chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

搜索歷史

清空
搜索熱詞
      0
      • 聊天消息
      • 系統(tǒng)消息
      • 評(píng)論與回復(fù)
      VIP于 到期 續(xù)費(fèi)
      登錄后你可以
      • 下載海量資料
      • 學(xué)習(xí)在線課程
      • 觀看技術(shù)視頻
      • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
      會(huì)員中心
      創(chuàng)作中心
      發(fā)布
      創(chuàng)作活動(dòng)

      完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你，還能領(lǐng)取20積分哦，立即完善>

      3天內(nèi)不再提示

      怎么解決SiC MOSFET的橋臂串?dāng)_？

      h1654155282.3538 ? 來(lái)源：新能源汽車(chē)動(dòng)力系統(tǒng)技術(shù) ? 作者：新能源汽車(chē)動(dòng)力系 ? 2021-05-15 15:00 ? 次閱讀
      加入交流群
      微信小助手二維碼

      掃碼添加小助手

      加入工程師交流群

      SiCmosfet三相全橋逆變電路中，同一橋臂上下功率器件容易受器件寄生參數(shù)的影響而互相產(chǎn)生干擾，該現(xiàn)象稱(chēng)為橋臂串?dāng)_。這種現(xiàn)象容易造成橋臂直通或者燒毀功率器件。SiCMOSFET與SiIGBT相比，SiCMOSFET的柵極電壓極限值和柵極閾值電壓都相對(duì)較低，橋臂串?dāng)_問(wèn)題更加突出。在考慮SiCMOSFET寄生參數(shù)的影響下。

      o4YBAGCfccqAfWALAACzfeUGtew835.png

      pIYBAGCfcdCAWhODAAErFvOhd2I332.png

      1）開(kāi)通過(guò)程

      pIYBAGCfcdiAABFfAAFZE7iZalk708.png

      2）關(guān)斷過(guò)程

      o4YBAGCfceGANOhdAAGKsdDyTX8110.png

      串?dāng)_電壓分析：

      pIYBAGCfceiAGlaaAAFNieaOPTI167.png

      抑制方法：

      1）AMC;

      2）驅(qū)動(dòng)電源穩(wěn)負(fù)壓；

      3）門(mén)極TVS、二極管鉗位；
      責(zé)任編輯人：CC

      聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
      • MOSFET
        +關(guān)注

        關(guān)注

        150

        文章

        9344

        瀏覽量

        229272
      • asic
        +關(guān)注

        關(guān)注

        34

        文章

        1269

        瀏覽量

        124009
      • 串?dāng)_
        +關(guān)注

        關(guān)注

        4

        文章

        193

        瀏覽量

        27752
      收藏 人收藏
      加入交流群
      微信小助手二維碼

      掃碼添加小助手

      加入工程師交流群

        評(píng)論

        相關(guān)推薦
        熱點(diǎn)推薦

        什么是串擾？如何減少串擾？

        01 . 什么是串擾？ ? 串擾 是 PCB 的走線之間產(chǎn)生的不需要的噪聲 （電磁耦合）。 串擾
        的頭像 發(fā)表于 05-23 09:25 ?8476次閱讀
        什么是<b class='flag-5'>串</b><b class='flag-5'>擾</b>？如何減少<b class='flag-5'>串</b><b class='flag-5'>擾</b>？

        SiC MOSFET模塊串擾問(wèn)題及應(yīng)用對(duì)策

        針對(duì)SiC MOSFET模塊應(yīng)用過(guò)程中出現(xiàn)的串擾問(wèn)題，文章首先對(duì)3種測(cè)量差分探頭的參數(shù)和測(cè) 量波形進(jìn)行對(duì)比，有效減小測(cè)量誤差；然后詳細(xì)分析串
        發(fā)表于 06-05 10:14 ?8194次閱讀
        <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>模塊<b class='flag-5'>串</b><b class='flag-5'>擾</b>問(wèn)題及應(yīng)用對(duì)策

        SiC MOSFET模塊串擾應(yīng)用對(duì)策

        SiC MOSFET模塊目前廣泛運(yùn)用于新能源汽車(chē)逆變器、車(chē)載充電、光伏、風(fēng)電、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域[2-9] ，展示了新技術(shù)的優(yōu)良特性。
        發(fā)表于 02-19 16:29 ?2419次閱讀
        <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>模塊<b class='flag-5'>串</b><b class='flag-5'>擾</b>應(yīng)用對(duì)策

