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mosfet

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簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。

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飛兆半導(dǎo)體推出Dual Cool封裝的MOSFET

飛兆半導(dǎo)體已擴(kuò)展和改進(jìn)了其采用Dual Cool封裝的產(chǎn)品組合,這種封裝屬于業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)引腳排列封裝,帶有頂側(cè)冷卻,適用的產(chǎn)品中包括40-100V中壓產(chǎn)品系...

2013-01-08 標(biāo)簽:飛兆半導(dǎo)體MOSFET電源芯片 1.4k 0

常用功率器件MOSFET的基礎(chǔ)知識(shí)介紹

在這片文章里,我們給大家介紹最基本的功率器件MOSFET,對(duì)其進(jìn)行初步的解析和各種應(yīng)用介紹。

2012-12-29 標(biāo)簽:MOSFET功率器件 3.3k 0

美信(Maxim)CMOS模擬開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)精華集錦

美信(Maxim)CMOS模擬開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)精華集錦

集成模擬開(kāi)關(guān)常常用作模擬信號(hào)與數(shù)字控制器的接口。當(dāng)今市場(chǎng)上的模擬開(kāi)關(guān)數(shù)量眾多,產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員需要考慮多項(xiàng)性能標(biāo)準(zhǔn)。同時(shí)也有許多35年前開(kāi)發(fā)的標(biāo)準(zhǔn)CMOS開(kāi)...

2012-12-26 標(biāo)簽:CMOSMOSFET模擬開(kāi)關(guān) 2.0萬(wàn) 0

中科院宣布成功開(kāi)發(fā)22nm制程的MOSFET

 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所(IMECAS)宣布在22奈米 CMOS 制程上取得進(jìn)展,成功制造出高K金屬閘 MOSFET 。中科院指出,中國(guó)本土設(shè)計(jì)與制造的...

2012-12-26 標(biāo)簽:MOSFET功率器件 1.9k 2

同步整流技術(shù)在通信電源模塊中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

現(xiàn)今電力電子技術(shù)在電源模塊中發(fā)展的趨勢(shì)是低電壓、大電流。使得在次級(jí)整流電路中選用同步整流技術(shù)成為一種高效、低損耗的方法。

2012-12-24 標(biāo)簽:MOSFET通信電源同步整流 2.4k 0

飛兆半導(dǎo)體推出600V N-通道 SuperFET II MOSFET

高端AC-DC開(kāi)關(guān)電源 (SMPS) 應(yīng)用如伺服器、電信、計(jì)算及工業(yè)電源應(yīng)用需要高功率密度;為了取得成功,設(shè)計(jì)者需要具有成本效益的解決方案,從而佔(zhàn)用更小...

2012-12-17 標(biāo)簽:飛兆半導(dǎo)體MOSFET電源芯片 1.3k 1

羅姆試制出漏電流減少95%的SiC制MOSFET

姆與大阪大學(xué)研究生院工學(xué)研究科助教細(xì)井卓治、京都大學(xué)研究生院工學(xué)研究科教授木本恒暢及東電電子合作試制出了新的SiC制MOSFET。特點(diǎn)是將透過(guò)柵極絕緣膜...

2012-12-17 標(biāo)簽:MOSFETSiC羅姆 1.3k 0

麥瑞半導(dǎo)體推出N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器MIC5019

麥瑞半導(dǎo)體公司(Micrel Inc.)(納斯達(dá)克股票代碼:MCRL)今天推出了一款帶集成電荷泵的小型高邊MOSFET驅(qū)動(dòng)器MIC5019,該器件是為在...

2012-12-13 標(biāo)簽:MOSFET電源芯片麥瑞半導(dǎo)體 1.9k 0

IR推出StrongIRFET功率MOSFET系列

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 近日推出具有超低導(dǎo)通電阻 (RDS(...

2012-12-04 標(biāo)簽:MOSFET電源芯片IR公司 1.6k 0

飛兆半導(dǎo)體推出型號(hào)為FDB9403的40V PowerTrench MOSFET

飛兆半導(dǎo)體公司新推出了40V 的N溝道PowerTrench MOSFET FDB9403,該產(chǎn)品可幫助設(shè)計(jì)人員在汽車(chē)動(dòng)力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)的設(shè)計(jì)工程師需要能夠提...

