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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步使IC能夠取代許多機(jī)械繼電器,但繼電器在大電流電路中仍然占主導(dǎo)地位,這些電路必須承受任意極性的高電壓。然而,這些繼電器中的觸點(diǎn)反彈可能會(huì)...
理想比導(dǎo)通電阻的一個(gè)關(guān)系式,其中WD是滿足所需擊穿電壓BV的漂移區(qū)的厚度,q是電子電荷,ND是漂移區(qū)的摻雜濃度,μn是電子遷移率,εn是半導(dǎo)體介電常數(shù),...
淺談SiC MOSFET的驅(qū)動(dòng)與保護(hù)
米勒平臺(tái)產(chǎn)生的原因,是在MOSFET開通過程中,當(dāng)DS之間電壓從高到低跳變時(shí),門極電流給柵-漏之間的寄生電容Cgd充電,不給柵-源電容Cgc充電,從而V...
一種二維材料半導(dǎo)體晶體管多柵結(jié)構(gòu)
背柵控制隨著納米線直徑的增加而逐漸減??;(c)器件具有大開態(tài)電流和小的SS。
和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓 大、開關(guān)頻率高等諸多優(yōu)點(diǎn),因而適用于更高工作頻 率的功率器件。但這些優(yōu)點(diǎn)同時(shí)也給SiC功率器件的互連封裝帶...
表示熱傳導(dǎo)的難易程度。熱阻值越小,散熱性能越好。如果使用手冊(cè)上沒有注明熱阻值時(shí),可根據(jù)額定功耗PT及Tch將其算出。
用于電力電子設(shè)計(jì)的高性能SiC MOSFET技術(shù)
一個(gè)合適的設(shè)備概念應(yīng)該允許一定的設(shè)計(jì)自由度,以便適應(yīng)各種任務(wù)配置文件的需求,而無需對(duì)處理和布局進(jìn)行重大更改。然而,關(guān)鍵性能指標(biāo)仍將是所選設(shè)備概念的低面積...
Buck-Boost轉(zhuǎn)換器是一種電力轉(zhuǎn)換裝置,能夠改變直流電壓的數(shù)值,實(shí)現(xiàn)升降壓的功能。其工作原理基于周期性的開關(guān)操作,通過控制開關(guān)元件的通斷狀態(tài)來實(shí)現(xiàn)...
2024-10-12 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETBuck-Boost 1978 0
如何實(shí)現(xiàn)更高的系統(tǒng)效率——第二部分:高速柵極驅(qū)動(dòng)器
在此系列的第一部分中,討論過高電流柵極驅(qū)動(dòng)器如何幫助系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)更高的效率。高速柵極驅(qū)動(dòng)器也可以實(shí)現(xiàn)相同的效果。
2017-03-01 標(biāo)簽:mosfet德州儀器柵極驅(qū)動(dòng)器 1977 0
龍騰半導(dǎo)體MOS和IGBT在充電樁上的應(yīng)用
充電樁是指為電動(dòng)汽車提供能量補(bǔ)充的充電裝置,其功能類似于加油站里面的加油機(jī),可以固定在地面或墻壁,安裝于公共建筑(公共樓宇、商場、公共停車場等)和居民小...
2023-10-28 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET半導(dǎo)體 1977 0
表面貼裝MOSFET產(chǎn)品上線高失效原因及其案例分析
經(jīng)過電參數(shù)測試合格的產(chǎn)品2N**經(jīng)過客戶SMT(無鉛工藝260±5℃)生產(chǎn)線貼裝后,發(fā)現(xiàn)大量產(chǎn)品電參數(shù)失效,出現(xiàn)的現(xiàn)象是D、S間漏電,產(chǎn)品短路,失效比例...
芯片DNA如何物理不可克隆的功能技術(shù)保護(hù)嵌入式系統(tǒng)
基于硬件的安全性提供了針對(duì)網(wǎng)絡(luò)攻擊的強(qiáng)大保護(hù),當(dāng)實(shí)現(xiàn)加密功能的芯片使用時(shí),物理不可克隆功能(PUF)技術(shù)可以進(jìn)一步增強(qiáng)該級(jí)別的保護(hù)。本應(yīng)用筆記討論了一種...
分享一顆雙路高速M(fèi)SOFET驅(qū)動(dòng)芯片-TPS2812設(shè)計(jì)知識(shí)
今天和大家分享一顆雙路高速M(fèi)SOFET驅(qū)動(dòng)芯片-TPS2812的一些設(shè)計(jì)知識(shí)。這顆芯片是TI公司的一款驅(qū)動(dòng)芯片,工業(yè)級(jí)。
2023-09-05 標(biāo)簽:MOSFET電源供電調(diào)節(jié)器 1971 0
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)的開關(guān)過程是其作為電力電子器件核心功能的重要組成部分,直接決定了電力變換系統(tǒng)的效率、穩(wěn)定性和可靠性。以下是對(duì)IGBT開關(guān)過...
如何化解第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用痛點(diǎn)
【導(dǎo)讀】在集成電路和分立器件領(lǐng)域,硅始終是應(yīng)用最廣泛、技術(shù)最成熟的半導(dǎo)體材料,但硅材料技術(shù)的成熟恰恰意味著難以突破瓶頸。為了打破固有屏障,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)一...
引言:MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MetalOxide Semiconductor Field Effect Transistor)的縮...
2023-06-16 標(biāo)簽:MOSFETMOS管場效應(yīng)晶體管 1963 0
在離線應(yīng)用中采用UCC28056來優(yōu)化效率和待機(jī)功耗
隨著產(chǎn)品法規(guī)持續(xù)要求在這些關(guān)鍵領(lǐng)域提高性能,效率和待機(jī)功耗已成為離線應(yīng)用中關(guān)注的重點(diǎn)。這種關(guān)注需要采用復(fù)雜的功率策略以滿足這些要求,例如在低功耗模式下關(guān)...
2023-03-30 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器MOSFET 1962 0
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