完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
文章:5720個(gè) 瀏覽:220468次 帖子:1132個(gè)
U7712同步整流ic可提高效率更加穩(wěn)定減低系統(tǒng)成本
同步整流提高了傳統(tǒng)降壓轉(zhuǎn)換器,以及所有其他能夠使用同步整流的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的動(dòng)態(tài)性,擁有更加穩(wěn)定的控制環(huán)路特性。
目前市場(chǎng)上出現(xiàn)的碳化硅半導(dǎo)體包括的類型相對(duì)較多,常見的主要有二極管、金屬氧化物、半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)、晶體管、晶閘管、結(jié)算場(chǎng)、效應(yīng)晶體管等等這些不同類型的碳化硅...
如何計(jì)算MOSFET實(shí)際應(yīng)用中的損耗
功率半導(dǎo)體自20世紀(jì)50年代開始發(fā)展起來(lái),至今形成以二極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等為代表的多世代產(chǎn)品體系。新技術(shù)、新產(chǎn)品的誕生拓寬了原有產(chǎn)品和...
在之前章節(jié)的源極接地放大電路中,輸出是從FET的漏極得到,因此源極電阻Rs的壓降,對(duì)于輸出而言是無(wú)異議的,屬于無(wú)功損耗。
2023-08-31 標(biāo)簽:MOSFET放大電路電路設(shè)計(jì) 2897 0
車規(guī)級(jí)N溝道功率MOSFET參數(shù)解析(2)
雪崩強(qiáng)度是MOSFET的一種特性。在MOSFET的漏極和源極之間施加超過(guò)VDSS的電壓,但是MOSFET的性能沒(méi)有被破壞。此時(shí)施加在其上的能量稱為雪崩能...
車規(guī)級(jí)N溝道功率MOSFET參數(shù)解析(1)
規(guī)格書中會(huì)給出一顆元件的相關(guān)參數(shù)值和曲線。在設(shè)計(jì)初期選擇元件時(shí),通過(guò)這些參數(shù)可以評(píng)估某顆元件是否適合應(yīng)用在需要的電路中。在規(guī)格書中,一些參數(shù)的測(cè)試條件(...
本文簡(jiǎn)述功率在轉(zhuǎn)換器電路中的轉(zhuǎn)換傳輸過(guò)程,針對(duì)開關(guān)器件MOSFET在導(dǎo)通和關(guān)斷瞬間,產(chǎn)生電壓和電流尖峰的問(wèn)題,進(jìn)而產(chǎn)生電磁干擾現(xiàn)象,通過(guò)對(duì)比傳統(tǒng)平面MO...
2023-08-29 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET開關(guān)電源 1037 0
PMOS防反接保護(hù)電路和MOS管防電源反接電路設(shè)計(jì)解析
隔離作用:也就是防反接,相當(dāng)于一個(gè)二極管。使用二極管,導(dǎo)通時(shí)會(huì)有壓降,會(huì)損失一些電壓。而使用MOS管做隔離,在正向?qū)〞r(shí),在G極加合適的電壓,可以讓MO...
2023-08-29 標(biāo)簽:MOSFET電路設(shè)計(jì)MOS管 3948 0
怎樣通過(guò)并聯(lián)碳化硅MOSFET獲得更多功率呢?
為了劃分所涉及的功率并創(chuàng)建可以承受更多功率的器件,開關(guān)、電阻器和 MOSFET 并聯(lián)連接。
MOSFET,具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、制造工藝簡(jiǎn)單和輻射強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),通常被用于放大電路或開關(guān)電路。MOSFET 按照不同的工藝可分為平面型Pl...
2023-08-28 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體功率電子 1489 0
影響高速SiC MOSFET開關(guān)特性的因素有哪些?
碳化硅(SiC)MOSFET支持功率電子電路以超快的開關(guān)速度和遠(yuǎn)超100V/ns和10A/ns的電壓和電流擺率下工作。
2023-08-28 標(biāo)簽:MOSFET功率轉(zhuǎn)換器體二極管 1732 0
功率MOSFET基本結(jié)構(gòu):溝槽結(jié)構(gòu)介紹
垂直導(dǎo)電平面結(jié)構(gòu)功率MOSFET管水平溝道直接形成JFET效應(yīng),如果把水平的溝道變?yōu)榇怪睖系?,從?cè)面控制溝道,就可以消除JFET效應(yīng)。
在雙MOS管Buck電路中,有兩個(gè)MOSFET管,并且它們直接與電源和負(fù)載相連。具體而言,其中一個(gè)MOSFET管與電源相連,另一個(gè)MOSFET管與負(fù)載相...
面對(duì)眼花繚亂的AC/DC開關(guān)電源我們應(yīng)該如何選型?
隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展和創(chuàng)新,AC/DC開關(guān)電源已基本取代線性電源,朝著小型、輕量和高效的方向發(fā)展。
2023-08-25 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源PWM控制器 1698 0
功率MOSFET有兩種類型:N溝道和P溝道,在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過(guò)程中選擇N管還是P管,要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來(lái)選擇,N溝道MOSFET選擇的型號(hào)多,成本低;P溝...
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專題
電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
無(wú)刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺(jué) | 無(wú)人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國(guó)民技術(shù) | Microchip |
Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |