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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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保護(hù)和供電汽車電子系統(tǒng),無開關(guān)噪聲效率高達(dá)99.9%
面對拋負(fù)載的一種解決方案是增加一個(gè)瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)二極管,以本地箝位ECU電源。更緊湊、更嚴(yán)格的容差方法是使用有源浪涌抑制器,例如 LTC436...
SiC器件的市場份額預(yù)計(jì)將在未來幾年加速增長,主要推動(dòng)因素是運(yùn)輸行業(yè)的電氣化。SiC管芯將成為車載充電器和動(dòng)力傳動(dòng)牽引系統(tǒng)等應(yīng)用的模塊中的基本構(gòu)件。
LED 照明的設(shè)計(jì)人員已經(jīng)很快熟悉了各類適用的安全標(biāo)準(zhǔn),如針對美國通用 LED 燈的 IEC 62560、針對 LED 陣列和模塊的 IEC 62031...
2022-12-14 標(biāo)簽:ledMOSFET欠壓保護(hù)電路 2095 0
安建半導(dǎo)體推出針對大電流高功率應(yīng)用的SGT MOSFET器件
近年來,工業(yè)及消費(fèi)市場對于系統(tǒng)的要求不斷提高,為達(dá)到更優(yōu)秀的效率、可靠性及熱性能,MOSFET作為功率核心部件擔(dān)當(dāng)著非常重要的角色。
2024-05-06 標(biāo)簽:MOSFET寄生電感柵極驅(qū)動(dòng)器 2084 0
梯形控制是無刷直流(以下簡稱“BLDC”)電機(jī)最簡單的控制方法之一,它施加方波電流,使電機(jī)相位與BLDC電機(jī)的梯形反電動(dòng)勢波形對齊,以獲得最佳轉(zhuǎn)矩。BL...
為電機(jī)驅(qū)動(dòng)提供動(dòng)力的功率MOSFET
功率 MOSFET 是最常見的功率半導(dǎo)體,主要原因是因?yàn)槠鋿艠O驅(qū)動(dòng)需要的功率小、以及快速的切換速度,使其成為電機(jī)驅(qū)動(dòng)時(shí)最常用的功率半導(dǎo)體。本文將為您簡介...
2022-09-27 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT 2076 0
【導(dǎo)讀】當(dāng)車輛電池因損壞而需要更換時(shí),新電池極性接反的可能性很高。車輛中的許多電子控制單元 (ECU) 都連接到車輛電池,因而此類事件可能會(huì)導(dǎo)致大量 E...
FCL的基本工作原理是通過快速改變電路的阻抗來限制故障電流。它通常由電力電子器件(如IGBT、MOSFET等)及其控制電路組成。
2024-02-06 標(biāo)簽:MOSFETIGBT發(fā)電機(jī) 2069 0
兩種過壓保護(hù)方法的基準(zhǔn)比較:MOSFET與可控硅整流器
由于電子子系統(tǒng)在整個(gè)產(chǎn)品的可靠和安全運(yùn)行中起著重要作用,因此建議在DC/DC降壓穩(wěn)壓器周圍增加一個(gè)過壓保護(hù)電路,以防止損壞最新的數(shù)字邏輯處理器,因?yàn)樗鼈?..
背后功率器件那些事兒:MOSFET、IGBT及碳化硅的應(yīng)用
當(dāng)充電樁向高壓架構(gòu)發(fā)展的趨勢越來越明顯,高性能MOSFET的需求也越來越大,通過改進(jìn)器件結(jié)構(gòu)的超級結(jié)MOSFET應(yīng)運(yùn)而生了。
在當(dāng)代高科技領(lǐng)域中,絕緣柵雙極性晶體管(IGBT)無疑是一顆耀眼的明星,其在電力控制、能源轉(zhuǎn)換和工業(yè)應(yīng)用等領(lǐng)域的不可替代地位,讓人們對其發(fā)展歷史產(chǎn)生濃厚...
精確控制集成電路中MOSFET的閾值電壓對電路的可靠性至關(guān)重要。通常情況下,閾值電壓是通過向溝道區(qū)的離子注入來調(diào)整的。
IGBT中的若干PN結(jié)—PNP結(jié)構(gòu)(1)
我們常說IGBT是由BJT(雙極型晶體管)和MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管)所構(gòu)成
2023-11-28 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管IGBT 2064 0
安森美創(chuàng)新的ATPAK封裝汽車功率MOSFET
安森美半導(dǎo)體創(chuàng)新的ATPAK封裝不僅可使功率MOSFET外形更纖薄,其采用的夾焊技術(shù)更可實(shí)現(xiàn)達(dá)100 A的電流處理能力,極佳的散熱性確保安全性和更高可靠...
2016-08-08 標(biāo)簽:MOSFET安森美半導(dǎo)體 2063 0
三柵極的應(yīng)用優(yōu)勢及對高性能FPGA性能的影響以及
2013年2月,Altera公司與Intel公司共同宣布了Altera下一代最高性能FPGA產(chǎn)品的生產(chǎn)將獨(dú)家采用Intel的14nm 3D Tri-Ga...
CoolMOS? CFD7 是英飛凌最新具有集成快速體二極管的高壓 superjunction MOSFET 技術(shù),補(bǔ)全了 CoolMOS? 7 系列。
使用SpeedFit 2.0設(shè)計(jì)模擬器快速啟動(dòng)基于碳化硅的設(shè)計(jì)
了解電源中碳化硅 (SiC) MOSFET 和肖特基二極管的在線行為是設(shè)計(jì)過程中的關(guān)鍵組件。與硅基技術(shù)相比,作為一項(xiàng)相對較新的技術(shù),可視化這些碳化硅組件...
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