N溝道耗盡型MOSFET
1) N溝道耗盡型MOSFET的結(jié)構(gòu)
N
2009-09-16 09:41:43
25079 規(guī)格書中會(huì)給出一顆元件的相關(guān)參數(shù)值和曲線。在設(shè)計(jì)初期選擇元件時(shí)，通過(guò)這些參數(shù)可以評(píng)估某顆元件是否適合應(yīng)用在需要的電路中。在規(guī)格書中，一些參數(shù)的測(cè)試條件（也就是得到這些參數(shù)的先決條件）是很關(guān)鍵的。很多時(shí)候，雖然是同一類元件，不同供應(yīng)商的測(cè)試條件不同，參數(shù)值也會(huì)有差異。
2023-08-31 10:18:132053 
Littelfuse P溝道功率MOSFETs，雖不及廣泛使用的N溝道MOSFETs出名，在傳統(tǒng)的應(yīng)用范圍也較有限，然而，隨著低壓（LV）應(yīng)用需求的增加， P溝道功率MOSFET的應(yīng)用范圍得到拓展。
2024-04-02 14:27:302758 
2023年2月20日，國(guó)民技術(shù)在深圳正式推出 兼具通用性、硬件安全性和車規(guī)級(jí)高可靠性等優(yōu)勢(shì)特性的N32A455系列車規(guī)級(jí)MCU 并宣布量產(chǎn)。這是繼N32S032車規(guī)級(jí)EAL5+安全芯片之后，國(guó)民技術(shù)
2023-02-21 13:51:271036 
`<p><font face="Verdana">N溝道MOSFET概述<br/&
2010-08-17 09:21:57
為正時(shí)，它充當(dāng)增強(qiáng)型MOSFET。N溝道場(chǎng)效應(yīng)管與P溝道場(chǎng)效應(yīng)管介紹N溝道MOSFET的源極接地，漏極連接到負(fù)載，當(dāng)柵極施加正電壓時(shí)，F(xiàn)ET導(dǎo)通。N 溝道 MOSFET是最常用且最容易使用的。它們
2023-02-02 16:26:45
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過(guò)程中，選擇N管還是P管，要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來(lái)選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
。功率 MOSFET 的分類及優(yōu)缺點(diǎn)和小功率 MOSFET 類似，功率 MOSFET 也有分為 N 溝道和 P 溝道兩大類；每個(gè)大類又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種。雖然耗盡型較之增強(qiáng)型有不少的優(yōu)勢(shì)，但實(shí)際上
2019-11-17 08:00:00
e圖2：空穴和電子的遷移率遷移率和tc成正比，由于空穴的有效質(zhì)量比較大，因此在同樣的摻雜濃度下，空穴的遷移率遠(yuǎn)小于電子，這意味著：同樣的晶元面積，P溝道的功率MOSFET的導(dǎo)通電阻也遠(yuǎn)大于N溝道的功率
2016-12-07 11:36:11
車規(guī)級(jí)GPS模塊有哪些特征？
2021-05-18 06:54:02
`各位今天聊聊車規(guī)級(jí)的芯片選型。如果需要的芯片沒(méi)有車規(guī)級(jí)別的，但又工業(yè)級(jí)別的。從穩(wěn)定性，可靠性方面考慮，應(yīng)該要層元器件的那些特性為主要的考慮因素呢，是溫度？`
2015-10-15 14:22:18
`AON7544 N溝道MOSFET采用最新的Trench Power AlphaMOS（αMOSLV）技術(shù)，具有極低的RDS（on），低柵極電壓和高電流能力，非常適合應(yīng)用在DC/DC電路中
2020-05-29 08:39:05
LT1158上單個(gè)輸入引腳的典型應(yīng)用同步控制圖騰柱配置中的兩個(gè)N溝道功率MOSFET
2019-05-28 09:02:21
LT1160的典型應(yīng)用 - 半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器。 LT 1160 / LT1162是經(jīng)濟(jì)高效的半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器
2019-05-14 09:23:01
IC圖2：用自舉電路對(duì)高側(cè)N溝道MOSFET進(jìn)行柵控極性決定了MOSFET的圖形符號(hào)。不同之處在于體二極管和箭頭符號(hào)相對(duì)于端子的方向。圖3：P溝道和N溝道MOSFET的原理圖注意體二極管和箭頭相對(duì)漏極
2018-03-03 13:58:23
PCA9685是車規(guī)級(jí)的么？我想要一個(gè)車規(guī)級(jí)的PWM輸出信號(hào)芯片（引腳越多越好）有沒(méi)有推薦。TLC5940-EP怎么樣
2021-05-24 09:43:54
` 誰(shuí)來(lái)闡述一下什么是車規(guī)級(jí)芯片？`
2019-10-18 10:55:55
N溝道和P溝道MOSFET哪個(gè)常用?增強(qiáng)型和耗盡型的哪個(gè)常用?
2019-05-13 09:00:00
LT1336的典型應(yīng)用是具有成本效益的半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器。浮動(dòng)驅(qū)動(dòng)器可以驅(qū)動(dòng)頂部N溝道功率MOSFET工作在高達(dá)60V（絕對(duì)最大值）的高壓（HV）軌道上工作
2019-05-10 06:46:05
。功率 MOSFET 的分類及優(yōu)缺點(diǎn)和小功率 MOSFET 類似，功率 MOSFET 也有分為 N 溝道和 P 溝道兩大類；每個(gè)大類又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種。雖然耗盡型較之增強(qiáng)型有不少的優(yōu)勢(shì)，但實(shí)際上
2019-11-17 08:00:00
溝道MOSFET也可用作降壓穩(wěn)壓器高側(cè)開關(guān)。這些應(yīng)用需要自舉電路或其它形式的高側(cè)驅(qū)動(dòng)器。圖1：具有電平移位器的高側(cè)驅(qū)動(dòng)IC。圖2：用自舉電路對(duì)高側(cè)N溝道MOSFET進(jìn)行柵控。極性決定了MOSFET的圖形
2021-04-09 09:20:10
請(qǐng)問(wèn)車規(guī)級(jí)芯片到底有哪些要求？
2021-06-18 07:56:37
2023年2月20日，國(guó)民技術(shù)在深圳正式推出兼具通用性、硬件安全性和車規(guī)級(jí)高可靠性等優(yōu)勢(shì)特性的N32A455系列車規(guī)級(jí)MCU并宣布量產(chǎn)。這是繼N32S032車規(guī)級(jí)EAL5+安全芯片之后，國(guó)民技術(shù)發(fā)布
2023-02-20 17:44:27
N溝道增強(qiáng)型MOSFET
N溝道增強(qiáng)型MOSFET的工作原理
1) N溝道增強(qiáng)型MOSFET的結(jié)構(gòu)N 溝道增強(qiáng)型
2009-09-16 09:38:1810743 安森美半導(dǎo)體推出12款新N溝道功率MOSFET系列
經(jīng)過(guò)100%雪崩測(cè)試的MOSFET提供業(yè)界領(lǐng)先的雪崩額定值，能承受電源和電機(jī)控制應(yīng)用中的大電壓尖峰
2010年2月2日 – 應(yīng)用
2010-02-03 10:13:151453 Vishay推出500V N溝道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的
2010-04-07 10:52:521102 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出業(yè)內(nèi)采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級(jí)封裝的N溝道和P溝道功率
2011-10-21 08:53:051058 最小的0.8mm x 0.8mm芯片級(jí)封裝的N溝道和P溝道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFETreg
2019-01-01 16:29:011015 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是2SK1838硅N溝道MOSFET的數(shù)據(jù)手冊(cè)免費(fèi)下載。
2020-03-02 08:00:00
0 電源系統(tǒng)中的恒定電流源，固態(tài)繼電器，電信開關(guān)和高壓直流線路等應(yīng)用需要N溝道耗盡型功率MOSFET，當(dāng)柵極至源極電壓為零時(shí)，該MOSFET用作常開的開關(guān)。本文將介紹IXYS最新的N溝道耗盡型功率
2021-05-27 12:18:589886 
LT1158：半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表
2021-05-20 18:32:194 N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET G23N06K規(guī)格書英文版
2021-12-02 10:49:100 車規(guī)級(jí)芯片是，汽車元件。車規(guī)級(jí)是適用于汽車電子元件的規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)。目前汽車電動(dòng)化、智能化、網(wǎng)聯(lián)化、共享化，車規(guī)級(jí)芯片起著至關(guān)重要的存在。 車規(guī)級(jí)芯片的分類 按功能劃分，車規(guī)級(jí)芯片分為控制類、功率類
2021-12-09 14:23:2421723 60 V、350 mA 雙 N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002PV
2023-02-07 19:58:450 60 V、340 mA 雙 N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002BKV
2023-02-07 19:59:000 60 V、雙 N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002HS
2023-02-14 19:22:520 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002HW
2023-02-15 18:43:580 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002H
2023-02-15 18:44:250 60 V N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002KQB
2023-02-15 19:23:530 60 V、320 mA 雙 N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002PS
2023-02-17 19:11:240 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002NXBK
2023-02-20 19:44:550 60 V，單個(gè) N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002NXAK
2023-02-20 19:46:430 60 V、300 mA N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002
2023-02-21 19:23:100 60 V、310 mA N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002BKW
2023-02-27 18:37:320 60 V、300 mA 雙 N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002BKS
2023-02-27 18:37:490 60 V，單個(gè) N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002BKMB
2023-03-02 23:03:101 按功能種類劃分，車規(guī)級(jí)半導(dǎo)體大致可分為主控/計(jì)算類芯片（MCU、CPU、FPGA、ASIC和AI芯片等）、功率半導(dǎo)體（IGBT和MOSFET）、傳感器（CIS、加速傳感器等）、無(wú)線通信及車載接口類芯片、車用存儲(chǔ)器等。
2023-04-18 11:52:031366 2023年2月20日，國(guó)民技術(shù)在深圳正式推出兼具通用性、硬件安全性和車規(guī)級(jí)高可靠性等優(yōu)勢(shì)特性的N32A455系列車規(guī)級(jí)MCU并宣布量產(chǎn)。這是繼N32S032車規(guī)級(jí)EAL5+安全芯片之后，國(guó)民技術(shù)發(fā)布
2023-03-18 10:27:551603 
1、SiC MOSFET對(duì)器件封裝的技術(shù)需求
2、車規(guī)級(jí)功率模塊封裝的現(xiàn)狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來(lái)模塊封裝發(fā)展趨勢(shì)及看法
2023-10-27 11:00:522610 
晶振進(jìn)行比較，全面解析它們之間的差異。 首先，我們來(lái)介紹車規(guī)級(jí)晶振的特點(diǎn)。車規(guī)級(jí)晶振是一種高性能、高精度的晶振，廣泛應(yīng)用于汽車電子領(lǐng)域。它具有以下特點(diǎn)： 1. 溫度穩(wěn)定性：車規(guī)級(jí)晶振能夠在廣泛的溫度范圍內(nèi)保持較高的
2023-11-17 11:31:522042 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LTS7446FL-N N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-24 11:23:032 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《FS60N03 N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-09-23 14:59:080 在中低壓功率轉(zhuǎn)換與高頻開關(guān)領(lǐng)域，N溝道MOSFET的性能直接決定系統(tǒng)能效與可靠性。本文針對(duì)仁懋電子（MOT）的MOT3150J型號(hào)，從電氣參數(shù)、特性優(yōu)勢(shì)到實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景展開深度剖析，為工程師選型與系統(tǒng)
2025-10-23 11:17:26377 
在汽車電子的中低壓功率控制領(lǐng)域，從電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向（EPS）到智能水泵、風(fēng)機(jī)系統(tǒng)，對(duì)器件的可靠性、效率與電流承載能力提出了嚴(yán)苛要求。中科微電推出的車規(guī)級(jí)N溝道MOSFET——ZK60G270G，憑借
2025-10-27 14:18:15262 
意法半導(dǎo)體 STL320N4LF8 N溝道STripFET F8功率MOSFET 采用STripFET F8溝槽式MOSFET技術(shù)制造而成。 該器件完全符合工業(yè)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)。STL320N4LF8可降低
2025-10-29 15:48:51509 
仁懋電子（MOT）推出的MOT70R280D是一款基于超級(jí)結(jié)技術(shù)的N溝道功率MOSFET，憑借700V級(jí)耐壓、超低導(dǎo)通損耗及高魯棒性，廣泛適用于功率因數(shù)校正（PFC）、開關(guān)模式電源（SMPS
2025-10-31 17:31:08179 仁懋電子（MOT）推出的MOT5122T是一款面向大電流低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借120V耐壓、超低導(dǎo)通損耗及260A超大電流承載能力，廣泛適用于高功率系統(tǒng)逆變器、輕型電動(dòng)車、電池
2025-10-31 17:33:14177 、負(fù)載開關(guān)等）。以下從器件特性、電氣參數(shù)、封裝應(yīng)用等維度展開說(shuō)明。一、產(chǎn)品基本信息MOT50N02D為N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，核心參數(shù)表現(xiàn)為：漏源極耐壓（\(
2025-10-31 17:36:09229 領(lǐng)域。以下從器件特性、電氣參數(shù)、封裝應(yīng)用等維度展開說(shuō)明。一、產(chǎn)品基本信息MOT5N50MD為N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，核心參數(shù)表現(xiàn)為：漏源極耐壓（\(V_{D
2025-11-03 15:26:33300 電源模塊等領(lǐng)域。以下從器件特性、電氣參數(shù)、應(yīng)用場(chǎng)景等維度展開說(shuō)明。一、產(chǎn)品基本信息MOT90N03D為N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，核心參數(shù)表現(xiàn)為：漏源極耐壓（\(V
2025-11-03 16:33:23497 領(lǐng)域。以下從器件特性、電氣參數(shù)、封裝應(yīng)用等維度展開說(shuō)明。一、產(chǎn)品基本信息MOT9N50D為N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，核心參數(shù)表現(xiàn)為：漏源極耐壓（\(V_{DSS
2025-11-04 15:22:12226 仁懋電子（MOT）推出的MOT4N65F是一款面向650V高壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、高輸入阻抗及RoHS合規(guī)性，廣泛適用于電子鎮(zhèn)流器、電子變壓器、開關(guān)模式電源等領(lǐng)域
2025-11-04 15:59:03238 等領(lǐng)域。以下從器件特性、電氣參數(shù)、封裝應(yīng)用等維度展開說(shuō)明。一、產(chǎn)品基本信息MOT15N50F為N溝道功率MOSFET，核心參數(shù)表現(xiàn)為：漏源極耐壓（\(V_{DSS
2025-11-05 12:10:09283 、輕型電動(dòng)車、無(wú)人機(jī)等大功率場(chǎng)景。以下從器件特性、電氣參數(shù)、封裝應(yīng)用等維度展開說(shuō)明。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V
2025-11-05 15:28:39205 及260A超大電流承載能力，廣泛適用于高功率系統(tǒng)逆變器、輕型電動(dòng)車、電池管理系統(tǒng)（BMS）、無(wú)人機(jī)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：
2025-11-05 15:53:52211 仁懋電子（MOT）推出的MOT70N03D是一款面向30V低壓大電流開關(guān)場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通損耗、70A大電流承載能力及RoHS合規(guī)性，適用于各類開關(guān)應(yīng)用（如DC-DC
2025-11-05 16:01:03243 DC-DC轉(zhuǎn)換器、大功率負(fù)載開關(guān)等）。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓大電流供電場(chǎng)
2025-11-06 15:44:22308 領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：700V，適配高壓高頻供電系統(tǒng)；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS
2025-11-06 16:12:24298 電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：650V，適配高壓高頻供電系統(tǒng)；導(dǎo)通電阻（\(R
2025-11-06 16:15:37292 領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：500V，適配高壓高頻供電系統(tǒng)；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS
2025-11-07 10:23:59241 。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：700V，適配高壓高頻供電系統(tǒng)；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(
2025-11-07 10:31:03211 。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：650V，適配高壓高頻供電系統(tǒng)；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(o
2025-11-07 10:40:08223 逆變器、輕型電動(dòng)車、無(wú)人機(jī)等大功率場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：60V，適配低壓大電
2025-11-10 15:50:16248 逆變器、輕型電動(dòng)車、BMS（電池管理系統(tǒng)）、無(wú)人機(jī)等大功率場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）
2025-11-10 16:01:46413 轉(zhuǎn)換器、大功率負(fù)載開關(guān)等）。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓大電流供電場(chǎng)景；導(dǎo)通
2025-11-11 09:18:36255 仁懋電子（MOT）推出的MOT2N65D是一款面向650V高壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及650V耐壓，廣泛適用于高效開關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED電源等
2025-11-11 09:23:54217 。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：700V，適配高壓高頻供電系統(tǒng)；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(
2025-11-12 14:15:44279 系統(tǒng)逆變器、輕型電動(dòng)車、BMS（電池管理系統(tǒng)）、無(wú)人機(jī)等大功率場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\
2025-11-14 12:03:12167 仁懋電子（MOT）推出的MOT2N65F是一款面向650V高壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及TO-220F封裝適配性，適用于高效開關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器
2025-11-17 14:37:39200 逆變器、輕型電動(dòng)車、BMS（電池管理系統(tǒng)）、無(wú)人機(jī)等大功率場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)
2025-11-18 15:58:04228 、輕型電動(dòng)車、BMS（電池管理系統(tǒng)）、無(wú)人機(jī)等大功率場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：1
2025-11-18 16:04:11277 DC/DC轉(zhuǎn)換器、高頻開關(guān)與同步整流等場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓
2025-11-18 16:08:14326 系統(tǒng)逆變器、輕型電動(dòng)車、BMS（電池管理系統(tǒng)）、無(wú)人機(jī)等大功率場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\
2025-11-19 15:15:00184 系統(tǒng)逆變器、輕型電動(dòng)車、BMS（電池管理系統(tǒng)）、無(wú)人機(jī)等大功率場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\
2025-11-19 15:21:04222 仁懋電子（MOT）推出的MOT50N03C是一款面向30V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷及快速開關(guān)特性，適用于各類開關(guān)應(yīng)用場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N
2025-11-20 16:22:54305 mm封裝，具有下拉和中心柵極設(shè)計(jì)，可提高功率密度、效率和散熱性能。該N溝道MOSFET無(wú)鉛、無(wú)鹵/無(wú)BFR，符合RoHS指令。NTMFSS0D9N03P8 MOSFET非常適合用于ORing、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電源負(fù)載開關(guān)和直流/直流應(yīng)用。
2025-11-24 15:35:18263 
電動(dòng)車、BMS（電池管理系統(tǒng)）、無(wú)人機(jī)等大功率場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：60V，適
2025-11-24 17:04:20514 電動(dòng)車、BMS（電池管理系統(tǒng)）、無(wú)人機(jī)等大功率場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適
2025-11-24 17:23:08546 在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中，功率MOSFET是至關(guān)重要的元件，它對(duì)設(shè)備的性能和效率有著深遠(yuǎn)的影響。今天，我們要深入探討的是ON Semiconductor推出的NVMYS3D8N04CL單N溝道功率MOSFET，看看它有哪些獨(dú)特的特性和優(yōu)勢(shì)。
2025-11-28 14:03:45182 
作為電子工程師，在設(shè)計(jì)過(guò)程中，選擇合適的功率MOSFET至關(guān)重要。今天就來(lái)詳細(xì)介紹onsemi推出的NVTYS020N08HL N溝道功率MOSFET，探討它的特性、參數(shù)以及在實(shí)際應(yīng)用中的表現(xiàn)。
2025-12-01 09:34:36356 
在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是不可或缺的關(guān)鍵元件。今天，我們聚焦于ON Semiconductor推出的一款單N溝道功率MOSFET——NVMYS4D5N04C，深入剖析其特性、參數(shù)及應(yīng)用場(chǎng)景。
2025-12-01 14:41:37268 
在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，功率 MOSFET 是至關(guān)重要的元件，它廣泛應(yīng)用于各類電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等電路中。今天，我們就來(lái)詳細(xì)剖析 onsemi 推出的 NVMFWS003N10MC 單通道 N 溝道功率 MOSFET，看看它有哪些獨(dú)特之處。
2025-12-02 11:43:20466 
在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，功率 MOSFET 是一種常見且關(guān)鍵的元件。今天，我們要詳細(xì)探討的是 onsemi 公司的 NTMFS5H663NL 這款 N 溝道功率 MOSFET，它具有諸多出色的特性，適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。
2025-12-02 15:53:58337 
在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，功率 MOSFET 是不可或缺的關(guān)鍵元件。今天，我們將深入探討安森美（onsemi）的 NTMFWS1D5N08X 這款高性能 N 溝道功率 MOSFET，為大家詳細(xì)解析其特點(diǎn)、參數(shù)及應(yīng)用場(chǎng)景。
2025-12-03 11:30:32422 
在電子工程領(lǐng)域，MOSFET作為關(guān)鍵的功率器件，其性能和特性對(duì)電路設(shè)計(jì)起著至關(guān)重要的作用。今天我們來(lái)深入了解一下onsemi推出的NTBLS0D8N08X，這是一款80V、0.79mΩ、457A的單N溝道功率MOSFET，它在多個(gè)方面展現(xiàn)出了卓越的性能。
2025-12-03 11:42:19455 
在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET是不可或缺的關(guān)鍵元件。今天，我們來(lái)詳細(xì)探討Onsemi公司的NTMFS3D2N10MD這款N溝道功率MOSFET，看看它在實(shí)際應(yīng)用中能為我們帶來(lái)哪些優(yōu)勢(shì)。
2025-12-08 16:38:38548 
在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET 憑借其卓越的性能逐漸成為眾多應(yīng)用的首選。今天我們就來(lái)詳細(xì)解析 onsemi 的 NTHL045N065SC1 這款 N 溝道 SiC 功率 MOSFET。
2025-12-08 16:55:38626 
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