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簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

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全部技術(shù) 資訊資料帖子視頻產(chǎn)品方案企業(yè) MOSFET選型

mosfet技術(shù)

TPS7H4003-SEP 采用航天增強型塑料制成的耐輻射 3V 至 7V、18A 同步降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊

TPS7H4003-SEP 是一款耐輻射、7V、18A 同步降壓轉(zhuǎn)換器，集成了低電阻高側(cè)和低側(cè) MOSFET，采用熱增強型 34 引腳陶瓷扁平封裝。通過...

2025-06-09 標(biāo)簽：MOSFET 封裝元件 252 0

TPS55287 帶 I2C 接口的 36V 4A 升降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊

TPS55287 是一款同步降壓-升壓轉(zhuǎn)換器，針對將電池電壓或適配器電壓轉(zhuǎn)換為電源軌進(jìn)行了優(yōu)化。TPS55287 集成了四個 MOSFET 開關(guān)，為 U...

2025-05-30 標(biāo)簽：MOSFET 接口適配器 252 0

TPS2590 3V 至 20V、30mΩ、2-5A 電子保險絲數(shù)據(jù)手冊

TPS2590 器件提供高度集成的熱插拔電源管理和卓越的在負(fù)載由高達(dá) 20 V 的總線供電的應(yīng)用中提供保護。最大 UV 開啟 2.9 V 的閾值使 T...

2025-05-14 標(biāo)簽：MOSFET 電源管理封裝 252 0

仁懋TOLL/TOLT封裝系列區(qū)別在哪？

在工業(yè)應(yīng)用對MOSFET需求日益攀升的當(dāng)下，半導(dǎo)體封裝技術(shù)的革新成為關(guān)鍵。仁懋的TOLL和TOLT封裝系列作為TOLx封裝家族的重要成員，各自憑借獨特優(yōu)...

2025-06-04 標(biāo)簽：MOSFET 封裝仁懋電子 252 0

TPS54478 2.95V 至 6V 輸入、4A 同步降壓型 SWIFT? 轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊

TPS54478 器件是一款功能齊全的 6V、4A、同步降壓電流模式轉(zhuǎn)換器，具有兩個集成 MOSFET。該 TPS54478 通過集成 MOSF...

2025-07-07 標(biāo)簽：MOSFET 電感器封裝 251 0

LM2103系列具有 8V UVLO、死區(qū)時間和反相輸入引腳的 107V、0.5A/0.8A 半橋柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

LM2103 是一款緊湊型高壓柵極驅(qū)動器，旨在以同步降壓或半橋配置驅(qū)動高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。INL 反相輸入允許該驅(qū)動器用于雙通道或單...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET 封裝 PWM 251 0

LM74930-Q1 具有斷路器和過壓保護功能的汽車類 3V 至 65V 浪涌抑制器數(shù)據(jù)手冊

LM74930-Q1 理想二極管控制器驅(qū)動和控制外部背靠背 N 溝道 MOSFET，以模擬理想二極管整流器和具有過流和過壓保護功能的電源路徑開和關(guān)控制。...

2025-05-07 標(biāo)簽：MOSFET 控制器電源電壓 250 0

LM22678-Q1 5A SIMPLE 開關(guān)器、具有精準(zhǔn)使能功能的降壓穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊

LM22678 開關(guān)穩(wěn)壓器提供使用最少的外部元件實現(xiàn)高效高壓降壓穩(wěn)壓器所需的所有功能。這款易于使用的穩(wěn)壓器包含一個 42V N 溝道 MOSFET 開關(guān)...

2025-07-09 標(biāo)簽：MOSFET 負(fù)載電流輸出電壓 250 0

UCC27512 采用 SON 封裝的具有 5V UVLO 和分離輸出的 4A/8A 單通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC27511 和 UCC27512 單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動器器件可以有效驅(qū)動 MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。使用本質(zhì)上最小化擊穿電流...

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使用碳化硅 MOSFET 降低高壓開關(guān)模式電源系統(tǒng)的損耗

作者： Art Pini 從電動汽車 (EV) 和光伏 (PV) 逆變器到儲能和充電站，電力電子應(yīng)用的數(shù)量和多樣性持續(xù)增加。這些應(yīng)用需要更高的工作電壓、...

2025-05-25 標(biāo)簽：MOSFET 碳化硅開關(guān)模式電源 250 0

TPS2815 2A/2A 雙通道柵極驅(qū)動器，每個輸出具有兩個 NAND 輸入數(shù)據(jù)手冊

TPS28xx 系列雙通道高速 MOSFET 驅(qū)動器能夠向高電容負(fù)載提供 2A 的峰值電流。這種性能是通過一種設(shè)計實現(xiàn)的，該設(shè)計本身就將擊穿電流降至最低...

2025-05-22 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動器峰值電流 249 0

TPS7H2201-SP 抗輻射、QMLV 和 QMLP 1.5V 至 7V 輸入 6A 電子保險絲數(shù)據(jù)手冊

TPS7H2201 是一款單通道 eFuse，可提供可配置的上升時間，以最大限度地減少浪涌電流和反向電流保護。該器件包含一個 P 溝道 MOSFET，可...

2025-05-09 標(biāo)簽：MOSFET 浪涌電流電流保護 249 0

聚焦器件可靠性、柵極驅(qū)動器創(chuàng)新和總體系統(tǒng)解決方案

第二項關(guān)鍵測試是短路耐受時間 (SCWT)，或者說軌到軌短路條件下設(shè)備發(fā)生故障前的最長耐受時間。測試結(jié)果應(yīng)接近功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中使用的IGBT，其中大多數(shù)擁...

2023-02-15 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動器碳化硅 249 0

TPS54020 具有異相同步功能的 4.5V 至 17V、10A 同步 SWIFT? 降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊

TPS54020 是一款 10A、4.5V 至 17V 輸入 SWIFT 轉(zhuǎn)換器。創(chuàng)新的 3.5 mm × 3.5 mm HotRod 封裝優(yōu)化了高密度...

2025-06-28 標(biāo)簽：MOSFET 封裝電流檢測 249 0

TPS65280 5.5V 至 18V 輸入、固定 5V 輸出、4A 同步降壓轉(zhuǎn)換器，帶雙負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊

該TPS65280集成了用于 USB 配電的雙 N 溝道 MOSFET 電源開關(guān) 需要在單個封裝中集成雙電源開關(guān)的系統(tǒng)。它還集成了一個降壓轉(zhuǎn)換器它調(diào)節(jié)...

2025-06-30 標(biāo)簽：MOSFET 短路輸出電壓 249 0

TPS22908 具有輸出放電的 3.6V、1A、28mΩ 負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊

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2025-05-13 標(biāo)簽：MOSFET 負(fù)載開關(guān)輸入電壓 249 0

UCC5320 3k/5kVrms、2A/2A 單通道隔離柵極驅(qū)動器，UVLO 以 GND 或分離輸出為基準(zhǔn)數(shù)據(jù)手冊

UCC53x0 是單通道隔離式柵極驅(qū)動器系列，設(shè)計用于驅(qū)動 MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 和 GaN FET （UCC5350SBD）。...

2025-05-19 標(biāo)簽：MOSFET UVLO GaN 249 0

TPS2065-Q1 汽車級 1A 負(fù)載、2.7-5.5V、70mΩ USB 電源開關(guān)、高電平有效、輸出放電數(shù)據(jù)手冊

TPS206x-Q1 配電開關(guān)適用于可能遇到重電容負(fù)載和短路的應(yīng)用。這該器件集成了 70mΩ N 溝道 MOSFET 功率開關(guān)，適用于配電系統(tǒng)，這些...

2025-05-26 標(biāo)簽：MOSFET 電容功率開關(guān) 248 0

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UCC20520 是一款隔離式單輸入、雙通道柵極驅(qū)動器，具有 4A 拉電流和 6A 灌電流峰值電流。它旨在驅(qū)動高達(dá) 5MHz 的功率 MOSFET、IG...

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LM5109B-Q1 具有 8V UVLO 和高抗噪能力的汽車類 1A、100V 半橋柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

LM5109B-Q1 是一款高性價比的高壓柵極驅(qū)動器，旨在驅(qū)動高側(cè)和低側(cè) N 溝道 MOSFET，采用同步降壓或半橋配置。浮動高壓側(cè)驅(qū)動器能夠在高達(dá)...

2025-05-19 標(biāo)簽：MOSFET 封裝 UVLO 248 0

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為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。
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