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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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IR電池保護(hù)MOSFET系列為移動(dòng)應(yīng)用提供靈活解決方案
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司(International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR)近日針對(duì)鋰離子電池保護(hù)應(yīng)用推出配備IR最...
中國上海,2014年11月20日–日本半導(dǎo)體制造商株式會(huì)社東芝(Toshiba)旗下東芝半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司宣布,東芝參加了于2014年11月16日至2...
IR針對(duì)工業(yè)應(yīng)用推出具有超低導(dǎo)通電阻的表面貼裝75V MOSFET
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商–國際整流器公司近日推出75V器件以擴(kuò)充StrongIRFETMOSFET系列,適合多種工業(yè)應(yīng)用,包括電動(dòng)工具、輕型電動(dòng)...
安森美半導(dǎo)體推出能降低損耗的低壓功率MOSFET新系列
推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出新系列的6款N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET),它們經(jīng)過設(shè)計(jì)及優(yōu)化,...
2014-05-21 標(biāo)簽:MOSFET安森美半導(dǎo)體APEX 1.3k 0
Vishay推出應(yīng)用在便攜電子中的最低導(dǎo)通電阻的新款MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出采用超小尺寸、熱增強(qiáng)PowerPAK? SC-70...
專有的 Optoplanar 封裝技術(shù)助力高級(jí) 2.5 A 輸出光電耦合器
該光電耦合器可實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)驅(qū)動(dòng)功率 IGBT 和 MOSFET ,同時(shí)提高系統(tǒng)效率,絕緣工作電壓額定值 (VIORM) 為 1,414 V,比競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品高...
Vishay發(fā)布寬體IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器 可用于高壓應(yīng)用領(lǐng)域
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、太陽能逆變器、新能源和焊接設(shè)備,以及...
飛兆推出空間節(jié)省型封裝和可優(yōu)化電能應(yīng)用的中壓MOSFET
許多終端應(yīng)用 – 比如IP電話、電機(jī)控制電路、有源鉗位開關(guān)和負(fù)載開關(guān) – 需要以更小的尺寸提供更高的能效,以便滿足制造商的要求。飛兆半導(dǎo)體開發(fā)了FDMC...
2014-02-14 標(biāo)簽:飛兆半導(dǎo)體MOSFET 1.2k 0
Vishay發(fā)布高性能非對(duì)稱雙片TrenchFET? MOSFET
Vishay發(fā)布采用PowerPAIR? 3mm x 3mm封裝,使用TrenchFET? Gen IV技術(shù)的新款30V非對(duì)稱雙片TrenchFET 功...
Vishay推出具有業(yè)內(nèi)最低RDS(on)的P溝道MOSFET
日前,Vishay宣布,推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP,擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MO...
Vishay的Si7655DN -20V P溝道MOSFET榮獲EDN China 2013創(chuàng)新獎(jiǎng)之最佳產(chǎn)品獎(jiǎng)
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,其Si7655DN -20V P溝道Gen III功率...
Vishay推出業(yè)內(nèi)首款通過汽車電子元件標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101認(rèn)證的非對(duì)稱封裝雙芯片MOSFET
賓夕法尼亞、MALVERN — 2013 年 12 月12 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):...
MOSFET封裝進(jìn)步幫助提供超前于芯片組路線圖的移動(dòng)功能
移動(dòng)電話滲透率在已開發(fā)市場(chǎng)達(dá)到了很高比例,而在世界上其他地區(qū)也不斷提高。根據(jù)GSMA的信息,先進(jìn)的歐洲國家的移動(dòng)用戶滲透率已經(jīng)超過90%。開發(fā)中市場(chǎng)的平...
2013-12-06 標(biāo)簽:MOSFET安森美半導(dǎo)體 864 0
Vishay推出業(yè)內(nèi)最小-20V P溝道Gen III MOSFET
賓夕法尼亞、MALVERN — 2013 年 12 月5 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):V...
Vishay P溝道Gen III MOSFET具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPA...
飛兆半導(dǎo)體MOSFET技術(shù)開發(fā)工程師Jaegil Lee先生表示,由于增加了便攜式設(shè)備的使用,在目前的電力系統(tǒng)中,對(duì)于電信網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)建設(shè)(3G / LTE...
2013-10-31 標(biāo)簽:飛兆半導(dǎo)體MOSFET電源管理 2.1k 0
IR推出 AUIRF8736M2 車用DirectFET2功率 MOSFET
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 宣布推出AUIRF8736M2 Di...
Vishay的Si7655DN MOSFET榮獲今日電子雜志的Top-10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)
2013 年 10 月10 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,其Si7655DN...
凌力爾特推出高端、高頻率 N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器
10 月 1 日 – 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高端、高頻率 N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器...
2013-10-09 標(biāo)簽:MOSFET凌力爾特柵極驅(qū)動(dòng)器 1.4k 0
恩智浦NextPowerS3可提供帶軟恢復(fù)功能的超快速開關(guān)性能的MOSFET
9月24日訊——恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)(納斯達(dá)克代碼:NXPI)近日宣布推出NextPowerS3——一款全新高...
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