對(duì)于MOSFET，歐姆電阻不僅僅只考慮溝道電阻，對(duì)于阻斷電壓在50V以上的器件中低摻雜中間區(qū)域的電阻起到?jīng)Q定作用。

Mosfet中電流通路和電阻

分析內(nèi)阻的功率VD-MOSFET結(jié)構(gòu)電流圖

RON= RCS +RN++RCH+RA+RJFET+RD+RSUB+RCD

1）源接觸電阻RCS：N+源區(qū)與源電極（S）之間的接觸電阻；

ρC：元胞結(jié)構(gòu)內(nèi)每個(gè)N+源區(qū)的接觸電阻；

WC：接觸口窗口寬度；

WS：N+源區(qū)離子注入窗口寬度；

Z：圖中橫截面垂直方向的元胞長度；

通常采用低勢(shì)壘的金屬接觸，比如鈦或者鈦硅化物來降低特征接觸電阻。

2）源區(qū)電阻RN+：電流從接觸孔進(jìn)入N+源區(qū)到達(dá)溝道之前必須沿源區(qū)流過；

3）溝道電阻RCH：

4）積累電阻RA：

5）JFET電阻RJFET：

6）漂移區(qū)電阻RD：

7）N+襯底電阻RSUB：

8）漏接觸電阻RCD：

通常采用低勢(shì)壘的金屬接觸，鈦?zhàn)鳛榻佑|層，鎳作為阻擋層，銀層作為焊料層。

VD-MOSFET總導(dǎo)通電阻統(tǒng)計(jì)：

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