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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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如何通過(guò)使用外部電路擴(kuò)展低邊電流檢測(cè)并提高DRV8952的檢測(cè)精度
DRV8952是一款高度集成的半橋驅(qū)動(dòng)器件,內(nèi)置4個(gè)半橋柵極驅(qū)動(dòng)器、8個(gè)MOSFET和電流放大器。內(nèi)部放大器在 40% 至 100% 的額定電流下提供 ...
2023-04-19 標(biāo)簽:放大器MOSFET驅(qū)動(dòng)器 2023 0
本文基于PGC 咨詢公司進(jìn)行的分析,研究了當(dāng)今的 650-V 和 1,200-V SiC MOSFET,揭示了這些問(wèn)題,包括柵極氧化物可靠性的優(yōu)化,這有...
半導(dǎo)體行業(yè)之ICT技術(shù)簡(jiǎn)介
有兩個(gè)因素影響CMOS集成電路的速度,即柵延遲和互連延遲。柵延遲是指MOSFET開(kāi)關(guān)的時(shí)間;互連延遲由芯片設(shè)計(jì)、工藝技術(shù),以及互連的導(dǎo)體和電介質(zhì)材料決定。
2023-07-31 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì) 2021 0
IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有(MOSFET)...
2023-02-16 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管IGBT 2019 0
光電耦合器是由輸入側(cè)的LED和輸出側(cè)的光電探測(cè)器組合在一起的產(chǎn)物。光電耦合器產(chǎn)品因輸出側(cè)光電探測(cè)器的類(lèi)型而異。其主要品種包括晶體管輸出光電耦合器、IC輸...
BuckBoost負(fù)壓變換器最基本的電路結(jié)構(gòu)如圖1所示,如果把BuckBoost負(fù)壓變換器功率MOSFET管和二極管移動(dòng)到下面,電路工作狀態(tài)和放在上面完全一樣。
多晶硅與單晶硅各有哪些優(yōu)良性質(zhì)?又是怎樣制造出來(lái)的呢?
硅,我們都知道。但是芯片制程中的硅,有的用的是單晶硅,有的用的是多晶硅。多晶硅與單晶硅的性能差別很大,那么他們各有哪些優(yōu)良性質(zhì)?有哪些應(yīng)用?又是怎樣制造...
如何選取MOSFET,關(guān)于MOSFET相關(guān)基礎(chǔ)知識(shí)
插入式就是MOSFET的管腳穿過(guò)PCB板的安裝孔并焊接在PCB板上。常見(jiàn)的插入式封裝有:雙列直插式封裝(DIP)、晶體管外形封裝(TO)、插針網(wǎng)格陣列封...
2023-02-07 標(biāo)簽:pcbMOSFET開(kāi)關(guān)電源 2015 0
DC/DC評(píng)估篇損耗探討-電源IC的功率損耗計(jì)算示例
此前計(jì)算了損耗發(fā)生部分的損耗,本文將介紹匯總這些損耗并作為電源IC的損耗進(jìn)行計(jì)算的例子。電源IC的功率損耗計(jì)算示例(內(nèi)置MOSFET的同步整流型IC),...
大功率IGBT和SiC MOSFET的并聯(lián)設(shè)計(jì)方案
隨著新能源技術(shù)的快速發(fā)展,對(duì)大功率半導(dǎo)體器件的需求日益增加。特別是在可再生能源領(lǐng)域,需要能夠承載巨大電流的功率器件。然而,由于生產(chǎn)成本、技術(shù)難度以及市場(chǎng)...
SiC MOSFET模塊串?dāng)_應(yīng)用對(duì)策
SiC MOSFET模塊目前廣泛運(yùn)用于新能源汽車(chē)逆變器、車(chē)載充電、光伏、風(fēng)電、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域[2-9] ,展示了新技術(shù)的優(yōu)良特性。
2024-02-19 標(biāo)簽:MOSFET數(shù)字示波器SiC 2009 0
8種開(kāi)關(guān)電源MOS管的工作損耗計(jì)算
在器件設(shè)計(jì)選擇過(guò)程中需要對(duì) MOSFET 的工作過(guò)程損耗進(jìn)行先期計(jì)算(所謂先期計(jì)算是指在沒(méi)能夠測(cè)試各工作波形的情況下,利用器件規(guī)格書(shū)提供的參數(shù)及工作電路...
2023-06-10 標(biāo)簽:電源MOSFET開(kāi)關(guān)電源 2007 0
MOSFET (金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管) 和 IGBT (絕緣柵雙極晶體管) 是兩種常見(jiàn)的功率半導(dǎo)體器件。它們?cè)诓煌膽?yīng)用場(chǎng)景中具有不同的特點(diǎn)和優(yōu)...
2023-12-15 標(biāo)簽:MOSFETIGBT場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2004 0
開(kāi)關(guān)電源中,功率器件高頻開(kāi)通、關(guān)斷操作導(dǎo)致電流和電壓的快速變化是產(chǎn)生EMI的主要原因。
MOSFET超過(guò)耐壓值的原因、影響及檢測(cè)方法
在電子電路設(shè)計(jì)中,MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種常用的功率器件,具有高速開(kāi)關(guān)、低導(dǎo)通電阻、低驅(qū)動(dòng)功耗等優(yōu)點(diǎn)。然而,如果MOSFE...
2024-08-01 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管功率器件 1994 0
功率場(chǎng)效應(yīng)管有哪些類(lèi)型?功率場(chǎng)效應(yīng)管的選擇標(biāo)準(zhǔn)
功率MOSFET的類(lèi)型:按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道。當(dāng)柵極電壓為零時(shí),有導(dǎo)電通道和增強(qiáng)型。對(duì)于N(P)溝道器件,柵極電壓大于(小于)零,功率MOSF...
同步整流MOSFET發(fā)燙,首先要從控制MOSFET的信號(hào)去分析,主要看信號(hào)是否合理,還有是在DCM 還是在CCM發(fā)燙?
功率半導(dǎo)體的制造流程 功率分立器件的分類(lèi)
由三個(gè)端子組成的器件,可通過(guò)控制三端的電流或電壓實(shí)現(xiàn)器件的導(dǎo)通或關(guān)斷,包括雙極型(BJT)、場(chǎng)效應(yīng)型如MOSFET 及絕緣柵型如IGBT 等器件。
2023-05-10 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 1992 0
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