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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
在 MOSFET 的柵極和源極之間添加一個(gè)外部齊納二極管,可以有效防止發(fā)生靜電放電和柵極尖峰電壓。但要注意,齊納二極管的電容可能有輕微的不良影響。
2023-03-15 標(biāo)簽:二極管MOSFET電路設(shè)計(jì) 753 0
固態(tài)繼電器的現(xiàn)代設(shè)計(jì)思維
晶閘管與功率MOSFET通??刂平涣髫?fù)荷。晶閘管是一個(gè)閉鎖裝置,在柵極接收到電流脈沖時(shí)開始導(dǎo)電并將持續(xù)導(dǎo)電,直到電流降為零。晶閘管系列包括SCR和TRI...
通過利用單一外形尺寸和電源拓?fù)?,ATDI的電源簡化了將電源集成到過程和測試設(shè)備中的客戶的設(shè)計(jì)和認(rèn)證過程。這也減輕了晶圓廠/裝配終端客戶的負(fù)擔(dān),因?yàn)榧词顾?..
TPS54620 4.5V至17V、6A同步SWIFT?降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊
TPS54620 采用熱增強(qiáng)型 3.50mm × 3.50mm QFN 封裝,是一款功能齊全的 17V 6A 同步降壓轉(zhuǎn)換器;該器件具有高效率且集成了...
2025-03-04 標(biāo)簽:MOSFET降壓轉(zhuǎn)換器TPS54620 751 0
主要的障礙在于n型和p型器件之間需要很大的空間余量,這使得有效納米片寬度在按比例的單元高度中變得困難,空間被功函數(shù)金屬的圖形化步驟所消耗。
65W副邊外驅(qū)MOS充電器芯片U2281是一個(gè)高度集成的PWM控制集成電路的反轉(zhuǎn)換器,專門為需六級能效的開關(guān)電源而設(shè)計(jì)的。
2023-07-12 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源MOS管 746 0
雙相高效移動(dòng)CPU電源將尺寸和熱應(yīng)力降至最低
筆記本電腦對計(jì)算能力的需求不斷增加,顯著增加了CPU時(shí)鐘頻率和電源電流。即將推出的移動(dòng)CPU需要高達(dá)25A的核心電流來處理復(fù)雜的計(jì)算任務(wù)。傳統(tǒng)的單相解決...
2023-06-26 標(biāo)簽:電源MOSFET驅(qū)動(dòng)器 745 0
GaN IC設(shè)計(jì)系統(tǒng)級優(yōu)勢分析
數(shù)字 GaN 是使用 GaN IC 實(shí)現(xiàn)卓越性能的一個(gè)很有前途的選擇。這是一種顛覆性的數(shù)字控制方法。模擬信號塊不再“轉(zhuǎn)換”為數(shù)字信號塊。
同步整流芯片在PD快充領(lǐng)域的應(yīng)用主要體現(xiàn)在提升效率、降低損耗以及適配小型化設(shè)計(jì)等方面。深圳銀聯(lián)寶科技同步整流芯片U7610B采用低導(dǎo)阻MOSFET替代傳...
通過三相逆變電路比較PrestoMOS?與普通SJ MOSFET的效率(仿真)
繼上一篇中通過雙脈沖測試進(jìn)行損耗比較的內(nèi)容之后,本文中我們將對本系列文章的評估對象——三相調(diào)制逆變電路中的效率進(jìn)行比較。MOSFET與雙脈沖測試中使用的...
通過電機(jī)驅(qū)動(dòng)器輸出晶體管的寄生二極管進(jìn)行電流再生時(shí)的功耗
本文將談一談使用有刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC進(jìn)行PWM驅(qū)動(dòng)時(shí),通過輸出MOSFET的寄生二極管進(jìn)行電流再生時(shí)的功耗。之所以討論這個(gè)話題,是因?yàn)樵偕鷷r(shí)的實(shí)際功耗...
2023-03-13 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器電機(jī) 737 0
蘋果在2020年的秋季新聞發(fā)布上,突然宣布取消附贈(zèng)標(biāo)準(zhǔn)5V/1A手機(jī)適配器,這一變化催生了零部件市場大功率適配器需求的再次繁榮。
2023-10-13 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源驅(qū)動(dòng)電路 737 0
SiC模塊解決儲(chǔ)能變流器PCS中SiC MOSFET雙極性退化失效痛點(diǎn)
碳化硅(SiC) MOSFET的雙極性退化(Bipolar Degradation)是其在實(shí)際應(yīng)用中面臨的重要可靠性問題,尤其在儲(chǔ)能變流器(PCS)等高...
MOSFET的熱阻(Rth)用來表征器件散熱的能力,即芯片在工作時(shí)內(nèi)部結(jié)產(chǎn)生的熱量沿著表面金屬及塑封料等材料向散熱器或者環(huán)境傳遞過程中所遇到的阻力,單位...
LM74610-Q1 0.48V 至 42V、零 IQ 汽車?yán)硐攵O管控制器數(shù)據(jù)手冊
LM74610-Q1 是一款控制器器件,可與 N 溝道 MOSFET 配合使用。 反極性保護(hù)電路。它旨在驅(qū)動(dòng)外部 MOSFET 以模擬 與電源串聯(lián)時(shí)的理...
AiP44531/AiP44532通用單通道低邊柵驅(qū)動(dòng)器參數(shù)
AiP44531/AiP44532是一款通用單通道低邊柵驅(qū)動(dòng)器,可以替代由分立元件組成的推挽電路,直接驅(qū)動(dòng)IGBT,功率MOSFET,繼電器等功率開關(guān)。...
2024-12-23 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器電源管理 733 0
當(dāng)今電源 IC的高度發(fā)展要求性能卓越的功率電感。構(gòu)建通用封裝的標(biāo)準(zhǔn)電源將有助于減少設(shè)計(jì)時(shí)間和生產(chǎn)成本。 而要在 PCB 空間以及散熱和成本效率方面實(shí)現(xiàn)最...
如何在反激式轉(zhuǎn)換器中緩沖FET關(guān)斷電壓
上一期,我們介紹了如何在正向轉(zhuǎn)換器導(dǎo)通時(shí)緩沖輸出整流器的電壓?,F(xiàn)在,我們看一下如何在反激式轉(zhuǎn)換器中緩沖 FET 關(guān)斷電壓。
2024-11-04 標(biāo)簽:變壓器轉(zhuǎn)換器MOSFET 729 0
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