低側(cè)GaN驅(qū)動(dòng)器
該芯片是一款單通道低側(cè)GaN FET和邏輯電平MOSFET驅(qū)動(dòng)器,可應(yīng)用于LiDAR、飛行時(shí)間、面部識(shí)別和低側(cè)驅(qū)動(dòng)的功率轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。
2023-06-30 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器GaN 763 0
負(fù)載電容對(duì)電源轉(zhuǎn)換器啟動(dòng)過程的影響
理想的電源轉(zhuǎn)換器需要無論負(fù)載如何變化都保持輸出電壓穩(wěn)定。在實(shí)際應(yīng)用中,負(fù)載瞬態(tài)期間選擇不合適的輸出電容會(huì)導(dǎo)致過高的紋波電壓和浪涌電流,從而影響電源轉(zhuǎn)換器...
2024-10-28 標(biāo)簽:電容器MOSFET電源轉(zhuǎn)換器 763 0
只是由于SiC MOSFET的跨導(dǎo)比Si MOSFET的跨導(dǎo)小一個(gè)數(shù)量級(jí)以上,因此不會(huì)立即流過過大的直通電流。所以即使流過了直通電流,也具有足夠的冷卻能...
安森美解讀區(qū)域控制架構(gòu)的市場(chǎng)趨勢(shì)
區(qū)域控制架構(gòu)的出現(xiàn)是為了應(yīng)對(duì)汽車行業(yè)的快速變化,尤其是電動(dòng)汽車的興起。低壓配電和車載網(wǎng)絡(luò)已取得重大進(jìn)步;分布式區(qū)域配電則簡(jiǎn)化了線束結(jié)構(gòu),使重量得以減輕,...
反激式轉(zhuǎn)換器源自反向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器,使用耦合電感器或反激式變壓器(其匝數(shù)比乘以輸入電壓)替代了電感器。圖1為反激式轉(zhuǎn)換器的基本電路圖。當(dāng)MOSFET開...
2023-04-11 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET變壓器 758 0
線性穩(wěn)壓器采用受高增益差分放大器控制的有源(BJT或MOSFET)通流器件(串聯(lián)或并聯(lián))。它將輸出電壓與精密基準(zhǔn)電壓源相比較,并對(duì)通流器件進(jìn)行調(diào)整以維持...
2023-03-16 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)穩(wěn)壓器差分放大器 758 0
SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-什么是柵極-源極電壓產(chǎn)生的浪涌?
MOSFET和IGBT等功率半導(dǎo)體作為開關(guān)元件已被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電力線路中。
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