N溝道耗盡型MOSFET
1) N溝道耗盡型MOSFET的結(jié)構(gòu)
N
2009-09-16 09:41:43
25079 Vishay推出新款通過AEC-Q101認(rèn)證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:38
3286 雪崩強(qiáng)度是MOSFET的一種特性。在MOSFET的漏極和源極之間施加超過VDSS的電壓,但是MOSFET的性能沒有被破壞。此時(shí)施加在其上的能量稱為雪崩能量[Avalanche energy],流過的電流稱為雪崩電流[Avalanche current]。有些MOSFET的spec中不保證雪崩能力。
2023-08-31 10:18:24
1911 
Littelfuse P溝道功率MOSFETs,雖不及廣泛使用的N溝道MOSFETs出名,在傳統(tǒng)的應(yīng)用范圍也較有限,然而,隨著低壓(LV)應(yīng)用需求的增加, P溝道功率MOSFET的應(yīng)用范圍得到拓展。
2024-04-02 14:27:30
2758 
`<p><font face="Verdana">N溝道MOSFET概述<br/&
2010-08-17 09:21:57
為正時(shí),它充當(dāng)增強(qiáng)型MOSFET。N溝道場(chǎng)效應(yīng)管與P溝道場(chǎng)效應(yīng)管介紹N溝道MOSFET的源極接地,漏極連接到負(fù)載,當(dāng)柵極施加正電壓時(shí),F(xiàn)ET導(dǎo)通。N 溝道 MOSFET是最常用且最容易使用的。它們
2023-02-02 16:26:45
功率MOSFET有二種類型:N溝通和P溝道,在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過程中,選擇N管還是P管,要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征,然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
—功率 MOSFET 的選型1 我的應(yīng)用該選擇哪種類型的 MOSFET?前面說了,實(shí)際應(yīng)用主要使用增強(qiáng)型功率 MOSFET,但到底該選擇 N 溝道的還是 P 溝道的呢?如果你對(duì)這個(gè)問題有疑問,下面的圖
2019-11-17 08:00:00
功率MOSFET有二種類型:N溝通和P溝道,在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過程中,選擇N管還是P管,要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征,然后再論述選擇的原則。1、N溝通和P溝道
2016-12-07 11:36:11
車規(guī)級(jí)GPS模塊有哪些特征?
2021-05-18 06:54:02
`各位今天聊聊車規(guī)級(jí)的芯片選型。如果需要的芯片沒有車規(guī)級(jí)別的,但又工業(yè)級(jí)別的。從穩(wěn)定性,可靠性方面考慮,應(yīng)該要層元器件的那些特性為主要的考慮因素呢,是溫度?`
2015-10-15 14:22:18
`AON7544 N溝道MOSFET采用最新的Trench Power AlphaMOS(αMOSLV)技術(shù),具有極低的RDS(on),低柵極電壓和高電流能力,非常適合應(yīng)用在DC/DC電路中
2020-05-29 08:39:05
LT1158上單個(gè)輸入引腳的典型應(yīng)用同步控制圖騰柱配置中的兩個(gè)N溝道功率MOSFET
2019-05-28 09:02:21
LT1160的典型應(yīng)用 - 半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器。 LT 1160 / LT1162是經(jīng)濟(jì)高效的半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器
2019-05-14 09:23:01
MOSFET最常用作輸入電壓低于15VDC的降壓穩(wěn)壓器中的高側(cè)開關(guān)。根據(jù)應(yīng)用的不同,N溝道MOSFET也可用作降壓穩(wěn)壓器高側(cè)開關(guān)。這些應(yīng)用需要自舉電路或其它形式的高側(cè)驅(qū)動(dòng)器。圖1:具有電平移位器的高側(cè)驅(qū)動(dòng)
2018-03-03 13:58:23
PCA9685是車規(guī)級(jí)的么?我想要一個(gè)車規(guī)級(jí)的PWM輸出信號(hào)芯片(引腳越多越好)有沒有推薦。TLC5940-EP怎么樣
2021-05-24 09:43:54
車規(guī)級(jí)共模扼流圈
過濾汽車和工業(yè)應(yīng)用中的功率和信號(hào)噪聲
Abracon最新的共模扼流圈(CMC)可用于電源線和信號(hào)線的應(yīng)用。此外,信號(hào)線CMC可以支持can、can-FD和以太網(wǎng)數(shù)據(jù)傳輸中的噪聲
2023-09-12 14:48:02
` 誰來闡述一下什么是車規(guī)級(jí)芯片?`
2019-10-18 10:55:55
N溝道和P溝道MOSFET哪個(gè)常用?增強(qiáng)型和耗盡型的哪個(gè)常用?
