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Cissoid推出1.2kV 450A碳化硅三相mosfet功率模塊 適用于汽車等應(yīng)用

lyj159 ? 來源:EEWORLD ? 作者:EEWORLD ? 2020-03-07 13:59 ? 次閱讀
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比利時(shí)Hi-rel Cissoid宣布推出一種1.2kV 450A碳化硅三相mosfet功率模塊,該模塊適用于汽車等應(yīng)用。

Cissoid首席執(zhí)行官Dave Hutton表示:“開發(fā)和優(yōu)化快速開關(guān)SiC電源模塊并可靠地驅(qū)動(dòng)它們?nèi)匀皇且粋€(gè)挑戰(zhàn),這款SiC智能電源模塊是針對(duì)極端溫度和電壓環(huán)境開發(fā)電源模塊和柵極驅(qū)動(dòng)器的多年經(jīng)驗(yàn)的成果。有了它,我們很高興支持汽車行業(yè)向高效的電動(dòng)汽車解決方案過渡。”

Cissoid聲稱,在600V 300A時(shí),導(dǎo)通電阻為3.25mΩ,開關(guān)損耗為8.3mJ導(dǎo)通和11.2mJ截止,與IGBT電源模塊相比,損耗至少降低了三倍。

AlSiC針翅式基板經(jīng)過水冷,結(jié)到流體的熱阻為0.15°C / W。在結(jié)點(diǎn)和-40°C下的最高工作溫度為175°C。

Cissoid-3相SiC-mosfet內(nèi)置三個(gè)板載5W隔離電源,可在高達(dá)125°C的環(huán)境中以高達(dá)25kHz的頻率切換電源通道。峰值柵極電流為10A,抗擾度》 50kV / μs。隔離等級(jí)為3.6kV(50Hz,1min)。典型的初級(jí)-次級(jí)電容通常為11pF /相。

輸入為高電平有效5V施密特觸發(fā)器輸入,具有低電平有效選項(xiàng),并且提供了隔離的每相開漏故障報(bào)告(具有每相選項(xiàng))。

包括的保護(hù)包括欠壓鎖定(UVLO),主動(dòng)米勒鉗制,去飽和檢測(cè)和軟關(guān)機(jī)。

模塊尺寸為103 x 154 x 43mm。

預(yù)計(jì)將在電動(dòng)汽車的電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器,重型電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器和重型有源整流器中使用工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。

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