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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。
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如何判斷在什么合適時(shí)間應(yīng)當(dāng)使用PWM控制器?
PWM是一種適用于多種電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的控制方法。任何拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的電源都有非常廣泛的用途,可謂無(wú)處不在;而PWM的應(yīng)用范圍也頗為廣泛。 PWM是脈沖寬度調(diào)制的...
傳統(tǒng)功率MOSFET與超級(jí)結(jié)MOSFET的區(qū)別
超級(jí)結(jié)又稱(chēng)超結(jié),是制造功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的一種技術(shù),其名稱(chēng)最早岀現(xiàn)于1993年。傳統(tǒng)高壓功率MOSFET的擊穿電壓主要由n型外延層和p型體區(qū)形成的pn結(jié)耗...
2022-09-13 標(biāo)簽:MOSFET晶體管電流驅(qū)動(dòng) 8306 0
采用先進(jìn)的MOSFET技術(shù)來(lái)應(yīng)對(duì)電動(dòng)工具的挑戰(zhàn)
無(wú)繩電動(dòng)工具具有易用、便攜和更安全等特性,越來(lái)越受到專(zhuān)業(yè)人士和個(gè)人用戶(hù)的青睞。但是制造商們也面臨著持續(xù)降低工具重量和減小尺寸的壓力。面對(duì)此種壓力,來(lái)看看...
2018-04-12 標(biāo)簽:MOSFET東芝電動(dòng)工具 8306 0
SiC如何實(shí)現(xiàn)比硅更好的熱管理?SiC在電子領(lǐng)域有哪些應(yīng)用?
碳化硅(SiC)是由硅(Si)和碳(C)組成的半導(dǎo)體化合物,屬于寬帶隙(WBG)系列材料。它的物理鍵非常牢固,使半導(dǎo)體具有很高的機(jī)械,化學(xué)和熱穩(wěn)定性。寬...
采用MC33262 PFC控制芯片實(shí)現(xiàn)高功率因數(shù)校正電路的應(yīng)用設(shè)計(jì)
MC33262 芯片內(nèi)部含有自起動(dòng)定時(shí)器、一象限乘法器、誤差放大器、電流檢測(cè)比較器、零電流檢測(cè)器、圖騰柱驅(qū)動(dòng)輸出以及過(guò)壓、欠壓等保護(hù)電路,具體內(nèi)部結(jié)構(gòu)框...
英飛凌公司獨(dú)特的封裝技術(shù):最新CoolMOS系列MOSFET問(wèn)世
20世紀(jì)80年代末期和90年代初期發(fā)展起來(lái)的以功率MOSFET和IGBT為代表的集高頻、高壓和大電流于一身的功率半導(dǎo)體復(fù)合器件,表明傳統(tǒng)電源技術(shù)已經(jīng)進(jìn)入...
瞻芯電子比鄰驅(qū)動(dòng)系列碳化硅(SiC)專(zhuān)用柵極驅(qū)動(dòng)芯片介紹
比鄰驅(qū)動(dòng)(Nextdrive)是瞻芯電子自主創(chuàng)新開(kāi)發(fā)的一系列碳化硅(SiC)專(zhuān)用柵極驅(qū)動(dòng)芯片,具有緊湊、高速和智能的特點(diǎn)。
2023-07-21 標(biāo)簽:MOSFETSiC驅(qū)動(dòng)芯片 8254 0
新型三相逆變器如何進(jìn)行SiC MOSFET的結(jié)溫估算?
與功率MOSFET相比,功率MOSFET中的SiC具有一系列優(yōu)勢(shì),例如更高的電導(dǎo)率,更低的開(kāi)關(guān)速度和更低的傳導(dǎo)損耗[1] [2]-[6]。
2021-03-12 標(biāo)簽:MOSFET熱敏電阻功率轉(zhuǎn)換器 8248 0
本文將探討如何選擇用于熱插拔的MOSFET。對(duì)于設(shè)計(jì)師而言,關(guān)鍵的問(wèn)題是FET可能會(huì)經(jīng)受的最大浪涌電流(或預(yù)計(jì)會(huì)限制到輸出)是多大,以及這種浪涌會(huì)持續(xù)多...
淺析開(kāi)關(guān)電源MOS的損耗計(jì)算與選型原則
在電源電路應(yīng)用中,往往首先考慮漏源電壓 VDS 的選擇。在此上的基本原則為 MOSFET 實(shí)際工作環(huán)境中的最大峰值漏源極間的電壓不大于器件規(guī)格書(shū)中標(biāo)稱(chēng)漏...
2018-08-29 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源 8240 0
探討1,200-V 300-A SiC MOSFET對(duì)開(kāi)關(guān)頻率的影響
由于快速的開(kāi)關(guān),傳導(dǎo)損耗和擊穿電壓的增加,在現(xiàn)代工業(yè)應(yīng)用中增加了SiC MOSFET的使用。通過(guò)最快速的開(kāi)關(guān)速度和更高的頻率賦能,該框架減小了尺寸并提高...
2021-03-19 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)頻率SiC MOSFET 8219 0
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)是一種廣泛應(yīng)用在電子電路中的半導(dǎo)體器件,它有三個(gè)引腳:源極(Source)、漏極(Drain)和柵極(Gate)。這三個(gè)引腳...
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。
2018-07-26 標(biāo)簽:MOSFETEMI柵極驅(qū)動(dòng)器 8215 0
功率MOSFET在電力電子設(shè)備中應(yīng)用十分廣泛,因其故障而引起的電子設(shè)備損壞也比較常見(jiàn)。分析研究功率MOSFET故障的原因、后果,對(duì)于MOSFET的進(jìn)一步...
逆變器的頻率范圍選擇會(huì)受到應(yīng)用需求和特定要求的影響。工頻逆變器通常用于較大功率的應(yīng)用,如家庭電力系統(tǒng)、工業(yè)用電等。而高頻逆變器常用于需要更小尺寸、更高轉(zhuǎn)...
詳細(xì)分析MOSFET開(kāi)關(guān)過(guò)程米勒效應(yīng)的影響
本文介紹了米勒效應(yīng)的由來(lái),并詳細(xì)分析了MOSFET開(kāi)關(guān)過(guò)程米勒效應(yīng)的影響,幫助定性理解米勒平臺(tái)的形成機(jī)制。最后給出了場(chǎng)效應(yīng)管柵極電荷的作用。
如何使用ASIC實(shí)現(xiàn)在家用電器中應(yīng)用功能安全性
如果我們首先看一下電池管理器的元件,則需要高精度的電壓感應(yīng)來(lái)確定鋰離子電池的充電狀態(tài)和溫度。
功率器件是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心,主要包含二極管、晶閘管、MOSFET和IGBT等; 其中低頻的二極管、晶閘管主要用于整流,比如晶閘管主要用...
這是基于四片 IRFP250N 供電的 200W MOSFET 放大器,它們非常便宜,在您所在地區(qū)的電子市場(chǎng)上很容易找到。該電路經(jīng)過(guò)組裝和測(cè)試,性能非常好。
如何用雙MOS設(shè)計(jì)分立式負(fù)載開(kāi)關(guān)?
基于單個(gè)MOSFET拓?fù)涞呢?fù)載開(kāi)關(guān)只能阻斷一個(gè)方向的電流,由于MOSFET有一個(gè)固有的體二極管,如果存在反向電流,它們的作用就像處于導(dǎo)通狀態(tài)的二極管
2023-06-07 標(biāo)簽:MOSFET連接器負(fù)載開(kāi)關(guān) 8100 0
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