2019-05-13 09:00:00
LT1336的典型應(yīng)用是具有成本效益的半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器。浮動(dòng)驅(qū)動(dòng)器可以驅(qū)動(dòng)頂部N溝道功率MOSFET工作在高達(dá)60V(絕對(duì)最大值)的高壓(HV)軌道上工作
2019-05-10 06:46:05
—功率 MOSFET 的選型1 我的應(yīng)用該選擇哪種類型的 MOSFET?前面說了,實(shí)際應(yīng)用主要使用增強(qiáng)型功率 MOSFET,但到底該選擇 N 溝道的還是 P 溝道的呢?如果你對(duì)這個(gè)問題有疑問,下面的圖
2019-11-17 08:00:00
溝道MOSFET也可用作降壓穩(wěn)壓器高側(cè)開關(guān)。這些應(yīng)用需要自舉電路或其它形式的高側(cè)驅(qū)動(dòng)器。圖1:具有電平移位器的高側(cè)驅(qū)動(dòng)IC。圖2:用自舉電路對(duì)高側(cè)N溝道MOSFET進(jìn)行柵控。極性決定了MOSFET的圖形
2021-04-09 09:20:10
請(qǐng)問車規(guī)級(jí)芯片到底有哪些要求?
2021-06-18 07:56:37
硬件級(jí)安全和AEC-Q100車規(guī)級(jí)高可靠性等優(yōu)勢(shì)特點(diǎn),在智能車燈控制、電機(jī)控制、車身控制、虛擬儀表、智能座艙等汽車電子市場(chǎng)用途廣泛。N32A455系列車規(guī)MCU的產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)特性1,高性能架構(gòu)
2023-02-20 17:44:27
Vishay Intertechnology, Inc.推出三款新型500V、12A的N溝道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3,該MOSFET在10V柵極驅(qū)動(dòng)下的最大導(dǎo)通電阻達(dá)到超低的0.555Ω,柵極電荷減小為48nC,采
2010-07-16 15:05:24
17 N溝道增強(qiáng)型MOSFET
N溝道增強(qiáng)型MOSFET的工作原理
1) N溝道增強(qiáng)型MOSFET的結(jié)構(gòu)N 溝道增強(qiáng)型
2009-09-16 09:38:18
10743 Vishay推出500V N溝道功率MOSFET:SiHF8N50L-E3
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比,該器件的
2010-04-07 10:52:52
1102 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出業(yè)內(nèi)采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級(jí)封裝的N溝道和P溝道功率
2011-10-21 08:53:05
1058 最小的0.8mm x 0.8mm芯片級(jí)封裝的N溝道和P溝道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFETreg
2019-01-01 16:29:01
1015 MOSFET及其應(yīng)用優(yōu)勢(shì),以幫助設(shè)計(jì)人員在許多工業(yè)應(yīng)用中選擇這些器件。 圖1 N溝道耗盡型功率MOSFET N溝道耗盡型功率MOSFET的電路符號(hào)在圖1中給出。端子標(biāo)記為G(柵極),S(源極)和D(漏極)。IXYS耗盡型功率MOSFET具有稱為垂直雙擴(kuò)散MOSFET或DMOSFET的結(jié)構(gòu),與市場(chǎng)上的其
2021-05-27 12:18:58
9886 
近日,四維圖新旗下全資子公司AutoChips杰發(fā)科技對(duì)外宣布,其車規(guī)級(jí)MCU產(chǎn)品線又添重量級(jí)新成員——AC7801X,這是杰發(fā)科技繼2018年底量產(chǎn)的國內(nèi)首顆車規(guī)級(jí)MCU 芯片——AC7811之后
2021-02-16 09:34:00
12505 LT1158:半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表
2021-05-20 18:32:19
4 N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET G23N06K規(guī)格書英文版
2021-12-02 10:49:10
0 車規(guī)級(jí)芯片是,汽車元件。車規(guī)級(jí)是適用于汽車電子元件的規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)。目前汽車電動(dòng)化、智能化、網(wǎng)聯(lián)化、共享化,車規(guī)級(jí)芯片起著至關(guān)重要的存在。 車規(guī)級(jí)芯片的分類 按功能劃分,車規(guī)級(jí)芯片分為控制類、功率類
2021-12-09 14:23:24
21723 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GW1N系列FPGA產(chǎn)品(車規(guī)級(jí))數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2022-09-14 16:44:23
1 由于具有較低的導(dǎo)通電阻(RDS(on))和較小尺寸,N溝道MOSFET在產(chǎn)品選擇上超過了P溝道。在降壓穩(wěn)壓器應(yīng)用中,基于柵控電壓極性、器件尺寸和串聯(lián)電阻等多種因素,使用P溝道MOSFET或N溝道MOSFET作為主開關(guān)。
2022-11-18 11:28:21
4033 按功能種類劃分,車規(guī)級(jí)半導(dǎo)體大致可分為主控/計(jì)算類芯片(MCU、CPU、FPGA、ASIC和AI芯片等)、功率半導(dǎo)體(IGBT和MOSFET)、傳感器(CIS、加速傳感器等)、無線通信及車載接口類芯片、車用存儲(chǔ)器等。
2023-04-18 11:52:03
1366 1、SiC MOSFET對(duì)器件封裝的技術(shù)需求
2、車規(guī)級(jí)功率模塊封裝的現(xiàn)狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來模塊封裝發(fā)展趨勢(shì)及看法
2023-10-27 11:00:52
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晶振進(jìn)行比較,全面解析它們之間的差異。 首先,我們來介紹車規(guī)級(jí)晶振的特點(diǎn)。車規(guī)級(jí)晶振是一種高性能、高精度的晶振,廣泛應(yīng)用于汽車電子領(lǐng)域。它具有以下特點(diǎn): 1. 溫度穩(wěn)定性:車規(guī)級(jí)晶振能夠在廣泛的溫度范圍內(nèi)保持較高的
2023-11-17 11:31:52
2042 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《1A,700V N溝道功率MOSFET UTC1N70-LC數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-05-30 16:11:41
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LTS7446FL-N N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-24 11:23:03
2 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《FS60N03 N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-09-23 14:59:08
0 在中低壓功率轉(zhuǎn)換與高頻開關(guān)領(lǐng)域,N溝道MOSFET的性能直接決定系統(tǒng)能效與可靠性。本文針對(duì)仁懋電子(MOT)的MOT3150J型號(hào),從電氣參數(shù)、特性優(yōu)勢(shì)到實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景展開深度剖析,為工程師選型與系統(tǒng)
2025-10-23 11:17:26
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STMicroelectronics STP80N1K1K6 N溝道功率MOSFET采用MDmesh K6技術(shù),利用了20年的超級(jí)結(jié)技術(shù)經(jīng)驗(yàn)。STMicroelectronics STP80N1K1K6 MOSFET具有出色的每面積導(dǎo)通電阻和柵極電荷。該器件非常適用于高功率密度和高效應(yīng)用。
2025-10-23 15:08:58
415 
在汽車電子的中低壓功率控制領(lǐng)域,從電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向(EPS)到智能水泵、風(fēng)機(jī)系統(tǒng),對(duì)器件的可靠性、效率與電流承載能力提出了嚴(yán)苛要求。中科微電推出的車規(guī)級(jí)N溝道MOSFET——ZK60G270G,憑借
2025-10-27 14:18:15
262 
意法半導(dǎo)體 STL320N4LF8 N溝道STripFET F8功率MOSFET 采用STripFET F8溝槽式MOSFET技術(shù)制造而成。 該器件完全符合工業(yè)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)。STL320N4LF8可降低
2025-10-29 15:48:51
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仁懋電子(MOT)推出的MOT70R280D是一款基于超級(jí)結(jié)技術(shù)的N溝道功率MOSFET,憑借700V級(jí)耐壓、超低導(dǎo)通損耗及高魯棒性,廣泛適用于功率因數(shù)校正(PFC)、開關(guān)模式電源(SMPS
2025-10-31 17:31:08
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仁懋電子(MOT)推出的MOT5122T是一款面向大電流低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借120V耐壓、超低導(dǎo)通損耗及260A超大電流承載能力,廣泛適用于高功率系統(tǒng)逆變器、輕型電動(dòng)車、電池
2025-10-31 17:33:14
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、負(fù)載開關(guān)等)。以下從器件特性、電氣參數(shù)、封裝應(yīng)用等維度展開說明。一、產(chǎn)品基本信息MOT50N02D為N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,核心參數(shù)表現(xiàn)為:漏源極耐壓(\(
2025-10-31 17:36:09
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領(lǐng)域。以下從器件特性、電氣參數(shù)、封裝應(yīng)用等維度展開說明。一、產(chǎn)品基本信息MOT5N50MD為N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,核心參數(shù)表現(xiàn)為:漏源極耐壓(\(V_{D
2025-11-03 15:26:33
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電源模塊等領(lǐng)域。以下從器件特性、電氣參數(shù)、應(yīng)用場(chǎng)景等維度展開說明。一、產(chǎn)品基本信息MOT90N03D為N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,核心參數(shù)表現(xiàn)為:漏源極耐壓(\(V
2025-11-03 16:33:23
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領(lǐng)域。以下從器件特性、電氣參數(shù)、封裝應(yīng)用等維度展開說明。一、產(chǎn)品基本信息MOT9N50D為N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,核心參數(shù)表現(xiàn)為:漏源極耐壓(\(V_{DSS
2025-11-04 15:22:12
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仁懋電子(MOT)推出的MOT4N65F是一款面向650V高壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借低導(dǎo)通電阻、高輸入阻抗及RoHS合規(guī)性,廣泛適用于電子鎮(zhèn)流器、電子變壓器、開關(guān)模式電源等領(lǐng)域
2025-11-04 15:59:03
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等領(lǐng)域。以下從器件特性、電氣參數(shù)、封裝應(yīng)用等維度展開說明。一、產(chǎn)品基本信息MOT15N50F為N溝道功率MOSFET,核心參數(shù)表現(xiàn)為:漏源極耐壓(\(V_{DSS
2025-11-05 12:10:09
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、輕型電動(dòng)車、無人機(jī)等大功率場(chǎng)景。以下從器件特性、電氣參數(shù)、封裝應(yīng)用等維度展開說明。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù):漏源極耐壓(\(V
