完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
文章:5691個(gè) 瀏覽:220185次 帖子:1132個(gè)
浩寶推出IGBT功率半導(dǎo)體無空洞、高可靠真空焊接設(shè)備
隨著全球新能源的發(fā)展,功率半導(dǎo)體行業(yè)正在快速發(fā)展。IGBT功率模塊在封裝焊接時(shí)有著低空洞率、高可靠性、消除氧化、高效生產(chǎn)等需求
對(duì)于一個(gè)MOS管,如果把GS之間的電壓從0拉到管子的開啟電壓所用的時(shí)間越短,那么MOS管開啟的速度就會(huì)越快。與此類似,如果把MOS管的GS電壓從開啟電壓...
2019-03-29 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片電壓驅(qū)動(dòng) 8671 0
什么叫buck電路 buck電路的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)
Buck電路具有高效轉(zhuǎn)換電能的能力,可在輸入和輸出之間以高效率轉(zhuǎn)換能量。這是因?yàn)樗ㄟ^使用開關(guān)元件(如功率MOSFET)實(shí)現(xiàn)電壓降低,從而減少了能量損失。
2024-01-12 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源電感器 8612 0
VGSth 所有mosfet源的特性都非常接近。關(guān)于計(jì)算,柵電壓(V)GATE_max) 總是小于VGSth 在所有mosfet中,那么模塊將總是能夠在...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管...
2023-02-22 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 8544 0
汽車工業(yè)領(lǐng)域定義并構(gòu)建基于48V電池系統(tǒng)
汽車工業(yè)的電氣化以不斷增長的速度發(fā)展,主要受政府頒布關(guān)于二氧化碳(CO2)減排標(biāo)準(zhǔn)的驅(qū)動(dòng)。歐盟制定了到2020年新車排放量僅有95g/km的目標(biāo)。中國等...
2018-03-12 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETLM5170 8514 0
在提高 SiC 功率器件性能方面發(fā)揮重要作用的最重要步驟之一是器件制造工藝流程。SiC功率器件在用作n溝道而不是p溝道時(shí)往往表現(xiàn)出更好的性能;為了獲得更...
淺析MOSFET電容在LLC串聯(lián)諧振電路中的應(yīng)用
LLC的優(yōu)勢之一就是能夠在比較寬的負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)原邊MOSFET的零電壓開通(ZVS),MOSFET的開通損耗理論上就降為零了。
隔離型反激式轉(zhuǎn)換器和非隔離型降壓轉(zhuǎn)換器的詳細(xì)資料介紹
在傳統(tǒng)的隔離型高電壓反激式轉(zhuǎn)換器中,嚴(yán)緊的調(diào)節(jié)是采用光耦合器把調(diào)節(jié)信息從副邊參考電路傳輸至主邊來實(shí)現(xiàn)的。這種做法的問題是光耦合器給隔離型設(shè)計(jì)增加了明顯的...
2018-07-03 標(biāo)簽:MOSFET光耦合器反激式轉(zhuǎn)換器 8491 0
igbt模塊型號(hào)及參數(shù) igbt怎么看型號(hào)和牌子
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種繼MOSFET和BJT之后的新型功率半導(dǎo)體器件,它的特點(diǎn)是結(jié)合了MO...
LLC諧振轉(zhuǎn)換器中怎樣做才不會(huì)出現(xiàn)MOSFET故障
初級(jí) MOSFET 的不良體二極管性能可能導(dǎo)致一些意想不到的系統(tǒng)或器件故障,如在各種異常條件下發(fā)生嚴(yán)重的直通電流、體二極管 dv/dt、擊穿 dv/dt...
2018-03-19 標(biāo)簽:mosfetLLCllc諧振轉(zhuǎn)換器 8442 0
MOS管驅(qū)動(dòng)電路原理與MOS管驅(qū)動(dòng)電路布線設(shè)計(jì)
如果不考慮紋波和EMI等要求的話,MOS管開關(guān)速度越快越好,因?yàn)殚_關(guān)時(shí)間越短,開關(guān)損耗越小,而在開關(guān)電源中開關(guān)損耗占總損耗的很大一部分,因此MOS管驅(qū)動(dòng)...
2022-12-30 標(biāo)簽:MOSFETMOS管驅(qū)動(dòng)電路 8414 1
從發(fā)射極注入的hole電流,將分成1和2兩個(gè)部分。由于base為n摻雜,所以當(dāng)hole電流流經(jīng)base的時(shí)候,將會(huì)有電子空穴對(duì)的復(fù)合產(chǎn)生,消耗空穴電流,...
思睿達(dá)主推EMI特性良好的CR6889B與XX8267是否可相互替換?對(duì)比測試報(bào)告
SOT23-6 封裝的副邊PWM 反激功率開關(guān); ● 內(nèi)置軟啟動(dòng),減小MOSFET 的應(yīng)力,斜坡補(bǔ)償電路; ● 65kHz 開關(guān)頻率,具有頻...
關(guān)于MOSFET漏極驅(qū)動(dòng)的ZCD(零電流檢測)引腳
本應(yīng)用筆記介紹了從MOSFET漏極驅(qū)動(dòng)的ZCD(零電流檢測)引腳。該文檔描述了標(biāo)準(zhǔn)的ZCD配置及其替代和電阻器配置。 CS1601采用ZCD(零電流檢測...
開關(guān)電源是利用現(xiàn)代電子電力技術(shù),控制開關(guān)管開通和關(guān)斷的時(shí)間比率。維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源。開關(guān)電源一般由脈沖寬度調(diào)制(PWM) 控制 IC 和MOSF...
2023-03-06 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源場效應(yīng)管 8349 0
mosfet與igbt對(duì)比優(yōu)缺點(diǎn)
在具有最小Eon損耗的ZVS 和 ZCS應(yīng)用中,MOSFET由于具有較快的開關(guān)速度和較少的關(guān)斷損耗,因此能夠在較高頻率下工作。
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題
電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
無刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺 | 無人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國民技術(shù) | Microchip |
Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |