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標簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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通過采用CPLD芯片實現(xiàn)對MOSFET器件電路的保護設(shè)計
功率MOSFET最初是從MOS集成電路發(fā)展起來的,它通過增加源漏橫向距離提高器件耐壓,從而實現(xiàn)集成電路中高壓驅(qū)動[1].功率MOSFET已大量應用于電力...
開關(guān)電源設(shè)計之MOS管驅(qū)動電路
MOS管因為其導通內(nèi)阻低,開關(guān)速度快,因此被廣泛應用在開關(guān)電源上。而用好一個MOS管,其驅(qū)動電路的設(shè)計就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動電路。
2023-05-04 標簽:MOSFET開關(guān)電源電源設(shè)計 3351 0
高速同步MOSFET驅(qū)動器LTC4449的性能特點及適用范圍
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出的高速同步 MOSFET 驅(qū)動器 LTC4449,該器件為在同步整流轉(zhuǎn)...
2020-11-13 標簽:轉(zhuǎn)換器mosfet驅(qū)動器 3341 0
反激式開關(guān)電源是一種將輸入電源轉(zhuǎn)換為所需輸出電壓的開關(guān)電源拓撲結(jié)構(gòu)。它通過周期性地開關(guān)功率開關(guān)器件,控制電能的傳輸和變換。
2023-09-25 標簽:MOSFET開關(guān)電源IGBT 3332 0
在N溝道MOSFET中,源極為P型區(qū)域,而在P溝道MOSFET中,源極為N型區(qū)域。在MOSFET的工作中,源極是控制柵極電場的參考點,它是連接到源極-漏...
通過雙脈沖測試評估MOSFET的反向恢復特性ー總結(jié)ー
在“通過雙脈沖測試評估MOSFET的反向恢復特性”中,重點關(guān)注了由于逆變器電路、Totem Pole型功率因數(shù)校正(PFC)電路等是兩個MOSFET串聯(lián)...
為什么需要柵極驅(qū)動器,柵極驅(qū)動器的關(guān)鍵參數(shù)
IGBT/功率MOSFET的結(jié)構(gòu)使得柵極形成一個非線性電容。給柵極電容充電會使功率器件導通,并允許電流在其漏極和源極引腳之間流動,而放電則會使器件關(guān)斷,...
通過調(diào)節(jié)頻率使PFC電感電流在每個高頻周期過零,以實現(xiàn)PFC二極管的零電流關(guān)斷,消除反向恢復損耗。PFC二極管電流過零后,PFC電感與MOSFET寄生電...
Trench工藝和平面工藝MOSFET的區(qū)別在哪呢?
上海雷卯電子有Trench工藝和平面工藝MOSFET,為什么有時候推薦平面工藝MOSFET呢,有時候推薦用Trench工藝MOSFET, 上海雷卯EMC...
引言:在進行工程設(shè)計時,我們常常關(guān)注電壓的安全性,因為電流的不好直接測量,導致對電流的關(guān)注比較少,但其實電流中隱藏的浪涌也往往有很大的隱患。當接通子系統(tǒng)...
2023-10-26 標簽:MOSFET熱敏電阻電源開關(guān) 3304 0
基于仿真數(shù)據(jù)的gm/Id模擬集成電路設(shè)計方案
由于這些參數(shù)曲線與MOS管的柵寬和源漏電壓關(guān)系很小,所以以一定的柵寬和源漏電壓作為仿真條件,對MOS管柵極電壓進行直流參數(shù)掃描。
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