2025-11-05 15:28:39
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及260A超大電流承載能力,廣泛適用于高功率系統(tǒng)逆變器、輕型電動(dòng)車、電池管理系統(tǒng)(BMS)、無人機(jī)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù):
2025-11-05 15:53:52
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仁懋電子(MOT)推出的MOT70N03D是一款面向30V低壓大電流開關(guān)場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借超低導(dǎo)通損耗、70A大電流承載能力及RoHS合規(guī)性,適用于各類開關(guān)應(yīng)用(如DC-DC
2025-11-05 16:01:03
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DC-DC轉(zhuǎn)換器、大功率負(fù)載開關(guān)等)。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù):漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):30V,適配低壓大電流供電場(chǎng)
2025-11-06 15:44:22
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領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù):漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):500V,適配高壓高頻供電系統(tǒng);導(dǎo)通電阻(\(R_{D
2025-11-06 16:05:07
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領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù):漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):700V,適配高壓高頻供電系統(tǒng);導(dǎo)通電阻(\(R_{DS
2025-11-06 16:12:24
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電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù):漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):650V,適配高壓高頻供電系統(tǒng);導(dǎo)通電阻(\(R
2025-11-06 16:15:37
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領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù):漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):500V,適配高壓高頻供電系統(tǒng);導(dǎo)通電阻(\(R_{DS
2025-11-07 10:23:59
241 
。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù):漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):700V,適配高壓高頻供電系統(tǒng);導(dǎo)通電阻(\(R_{DS(
2025-11-07 10:31:03
211 
。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù):漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):650V,適配高壓高頻供電系統(tǒng);導(dǎo)通電阻(\(R_{DS(o
2025-11-07 10:40:08
223 
逆變器、輕型電動(dòng)車、無人機(jī)等大功率場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù):漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):60V,適配低壓大電
2025-11-10 15:50:16
248 
逆變器、輕型電動(dòng)車、BMS(電池管理系統(tǒng))、無人機(jī)等大功率場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù):漏源極耐壓(\(V_{DSS}\))
2025-11-10 16:01:46
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轉(zhuǎn)換器、大功率負(fù)載開關(guān)等)。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù):漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):30V,適配低壓大電流供電場(chǎng)景;導(dǎo)通
2025-11-11 09:18:36
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領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù):漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):650V,適配高壓供電場(chǎng)景;導(dǎo)通電阻(\(R_{DS(
2025-11-11 09:23:54
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等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù):漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):700V,適配高壓高頻供電系統(tǒng);導(dǎo)通電阻(\(R_{
2025-11-12 09:34:45
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。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù):漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):700V,適配高壓高頻供電系統(tǒng);導(dǎo)通電阻(\(R_{DS(
2025-11-12 14:15:44
