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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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Q關(guān)斷,集電極電壓開始上升到2Vdc,電容C限制集電極電壓的上升速度,并減小上升電壓和下降電流的重疊,減低開關(guān)管Q的損耗。
2023-05-30 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源變換器 1761 0
基于P溝道MOSFET反向保護(hù)電路的設(shè)計(jì)
在直流系統(tǒng)中,比如汽車電子設(shè)計(jì)中,當(dāng)電池接反時(shí),使用電池作為電源的電路可能會(huì)損壞,所以一般需要反向電壓保護(hù)電路。其實(shí)用MOSFET作為反向保護(hù)電路一般比...
MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)和應(yīng)用
MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)作為...
柵極驅(qū)動(dòng)IC(Gate Driver IC)和源極(Source)是兩個(gè)在電子和電力電子領(lǐng)域中常見的概念,它們?cè)诠δ芎蛻?yīng)用上有著明顯的區(qū)別。 柵極驅(qū)動(dòng)I...
MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)常見參數(shù)解析——EASIGSS/Rds(on)/Coss
MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)常見參數(shù)解析——EASIGSS/Rds(on)/Coss
使用MD7120 MOSFET驅(qū)動(dòng)器的D類功率音頻放大器電路設(shè)計(jì)
這是使用IC MD7120作為MOSFET驅(qū)動(dòng)器的D類功率音頻放大器的電路設(shè)計(jì)。 MD7120 用于驅(qū)動(dòng)在 H 橋開關(guān)兩側(cè)運(yùn)行的四個(gè) N 溝道 MOSF...
2023-07-28 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路設(shè)計(jì) 1750 0
過去三十年,碳化硅功率半導(dǎo)體行業(yè)取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步,但在降低缺陷方面依然面臨著重大挑戰(zhàn)。其主要問題是——碳化硅與柵氧化層之間的界面處存在著大量的缺陷。在N...
用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的MOSFET驅(qū)動(dòng)器
在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,柵極驅(qū)動(dòng)器或“預(yù)驅(qū)動(dòng)器” IC常與N溝道功率MOSFET一起使用,以提供驅(qū)動(dòng)電機(jī)所需的大電流。在選擇驅(qū)動(dòng)器IC、MOSFET以及某些情...
2023-08-02 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器直流電機(jī) 1748 0
數(shù)據(jù)手冊(cè)就是電子元件的使用說明書,在電路設(shè)計(jì)之前,十分有必要通讀數(shù)據(jù)手冊(cè),并了解產(chǎn)品的重要性能參數(shù)。在MOSFET的數(shù)據(jù)手冊(cè)中極限值表格中的總功率損耗P...
使用數(shù)字控制器設(shè)計(jì)多相降壓轉(zhuǎn)換器
近幾十年來,服務(wù)器和計(jì)算機(jī)系統(tǒng)架構(gòu)隨著電力輸送 (PD) 需求的增加而增加。這使穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)復(fù)雜化,因?yàn)樗枰谔岣咝屎涂焖賱?dòng)態(tài)響應(yīng)之間以及在更低功率損...
2022-07-25 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET數(shù)字控制器 1744 0
深入對(duì)比SiC MOSFET vs Qorvo SiC FET
眾多終端產(chǎn)品制造商紛紛選擇采用SiC技術(shù)替代硅基工藝,來開發(fā)基于雙極結(jié)型晶體管(BJT)、結(jié)柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(M...
2024-04-10 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管SiC 1743 0
42V、2A/3A峰值同步降壓型穩(wěn)壓器,具有2.5μA靜態(tài)電流和超低EMI輻射
LT8609、LT8609A、LT8609B和LT8609S是同步單芯片降壓型穩(wěn)壓器,具有3 V至42 V寬輸入范圍。該器件系列針對(duì)需要低 EMI、高效...
2023-06-26 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET穩(wěn)壓器 1741 1
如果無法應(yīng)用被動(dòng)解決方案,最好使用主動(dòng)解決方案,這些解決方案通常由用于測(cè)量熱參數(shù)的系統(tǒng)和執(zhí)行器(恒溫器或恒濕器)組成。它控制改變熱量的設(shè)備(風(fēng)扇、加熱器...
服務(wù)器電源主要用在數(shù)據(jù)中心場(chǎng)景中,主要應(yīng)用于服務(wù)器、存儲(chǔ)器等設(shè)備。它和PC電源一樣,都是一種開關(guān)電源。
2024-01-25 標(biāo)簽:變壓器MOSFET開關(guān)電源 1740 0
N溝道增強(qiáng)型MOSFET的優(yōu)缺點(diǎn)
N溝道增強(qiáng)型MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體...
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