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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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用碳化硅MOSFET設(shè)計一個雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器
電池供電的便攜設(shè)備越來越多,在今日生活中扮演的角色也越來越重要。這個趨勢還取決于高能量儲存技術(shù)的發(fā)展,例如鋰離子(Li-ion)電池和超級電容器。
2021-07-04 標(biāo)簽:電容器MOSFET升壓轉(zhuǎn)換器 2741 0
邊緣周圍的接觸墊有助于檢查并實現(xiàn)輕松布線,甚至允許使用兩層基板,包括基板。特殊的接地平面布局意味著模塊在回流期間可以有效地“浮動”到位
在該電路中,MN1 連接在充電器/負(fù)載和電池端子之間連接的低側(cè)。
IGBT是—種場控器件,它的開通和關(guān)斷由柵極和發(fā)射極間電壓UGE決定,當(dāng)柵射電壓UCE為正且大于開啟電壓UCE(th)時,MOSFET內(nèi)形成溝道并為PN...
功率MOSFET及其雪崩擊穿額定值背后的理論和設(shè)計過程中的局限性
一些功率半導(dǎo)體器件設(shè)計為在有限時間內(nèi)承受一定量的雪崩電流,因此可以達(dá)到雪崩額定值。其他人會在雪崩開始后很快失敗。性能差異源于特定的設(shè)備物理、設(shè)計和制造。
2021-06-23 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體器件寄生元件 2982 0
ACPL-P349/W349評估板特性 IGBT或SiC/GaN MOSFET柵極驅(qū)動器配置分析
本手冊概述了 ACPL-P349/W349 評估板的特性以及評估隔離式 IGBT 或 SiC/GaN MOSFET 柵極驅(qū)動器所需的配置。需要目視檢查以...
本文將繼上一篇文章之后,繼續(xù)介紹有刷電機(jī)驅(qū)動器的功耗計算方法。在上一篇中,介紹了有刷電機(jī)驅(qū)動器的典型驅(qū)動方法——恒壓驅(qū)動,本文將介紹有刷電機(jī)驅(qū)動器的另一...
MOSFET和IGBT等功率半導(dǎo)體作為開關(guān)元件已被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電力線路中。其中,SiC MOSFET在近年來的應(yīng)用速度與日俱增,它的工作速度...
SiCmosfet三相全橋逆變電路中,同一橋臂上下功率器件容易受器件寄生參數(shù)的影響而互相產(chǎn)生干擾,該現(xiàn)象稱為橋臂串?dāng)_。這種現(xiàn)象容易造成橋臂直通或者燒毀功...
常見的MOSFET驅(qū)動方式,驅(qū)動電路的參數(shù)計算
在簡單的了解MOS管的基本原理以及相關(guān)參數(shù)后,如何在實際的電路中運(yùn)用是我們努力的方向。比如在實際的MOS驅(qū)動電路設(shè)計中,如何去根據(jù)需求搭建電路,計算參數(shù)...
分立MOSFET數(shù)據(jù)手冊中最突出的規(guī)格之一是漏極 - 源極導(dǎo)通電阻,縮寫為R DS (on)。這個R DS (on)的想法看起來非常簡單:當(dāng)FET截止時...
充電器市場高穩(wěn)定方案 思睿達(dá)TT5259+TT3017L_12V2A SMPS工程樣機(jī)測試
1、樣機(jī)介紹 ? 該測試報告是基于一個能適用于寬輸入電壓范圍,輸出功率24W,恒壓輸出的工程樣機(jī),控制IC采用了思睿達(dá)微電子的TT5259、TT3017...
功率MOSFET的輸出電容Coss會隨著外加電壓VDS的變化而變化,表現(xiàn)出非線性的特性,超結(jié)結(jié)構(gòu)的高壓功率MOSFET采用橫向電場的電荷平衡技術(shù),如圖1...
作為有刷電機(jī)驅(qū)動方法的最后一篇文章,本文將介紹通過有刷電機(jī)“單開關(guān)電路”和“半橋電路”進(jìn)行驅(qū)動的方法。兩種方法均適用直流驅(qū)動和PWM驅(qū)動。
思睿達(dá)CR6267SK與X1135N有區(qū)別?測試報告新鮮出爐
上一篇報告我們將思睿達(dá)主推的CR6248和XX33AP進(jìn)行了對比,得出的結(jié)論是思睿達(dá)主推的CR6248會比XX33AP的效率高,功耗小。本篇文章,我們將...
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)主要用于開關(guān)應(yīng)用中,具有高電壓和高電流的特點。它們具有更高的效率和更優(yōu)良的高速開關(guān)能力,因此成為電源設(shè)計中的...
用碳化硅MOSFET設(shè)計雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器
電池供電的便攜式設(shè)備越來越多,在如今的生活中扮演的角色也愈發(fā)重要。這個趨勢還取決于高能量存儲技術(shù)的發(fā)展,例如鋰離子(Li-ion)電池和超級電容器。這些...
2021-04-14 標(biāo)簽:MOSFET升壓轉(zhuǎn)換器碳化硅 1476 0
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