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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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碳化硅如何能夠提升開關(guān)電源設(shè)計(jì)
一個(gè)關(guān)鍵的比較參數(shù)是導(dǎo)通電阻RDS(on)。硅MOSFET表面的參數(shù)看起來比SiC更好,但由于其較低的倍增系數(shù)(κ),在100℃時(shí),一個(gè)84mΩ的Coo...
2021-04-14 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源碳化硅 1792 0
開關(guān)模式電源電流檢測(cè):檢測(cè)電阻的放置位置
電流檢測(cè)電阻與開關(guān)穩(wěn)壓器架構(gòu)的放置決定了要檢測(cè)的電流。檢測(cè)的電流包括峰值電感電流、谷值電感電流(連續(xù)導(dǎo)通模式下電感電流的最小值)和平均輸出電流。檢測(cè)電阻...
2023-05-01 標(biāo)簽:MOSFET電阻器開關(guān)穩(wěn)壓器 1791 0
MOSFET和IGBT設(shè)計(jì)高性能自舉式柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)指南
驅(qū)動(dòng)電路和以兩個(gè)輸入電壓作為擺幅的偏置電路,都與器件的源極軌連。但是,驅(qū)動(dòng)電路和它的浮動(dòng)偏置可以通過低壓電路實(shí)現(xiàn),因?yàn)檩斎腚妷翰粫?huì)作用到這些電路上。
2023-12-11 標(biāo)簽:MOSFETIGBT驅(qū)動(dòng)電路 1790 0
降壓開關(guān)穩(wěn)壓器如何使用串聯(lián)晶體管或功率MOSFET?
降壓開關(guān)穩(wěn)壓器是一種開關(guān)模式電源電路,旨在有效地將直流電壓從較高電壓降低到較低電壓,即減去或“降壓”電源電壓,從而降低輸出端可用的電壓端子無需改變極性。...
2023-07-11 標(biāo)簽:MOSFET穩(wěn)壓器開關(guān)模式電源 1787 0
隨著半導(dǎo)體行業(yè)的最新進(jìn)展,對(duì)具有金屬源極和漏極觸點(diǎn)的肖特基勢(shì)壘 (SB) MOSFET 的研究正在興起。在 SB MOSFET 中,源極和漏極構(gòu)成硅化物...
IGBT和SiC柵極驅(qū)動(dòng)器基礎(chǔ)知識(shí)(一)
大家好,看到TI一篇關(guān)于IGBT和SiC器件柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的文檔,雖然比較基礎(chǔ),但是概括的比較好,適合電力電子專業(yè)的初學(xué)者,總體內(nèi)容如下。
經(jīng)濟(jì)水平的提高,大眾的休閑娛樂方式也隨之發(fā)生較大的改變。很多企業(yè)為了讓新手玩家更好地體驗(yàn)養(yǎng)魚的樂趣,開始推出智能魚缸產(chǎn)品,能實(shí)現(xiàn)自動(dòng)投食、恒溫控制以及水...
功率系統(tǒng)中SiC MOSFET/Si IGBT柵極參數(shù)自動(dòng)測(cè)試與計(jì)算新方案
柵極參數(shù)設(shè)計(jì)是通過理論計(jì)算或建模仿真,模擬器件的開關(guān)狀態(tài),掌握其動(dòng)態(tài)特性。常用的仿真軟件有ANSYS和MATLAB等,其核心還是理論計(jì)算。
高效化和小型化,一直都是功率電源發(fā)展的兩個(gè)方向。同步BUCK在這兩個(gè)方面的卓越表現(xiàn),也是在越來越多的場(chǎng)合得到了運(yùn)用,像鋰電池充電、二次磚塊電源等等。如圖...
以雙極性方式驅(qū)動(dòng)單極柵極驅(qū)動(dòng)器
當(dāng)驅(qū)動(dòng)中高功率MOSFET和IGBT時(shí),當(dāng)功率器件兩端出現(xiàn)高電壓變化率時(shí),存在米勒效應(yīng)引起的導(dǎo)通風(fēng)險(xiǎn)。電流通過柵極至漏極或柵極至集電極電容注入功率器件的...
2023-02-01 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 1773 0
電力電子世界在1959年取得突破,當(dāng)時(shí)Dawon Kahng和Martin Atalla在貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明了金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。...
開關(guān)穩(wěn)壓器的適用范圍 使用注意事項(xiàng)
開關(guān)穩(wěn)壓器是通過一個(gè)快速開關(guān)管,如MOSFET或BJT,來將輸入電壓交替導(dǎo)通和截止,從而產(chǎn)生高頻脈沖信號(hào)。在穩(wěn)壓器的輸出端,這些脈沖信號(hào)通過濾波電路...
2023-02-28 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)穩(wěn)壓器濾波電路 1771 0
低IQ降壓型直流/直流控制器實(shí)現(xiàn)100%占空比操作
LTC3864 具有低 IQ降壓型直流/直流控制器。它控制一個(gè)外部 P 溝道 MOSFET,以在易于使用的 3 引腳封裝中提供出色的輕負(fù)載效率、寬輸入電...
2023-04-18 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器控制器 1768 0
碳化硅的主要特性是什么?為什么碳化硅在高頻下的性能優(yōu)于IGBT?
碳化硅(SiC)是一種由硅(Si)和碳(C)組成的半導(dǎo)體化合物,屬于寬帶隙(WBG)材料家族。
【技術(shù)大咖測(cè)試筆記系列】之八:低功率范圍內(nèi)的MOSFET表征
低電流范圍內(nèi)電氣表征的典型問題是:必需確定低功率/低漏流MOSFET在不同條件下可實(shí)現(xiàn)的器件性能。
直流/直流轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)表:系統(tǒng)損耗揭秘
讓我們先來看看在集成高側(cè)MOSFET中的開關(guān)損耗。在每個(gè)開關(guān)周期開始時(shí),驅(qū)動(dòng)器開始向集成MOSFET的柵極供應(yīng)電流。從第1部分,您了解到MOSFET在其...
2023-04-14 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器穩(wěn)壓器 1766 0
今天想抽出點(diǎn)時(shí)間來聊一下復(fù)合器件(Si IGBT + SiC MOSFET),我也不太清楚這個(gè)中文名字應(yīng)該叫什么,文獻(xiàn)里都叫做Hybrid switch...
對(duì)于經(jīng)驗(yàn)豐富的專業(yè)人士來說,不言而喻的事情有時(shí)可能會(huì)給經(jīng)驗(yàn)不足的人帶來誤解。作為測(cè)試設(shè)備制造商,我們意識(shí)到用戶對(duì)雙脈沖測(cè)試有不同的看法。
MOSFET和IGBT區(qū)別及高導(dǎo)熱絕緣氮化硼材料在MOSFET的應(yīng)用
引言:EV和充電樁將成為IGBT和MOSFET最大單一產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)袌?chǎng)!EV中的電機(jī)控制系統(tǒng)、引擎控制系統(tǒng)、車身控制系統(tǒng)均需使用大量的半導(dǎo)體功率器件,它的普及...
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