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電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù):漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):650V,適配高壓高頻供電系統(tǒng);導(dǎo)通電阻(\(R
2025-11-12 14:19:35
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系統(tǒng)逆變器、輕型電動(dòng)車、BMS(電池管理系統(tǒng))、無人機(jī)等大功率場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù):漏源極耐壓(\(V_{DSS}\
2025-11-14 12:03:12
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逆變器、輕型電動(dòng)車、BMS(電池管理系統(tǒng))、無人機(jī)等大功率場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù):漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)
2025-11-18 15:58:04
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、輕型電動(dòng)車、BMS(電池管理系統(tǒng))、無人機(jī)等大功率場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù):漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):1
2025-11-18 16:04:11
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DC/DC轉(zhuǎn)換器、高頻開關(guān)與同步整流等場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù):漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):30V,適配低壓
2025-11-18 16:08:14
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領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù):漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):500V,適配高壓供電系統(tǒng);導(dǎo)通電阻(\(R_{DS(o
2025-11-19 10:24:32
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電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù):漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):500V,適配高壓供電系統(tǒng);導(dǎo)通電阻(\(R_{
2025-11-19 11:15:03
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系統(tǒng)逆變器、輕型電動(dòng)車、BMS(電池管理系統(tǒng))、無人機(jī)等大功率場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù):漏源極耐壓(\(V_{DSS}\
2025-11-19 15:15:00
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系統(tǒng)逆變器、輕型電動(dòng)車、BMS(電池管理系統(tǒng))、無人機(jī)等大功率場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù):漏源極耐壓(\(V_{DSS}\
2025-11-19 15:21:04
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仁懋電子(MOT)推出的MOT50N03C是一款面向30V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷及快速開關(guān)特性,適用于各類開關(guān)應(yīng)用場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N
2025-11-20 16:22:54
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領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù):漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):650V,適配高壓供電系統(tǒng);導(dǎo)通電阻(\(R_{DS(
2025-11-24 14:33:13
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mm封裝,具有下拉和中心柵極設(shè)計(jì),可提高功率密度、效率和散熱性能。該N溝道MOSFET無鉛、無鹵/無BFR,符合RoHS指令。NTMFSS0D9N03P8 MOSFET非常適合用于ORing、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電源負(fù)載開關(guān)和直流/直流應(yīng)用。
2025-11-24 15:35:18
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電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù):漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):500V,適配高壓供電系統(tǒng);導(dǎo)通電阻(\(R_{D
2025-11-24 14:45:26
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電動(dòng)車、BMS(電池管理系統(tǒng))、無人機(jī)等大功率場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù):漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):60V,適
2025-11-24 17:04:20
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電動(dòng)車、BMS(電池管理系統(tǒng))、無人機(jī)等大功率場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù):漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):100V,適