        SiC MOSFET 開(kāi)關(guān)模塊RC緩沖吸收電路的參數(shù)優(yōu)化設(shè)計(jì)

        ，基于 Si-IGBT 設(shè)計(jì)的緩沖吸收電路參數(shù)并不適用于 SiC-MOSFET 的應(yīng)用場(chǎng)合。為了使本研究不失一般性，本文從基于半橋結(jié)構(gòu)的 SiC-MOSFET 電路出發(fā)，推導(dǎo)出關(guān)斷尖峰電壓和系統(tǒng)寄生參數(shù)以及緩沖
        發(fā)表于 04-23 11:25

        SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例

        作的。全橋式逆變器部分使用了3種晶體管（Si IGBT、第二代SiC-MOSFET、上一章介紹的第三代溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET），組成相同尺寸的移相DCDC轉(zhuǎn)換器，就是用來(lái)比較各產(chǎn)品效率的演示機(jī)
        發(fā)表于 11-27 16:38

        SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區(qū)別

        從本文開(kāi)始，將逐一進(jìn)行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過(guò)SiC-MOSFET的人，與其詳細(xì)研究每個(gè)參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動(dòng)方法等
        發(fā)表于 11-30 11:34

        搭載SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊

        1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開(kāi)始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
        發(fā)表于 03-12 03:43

        【羅姆SiC-MOSFET 試用體驗(yàn)連載】SiC開(kāi)發(fā)板主要電路分析以及SiC Mosfet開(kāi)關(guān)速率測(cè)試

        SiC Mosfet管組成上下橋臂電路，整個(gè)評(píng)估板提供了一個(gè)半橋電路，可以支持Buck，Boost和半橋開(kāi)關(guān)電路的拓?fù)洹?/div>
        發(fā)表于 06-07 15:46

        碳化硅MOSFET橋臂電路串擾抑制方法

        碳化硅MOSFET橋臂電路串擾抑制方法_鐘志遠(yuǎn)
        發(fā)表于 01-04 16:32 ?18次下載

        淺談串擾溯源，串擾是怎么產(chǎn)生的

        文章——串擾溯源。 提到串擾，防不勝防，令人煩惱。不考慮串擾，仿真波形似乎一切正常，考慮了
        的頭像 發(fā)表于 03-29 10:26 ?4048次閱讀

        SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極源極間電壓的動(dòng)作-SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)

        在探討“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中Gate-Source電壓的動(dòng)作”時(shí)，本文先對(duì)SiC MOSFET的
        發(fā)表于 02-08 13:43 ?931次閱讀
        <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>：<b class='flag-5'>橋</b>式結(jié)構(gòu)中柵極源極間電壓的動(dòng)作-<b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>的<b class='flag-5'>橋</b>式結(jié)構(gòu)

        SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)及柵極驅(qū)動(dòng)電路

        下面給出的電路圖是在橋式結(jié)構(gòu)中使用SiC MOSFET時(shí)最簡(jiǎn)單的同步式boost電路。該電路中使用的SiC MOSFET的高邊（HS）和低邊
        發(fā)表于 02-27 13:41 ?2197次閱讀
        <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>的<b class='flag-5'>橋</b>式結(jié)構(gòu)及柵極驅(qū)動(dòng)電路

        SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)

        SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)
        的頭像 發(fā)表于 12-07 16:00 ?1080次閱讀
        <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>的<b class='flag-5'>橋</b>式結(jié)構(gòu)

        SiC MOSFET并聯(lián)均流及串擾抑制驅(qū)動(dòng)電路的研究

        SiC MOSFET在并聯(lián)應(yīng)用中的安全性和穩(wěn)定性提出了挑戰(zhàn)當(dāng)SiC MOSFET應(yīng)用在橋式電路時(shí)高速開(kāi)關(guān)動(dòng)作引發(fā)的
        發(fā)表于 08-18 15:36 ?1次下載

        為什么“負(fù)壓夠深”是解決SiC MOSFET串擾問(wèn)題的最有力措施

        為什么“負(fù)壓夠深”是解決SiC MOSFET串擾問(wèn)題的最有力措施：結(jié)合基本半導(dǎo)體(BASIC Semiconductor)器件的深度分析 傾佳電子（Changer Tech）是一家專(zhuān)注
        的頭像 發(fā)表于 11-17 11:57 ?452次閱讀
        為什么“負(fù)壓夠深”是解決<b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>串</b><b class='flag-5'>擾</b>問(wèn)題的最有力措施