本文將對(duì)該系列內(nèi)容進(jìn)行總結(jié)。

在“通過(guò)雙脈沖測(cè)試評(píng)估MOSFET的反向恢復(fù)特性”中，重點(diǎn)關(guān)注了由于逆變器電路、Totem Pole型功率因數(shù)校正（PFC）電路等是兩個(gè)MOSFET串聯(lián)連接的橋式電路，因此存在因上下橋臂的直通電流導(dǎo)致導(dǎo)通損耗增加的現(xiàn)象。

該現(xiàn)象受開關(guān)MOSFET和相對(duì)臂MOSFET的體二極管（寄生二極管）的反向恢復(fù)特性影響很大，因此給出了使用雙脈沖測(cè)試評(píng)估MOSFET體二極管的反向恢復(fù)特性的結(jié)果。

在雙脈沖測(cè)試中，從兩個(gè)角度比較并評(píng)估了導(dǎo)通損耗。一個(gè)是標(biāo)準(zhǔn)SJ MOSFET與PrestoMOS?（具有快速恢復(fù)特性的SJ MOSFET）的比較，另一個(gè)是與不同制造商生產(chǎn)的SJ MOSFET（以快速恢復(fù)特性為特點(diǎn)）的比較。

在此次評(píng)估中獲得了以下兩個(gè)結(jié)果，并且驗(yàn)證了一個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn)：要想減少導(dǎo)通損耗，需要評(píng)估MOSFET體二極管的反向恢復(fù)特性并選擇具有出色反向恢復(fù)特性的MOSFET，這一點(diǎn)至關(guān)重要。

1. 在標(biāo)準(zhǔn)SJ MOSFET與具有快速恢復(fù)特性的PrestoMOS?的比較中，作為導(dǎo)通損耗主要原因的反向恢復(fù)電流Irr和反向恢復(fù)電荷QRr在PrestoMOS?中要小得多，有助于降低開關(guān)損耗。

2. 在與不同制造商生產(chǎn)的具有快速恢復(fù)特性的SJ MOSFET的比較中，制造商之間的Irr和Qrr存在差異，PrestoMOS?是此次比較的三家公司中表現(xiàn)最出色的，并且開關(guān)損耗的降低效果最好。

除此以外，還提出了一個(gè)注意事項(xiàng)：有時(shí)候即使具有快速恢復(fù)特性，也可能無(wú)法降低導(dǎo)通損耗，抑制導(dǎo)致這種情況的主要原因“誤啟動(dòng)”也很重要。誤啟動(dòng)是因MOSFET的各柵極電容（CGD,CGS）和RG引起的現(xiàn)象，在橋式電路中，當(dāng)位于開關(guān)側(cè)的MOSFET導(dǎo)通（Turn-on）時(shí)，在原本為OFF狀態(tài)的續(xù)流側(cè)MOSFET發(fā)生了不應(yīng)發(fā)生的導(dǎo)通，導(dǎo)致直通電流流過(guò)，損耗增大。

下圖在“誤啟動(dòng)的發(fā)生機(jī)制”一文中使用過(guò)，從圖中可以看出，當(dāng)發(fā)生誤啟動(dòng)時(shí)，除了體二極管的反向恢復(fù)電流外，還會(huì)流過(guò)更大的直通電流。

如上面的評(píng)估結(jié)果2所示，在與來(lái)自不同制造商的具有快速恢復(fù)特性的SJ MOSFET的比較中，PrestoMOS?的導(dǎo)通損耗最低，這是因?yàn)镻restoMOS?不僅具有快速恢復(fù)特性，而且在設(shè)計(jì)時(shí)特別優(yōu)化了各柵極電容的比率，抑制了誤導(dǎo)通現(xiàn)象。

因此，除了MOSFET體二極管的反向恢復(fù)特性（Irr和Qrr）之外，橋式電路的開關(guān)損耗還受到誤啟動(dòng)帶來(lái)的直通電流的影響，因此選擇能夠抑制這兩者的MOSFET是減少開關(guān)損耗的關(guān)鍵要點(diǎn)。

下面是每篇文章的鏈接和關(guān)鍵要點(diǎn)匯總。

什么是雙脈沖測(cè)試？

?雙脈沖測(cè)試是廣泛應(yīng)用于MOSFET和IGBT等功率開關(guān)元件特性評(píng)估的一種測(cè)試方法。

?雙脈沖測(cè)試不僅可以評(píng)估對(duì)象元件的開關(guān)特性，也可以評(píng)估體二極管和外置快速恢復(fù)二極管等的恢復(fù)特性。

?雙脈沖測(cè)試對(duì)導(dǎo)通時(shí)發(fā)生恢復(fù)特性引起損耗的電路的評(píng)估非常有效。

通過(guò)雙脈沖測(cè)試評(píng)估反向恢復(fù)特性

?在橋式電路中，當(dāng)MOSFET的體二極管恢復(fù)特性較差時(shí)，導(dǎo)通損耗會(huì)增加。

?反向恢復(fù)電流Irr和反向恢復(fù)電荷Qrr較低的MOSFET，導(dǎo)通損耗EON_L也較小。

?快速恢復(fù)型MOSFET之間進(jìn)行比較也得出同樣的結(jié)論。

?對(duì)MOSFET的反向恢復(fù)特性進(jìn)行評(píng)估對(duì)于降低橋式電路的損耗非常重要。

?請(qǐng)注意，受誤啟動(dòng)現(xiàn)象的影響，有時(shí)即使具有快速恢復(fù)特性，也無(wú)法降低導(dǎo)通損耗。

誤啟動(dòng)的發(fā)生機(jī)制

?橋式電路中的誤啟動(dòng)是指由于MOSFET的VDS急劇上升引發(fā)VGS的上升，從而導(dǎo)致MOSFET發(fā)生意外導(dǎo)通的現(xiàn)象。

?在橋式電路中，當(dāng)誤啟動(dòng)引發(fā)了直通電流時(shí)，導(dǎo)通損耗會(huì)增加，因此有時(shí)候選擇只是反向恢復(fù)特性出色的MOSFET也未必能夠獲得理想的損耗降低效果。

審核編輯黃宇