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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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Wolfspeed采用TOLL封裝的碳化硅MOSFET產(chǎn)品介紹
Wolfspeed 采用 TOLL 封裝的碳化硅 MOSFET 產(chǎn)品組合豐富,提供優(yōu)異的散熱,極大簡化了熱管理。
UltraVt超高閾值耗盡型MOSFET的應(yīng)用原理
ARK(方舟微)研發(fā)的UltraVt ?超高閾值耗盡型MOSFET包括耐壓70V的DMZ0622E系列、耐壓100V的DMZ(X)1015E系列、耐壓1...
DMX1015E在Type-C PD充電器的應(yīng)用原理
DMZ(X)1015E是具有超高閾值電壓的耗盡型MOSFET( ARK(方舟微)特有的超高閾值“UItraVt ^??^ ”專利技術(shù) ),利用該器件的亞...
場效應(yīng)管是一種半導(dǎo)體器件,它可以用來放大或者控制電流 。根據(jù)結(jié)構(gòu)的不同,場效應(yīng)管可以分為結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵場效應(yīng)管(MOSFET)。其中,...
2023-11-17 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管NMOS 5975 0
場效應(yīng)管FET(Field Effect Transistor),是利用輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,分為結(jié)型(JFET)和絕緣...
2023-11-17 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場效應(yīng)管 9836 0
造成EMI問題的輻射源有兩類:交變電場(高阻),交變磁場(低阻)。非隔離的DC/DC轉(zhuǎn)換器具有阻抗很低的節(jié)點(diǎn)和環(huán)路(遠(yuǎn)低于自由空間的阻抗377Ω,此值為...
2023-11-17 標(biāo)簽:pcb轉(zhuǎn)換器MOSFET 2025 0
SemiQ推出一系列采用SOT-227封裝的1,200V MOSFET
為了擴(kuò)大QSiC SiC模塊的選擇范圍,SemiQ推出了一系列采用SOT-227封裝的1,200V MOSFET,可與或不與1,200V SiC肖特基二...
場效應(yīng)管主要有兩種類型,分別是結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵場效應(yīng)管(MOS管)。
2023-11-16 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管JFET 9371 0
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