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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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功率半導(dǎo)體是電能轉(zhuǎn)換的載體,22 年全球功率器件市場(chǎng)約為281億美元,2022- 25年CAGR 8.2%。功率半導(dǎo)體是功率器件與電源管理IC的集合...
高級(jí)負(fù)載診斷功能助力縮短24 VDC配電的工廠停機(jī)時(shí)間
在工業(yè) 4.0 時(shí)代,診斷數(shù)據(jù)量逐年遞增,使系統(tǒng)變得更智能,能夠保持更長(zhǎng)的在線時(shí)間,并最終提高生產(chǎn)力。在可編程邏輯控制器 (PLC) 系統(tǒng)、機(jī)器人和機(jī)床...
功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)選型避坑指南
動(dòng)態(tài)特性是功率器件的重要特性,在器件研發(fā)、系統(tǒng)應(yīng)用和學(xué)術(shù)研究等各個(gè)環(huán)節(jié)都扮演著非常重要的角色。故對(duì)功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)進(jìn)行測(cè)試是相關(guān)工作的必備一環(huán),主要采用...
2023-02-10 標(biāo)簽:MOSFET測(cè)試系統(tǒng)分立器件 698 0
IGBT柵極驅(qū)動(dòng)關(guān)鍵注意事項(xiàng)
為了快速導(dǎo)通和關(guān)斷 BJT,必須在每個(gè)方向上硬驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O電流,以將載流子移入和移出基極區(qū)。當(dāng) MOSFET 的柵極被驅(qū)動(dòng)為高電平時(shí),會(huì)存在一個(gè)從雙極型晶體...
使用36 V鋰離子電池供電的工具和室外電力設(shè)備變得日益常見(jiàn)。這類電池具有良好的功率和電池壽命搭配,同時(shí)相對(duì)輕便,易于使用。但由于能量密度比較高,因此它們...
快速恢復(fù)二極管CMF02A應(yīng)對(duì)車載電源設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
CMF02A是一款具有高速開關(guān)用途的FRD二極管,與典型二極管相比,F(xiàn)RD具有更短的反向恢復(fù)時(shí)間(trr),因此具有更快的開關(guān)時(shí)間和更低的損耗。當(dāng)然,C...
了解有關(guān)齊納二極管的基礎(chǔ)知識(shí)
電壓不超過(guò)5 V時(shí),在反向偏置結(jié)的耗盡區(qū),電子從價(jià)帶進(jìn)入導(dǎo)電帶形成電子貫穿,從而產(chǎn)生電擊穿。一旦電場(chǎng)強(qiáng)度足夠高,自由電荷載流子就會(huì)導(dǎo)致反向電流陡然增加。...
利用智能電源器件開關(guān)突破簡(jiǎn)單解決方案的局限性
作者: Bill Schweber “簡(jiǎn)單易行”是眾所周知的設(shè)計(jì)準(zhǔn)則和良好的工程實(shí)踐。畢竟,添加的組件越多,出錯(cuò)或出現(xiàn)意外的可能性就越大。此外,還會(huì)對(duì)材...
2024-10-02 標(biāo)簽:MOSFET電源開關(guān)電源器件 691 0
溝道有效遷移率(μeff)是CMOS器件性能的關(guān)鍵參數(shù)。傳統(tǒng)測(cè)量方法在高k介質(zhì)、漏電介質(zhì)與高速應(yīng)用中易出現(xiàn)誤差。本文介紹了UFSP(Ultra-Fast...
ROHM開發(fā)具有業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的Nch MOSFET
新產(chǎn)品不僅利用微細(xì)化工藝提高了器件性能,還通過(guò)采用低阻值銅夾片連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝,實(shí)現(xiàn)了僅2.1mΩ的業(yè)界超低導(dǎo)通電阻(Ron)*2,...
2023-05-10 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)驅(qū)動(dòng)低導(dǎo)通電阻 689 0
如何提高汽車動(dòng)力總成中電磁閥和致動(dòng)器應(yīng)用的可靠性
所有拓?fù)涠际褂谩胺逯岛捅3帧备拍?,即首先使用較高(峰值)電流來(lái)激活機(jī)械電磁閥,然后降低電流(保持)以保持機(jī)械運(yùn)動(dòng)。第一個(gè)選項(xiàng)是升壓拓?fù)洌瑢㈦姵仉妷荷?...
隨著新能源汽車、5G、AI等新型應(yīng)用領(lǐng)域爆發(fā),MOS管在電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景需求也隨之激增,國(guó)產(chǎn)替代加速,對(duì)MOS管的工藝和性能提出了更高的要求。作為重要的分...
技術(shù)資料#UCC5304 5kVrms,4A/6A單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器,帶5V UVLO,適用于GaNFETs和MOSFETs
UCC5304器件是一款隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流。它旨在驅(qū)動(dòng) PFC、隔離式 AC/DC、DC/DC 和同步整...
2025-02-25 標(biāo)簽:MOSFET光耦合器柵極驅(qū)動(dòng)器 688 0
介紹了功率半導(dǎo)體器件的原理、結(jié)構(gòu)、特性和可靠性技術(shù),器件部分涵蓋了當(dāng)前電力電子技術(shù)中使用的各種類型功率半導(dǎo)體器件,包括二極管、晶閘管、MOSFET、IG...
SiC MOSFET柵-源電壓測(cè)量:探頭頭部的安裝位置
關(guān)鍵要點(diǎn)?除了測(cè)量位置之外,探頭的安裝位置也很重要。?如果不慎將電壓探頭安裝在磁通量急劇變化的空間內(nèi),就會(huì)受到磁通量變化的影響,而體現(xiàn)在觀測(cè)波形上。
MOSFET在消費(fèi)類電子產(chǎn)品的應(yīng)用
PC電源是一個(gè)無(wú)工頻變壓器的四路開關(guān)穩(wěn)壓電源,其中涉及整流、高頻變化和脈寬調(diào)制技術(shù);其具有體積小、效率高和過(guò)流過(guò)壓保護(hù)的特點(diǎn)。
SK Powertech 碳化硅MOSFET技術(shù)介紹與應(yīng)用潛力
碳化硅(SiC)器件在工業(yè)和汽車應(yīng)用中得到廣泛認(rèn)可,例如電動(dòng)汽車(EV)牽引逆變器和車載充電器、快速電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、光伏、儲(chǔ)能、固態(tài)變...
2024-07-15 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET碳化硅 685 0
功率MOSFET有兩種類型:N溝道和P溝道,在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過(guò)程中選擇N管還是P管,要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來(lái)選擇,N溝道MOSFET選擇的型號(hào)多,成本低;P溝...
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