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簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

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萬用表測量MOS管好壞

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2023-09-10 標簽：二極管萬用表 MOSFET 1826 0

碳化硅MOSFET芯片設計及發(fā)展趨勢

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看一下MOSFET場效應管的相關知識內(nèi)容和典型的使用方法

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ROHM借助更合適的同步整流技術滿足市場需求

如果控制器的輸出和柵極之間存在不連續(xù)的情況，那么MOSFET將無法打開，且電流會流過體二極管，從而導致MOSFET過熱。

2021-05-18 標簽：MOSFET 氮化鎵同步整流 1819 0

HL型柵極驅動器內(nèi)部結構解析

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國產(chǎn)第二代碳化硅MOSFET在直流充電樁電源模塊中的應用

國芯思辰，國產(chǎn)芯片替代

2023-08-02 標簽：MOSFET 充電樁碳化硅MOSFET 1816 0

同步降壓型DC/DC控制器LTC3878/79的性能特點及應用范圍

Linear推出的高效率 No RSENSE同步降壓型 DC/DC 控制器 LTC3878 和 LTC3879。它們的恒定接通時間谷值電流模式控制和很短...

2020-12-09 標簽：電容器 mosfet 控制器 1813 0

三菱電機1200V級SiC MOSFET技術解析

1200V級SiC MOSFET是一種能充分發(fā)揮SiC優(yōu)勢的器件，廣泛應用于工業(yè)、汽車等領域。目前，1200V級SiC MOSFET被多家器件廠商定位為...

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可靠性是基礎—非隔離電源管理芯片U6110介紹

針對常見的電源拓撲結構來講，非隔離電源包括Buck、Boost、Buck-Boost等。

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門驅動的欠壓保護功能及其注意事項

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2023-04-03 標簽：芯片 MOSFET IGBT 1811 0

相移全橋電路的功率轉換效率提升：效率的評估

相移全橋電路的功率轉換效率提升，針對本系列文章的主題——轉換效率，本文將會給出使用實際電源電路進行評估的結果。具體而言，本文對Q1～Q4的MOSFET使...

2023-02-13 標簽：MOSFET 全橋電路功率轉換效率 1810 0

凌鷗創(chuàng)芯推出汽車水泵電機控制方案

車規(guī)級MCU芯片LKS32AT086N8Q9和LKS32AT089XLN8Q9，集成32位Cortex-M0內(nèi)核與三相全橋自舉式柵極驅動模塊，可直接驅動...

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射頻功率放大器中常用的MOSFET類型有哪些

在射頻功率放大器中，MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）的選擇對于實現(xiàn)高效、穩(wěn)定的功率放大至關重要。雖然射頻功率放大器的設計可能涉及多種不同類型...

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Flyback拓撲電源輻射干擾的預測方法

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防輻射硅：仍然是空間電子學的標桿

性能、可靠性和飛行傳統(tǒng)通常是空間應用電子產(chǎn)品的主要關注點。根據(jù)任務壽命和配置文件，設計人員在某些情況下可能會考慮使用商用現(xiàn)貨 (COTS) 部件。但是 ...

2022-08-04 標簽：MOSFET 功率器件 COTS 1802 0

PFC拓撲利用硅MOSFET的模塊化柵極驅動方法

本文介紹了一種多級圖騰柱PFC拓撲，該拓撲利用硅MOSFET的簡單性和成熟度以及一種新穎的模塊化柵極驅動方法，實現(xiàn)了與使用寬帶隙半導體的傳統(tǒng)電路相比，通...

2022-10-19 標簽：MOSFET PFC 柵極驅動 1802 0

具有驅動器源極引腳的MOSFET的工作情況

具備驅動器源極引腳，可以消除VLSOURCE對VGS_INT的影響。

2022-06-29 標簽：MOSFET 驅動器驅動電路 1800 0

同步升壓電路的基本原理和組成部分

同步升壓電路是一種重要的電路設計方案，它通過將輸入電壓轉換為更高的輸出電壓，廣泛應用于電源模塊、照明設備、電動汽車充電系統(tǒng)、太陽能和風能儲能系統(tǒng)以及便攜...

2024-08-28 標簽：MOSFET 升壓電路開關元件 1797 0

簡述碳化硅MOSFET尖峰的抑制 2

SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導體具有擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優(yōu)勢，在各種各樣的電源應用范圍在迅速地擴大。其中一個...

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pFET線性穩(wěn)壓器具有低壓差

P溝道MOSFET（pFET）雖然比pnp晶體管貴，但不存在與pnp電路中基極驅動相關的耗散損耗。pFET 在輕負載時也具有較低的飽和電壓（圖 1）。事...

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