2025-11-24 17:23:08
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在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中,功率MOSFET是至關(guān)重要的元件,它對(duì)設(shè)備的性能和效率有著深遠(yuǎn)的影響。今天,我們要深入探討的是ON Semiconductor推出的NVMYS3D8N04CL單N溝道功率MOSFET,看看它有哪些獨(dú)特的特性和優(yōu)勢(shì)。
2025-11-28 14:03:45
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在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中,MOSFET 是不可或缺的重要元件。今天,我們就來深入探討 onsemi 推出的 NVHL060N065SC1 N 溝道 MOSFET,看看它有哪些獨(dú)特的性能和應(yīng)用特點(diǎn)。
2025-12-01 09:28:49
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作為電子工程師,在設(shè)計(jì)過程中,選擇合適的功率MOSFET至關(guān)重要。今天就來詳細(xì)介紹onsemi推出的NVTYS020N08HL N溝道功率MOSFET,探討它的特性、參數(shù)以及在實(shí)際應(yīng)用中的表現(xiàn)。
2025-12-01 09:34:36
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在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中,MOSFET(金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是不可或缺的關(guān)鍵元件。今天,我們聚焦于ON Semiconductor推出的一款單N溝道功率MOSFET——NVMYS4D5N04C,深入剖析其特性、參數(shù)及應(yīng)用場(chǎng)景。
2025-12-01 14:41:37
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在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,功率 MOSFET 是至關(guān)重要的元件,它廣泛應(yīng)用于各類電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等電路中。今天,我們就來詳細(xì)剖析 onsemi 推出的 NVMFWS003N10MC 單通道 N 溝道功率 MOSFET,看看它有哪些獨(dú)特之處。
2025-12-02 11:43:20
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在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,功率 MOSFET 是不可或缺的關(guān)鍵元件,廣泛應(yīng)用于各類電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等電路中。今天,我們就來深入探討一下 ON Semiconductor 推出的 NTMFD5C672NL 雙 N 溝道功率 MOSFET。
2025-12-02 14:58:25
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在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中,功率 MOSFET 是一種常見且關(guān)鍵的元件。今天,我們要詳細(xì)探討的是 onsemi 公司的 NTMFS5H663NL 這款 N 溝道功率 MOSFET,它具有諸多出色的特性,適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。
2025-12-02 15:53:58
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在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中,功率 MOSFET 是不可或缺的關(guān)鍵元件。今天,我們將深入探討安森美(onsemi)的 NTMFWS1D5N08X 這款高性能 N 溝道功率 MOSFET,為大家詳細(xì)解析其特點(diǎn)、參數(shù)及應(yīng)用場(chǎng)景。
2025-12-03 11:30:32
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在電子工程領(lǐng)域,MOSFET作為關(guān)鍵的功率器件,其性能和特性對(duì)電路設(shè)計(jì)起著至關(guān)重要的作用。今天我們來深入了解一下onsemi推出的NTBLS0D8N08X,這是一款80V、0.79mΩ、457A的單N溝道功率MOSFET,它在多個(gè)方面展現(xiàn)出了卓越的性能。
2025-12-03 11:42:19
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在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中,MOSFET 作為關(guān)鍵的功率器件,其性能直接影響著整個(gè)電路的效率和穩(wěn)定性。今天,我們就來詳細(xì)探討 onsemi 推出的一款高性能 N 溝道 MOSFET——NTBLS1D5N10MC。
2025-12-03 11:52:04
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在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,MOSFET是不可或缺的關(guān)鍵元件。今天,我們來詳細(xì)探討Onsemi公司的NTMFS3D2N10MD這款N溝道功率MOSFET,看看它在實(shí)際應(yīng)用中能為我們帶來哪些優(yōu)勢(shì)。
2025-12-08 16:38:38
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在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,碳化硅(SiC)MOSFET 憑借其卓越的性能逐漸成為眾多應(yīng)用的首選。今天我們就來詳細(xì)解析 onsemi 的 NTHL045N065SC1 這款 N 溝道 SiC 功率 MOSFET。
2025-12-08 16:55:38
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評(píng)論