2012-12-04 標(biāo)簽:飛兆半導(dǎo)體MOSFET電源芯片 1.3k 0

影響MOSFET性能的一些因素

MOSFET作為一種常用的功率器件,在電源的設(shè)計(jì)應(yīng)用中有著不可替代的地位,本文就影響MOSFET的一些因素進(jìn)行分析,給大家講述一下影響MOSFET的因素。

2012-12-03 標(biāo)簽:MOSFET功率器件 8.6k 0

恩智浦推高整合LED驅(qū)動(dòng)器 應(yīng)對(duì)MOSFET缺貨

產(chǎn)業(yè)鏈上某一環(huán)缺少都將引起產(chǎn)業(yè)動(dòng)蕩,日前由于高壓金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體(MOSFET)產(chǎn)能吃緊,LED照明系統(tǒng)商特別是恩智浦正在多方解決這一問(wèn)題,確...

2012-12-03 標(biāo)簽:MOSFETLED照明恩智浦 1.2k 0

Vishay推出最大導(dǎo)通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出業(yè)界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實(shí)現(xiàn)在...

2012-11-28 標(biāo)簽:MOSFETVishay導(dǎo)通電阻 2.6k 0

如何準(zhǔn)確選擇功率器件

所謂功率半導(dǎo)體器件,以前也被稱(chēng)為電力電子器件,簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),就是進(jìn)行功率處理的,具有處理高電壓,大電流能力的半導(dǎo)體器件。其電壓處理范圍從幾十V~幾千V,電流...

2012-11-22 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率器件 1.6萬(wàn) 0

Microchip推出內(nèi)建MOSFET驅(qū)動(dòng)器的高電壓模擬降壓PWM控制器

Microchip Technology宣佈推出全新電源轉(zhuǎn)換控制器系列及其首個(gè)功率MOSFET元件系列。該系列的全新脈衝寬度調(diào)變(PWM)控制器和互補(bǔ)型...

2012-11-20 標(biāo)簽:MOSFETMicrochip嵌入式芯片 1.5k 2

凌力爾特雙組Hot Swap控制器LTC4226具備彈性限流

凌力爾特(Linear Technology )發(fā)表雙組 Hot Swap控制器LTC4226,可安全地使電路板插入操作中的4.5V至44V背板。LTC...

2012-11-08 標(biāo)簽:MOSFET凌力爾特嵌入式芯片 1.4k 0

MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路總結(jié)

MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路總結(jié)

用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候,大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻,最大電壓等,最大電流等,也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以...

2012-10-24 標(biāo)簽:MOSFETMOSFET驅(qū)動(dòng)電路 3k 0

如何選擇正確的MOSFET:工程師所需要知道的細(xì)節(jié)

隨著制造技術(shù)的發(fā)展和進(jìn)步,系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員必須跟上技術(shù)的發(fā)展步伐,才能為其設(shè)計(jì)挑選最合適的電子器件。MOSFET是電氣系統(tǒng)中的基本部件,工程師需要深入了解它...

2012-10-23 標(biāo)簽:MOSFET 2.5k 0

安森美半導(dǎo)體推出業(yè)界最小MOSFET

應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ONNN)擴(kuò)充公司寬廣的接口及電源管理...

2012-10-18 標(biāo)簽:MOSFET安森美半導(dǎo)體電源芯片 1.1k 0

安森美半導(dǎo)體推出優(yōu)化的超小超薄小信號(hào)MOSFET

安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ONNN)擴(kuò)充公司寬廣的接口及電源管理產(chǎn)品陣容,推出一對(duì)優(yōu)化的超小超薄小信號(hào)MOS...

2012-10-18 標(biāo)簽:MOSFET安森美半導(dǎo)體電源芯片 843 0

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    IOT
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    IoT是Internet of Things的縮寫(xiě),字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱(chēng)傳感網(wǎng),簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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    海思
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    LM2596
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  • 光立方
    光立方
    +關(guān)注
    光立方是由四千多棵光藝高科技“發(fā)光樹(shù)”組成的,在2009年10月1日天安門(mén)廣場(chǎng)舉行的國(guó)慶聯(lián)歡晚會(huì)上面世。這是新中國(guó)成立六十周年國(guó)慶晚會(huì)最具創(chuàng)意的三大法寶之首。
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  • STM32單片機(jī)
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    STM32系列基于專(zhuān)為要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式應(yīng)用專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)的ARM Cortex-M3內(nèi)核
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    COMSOL集團(tuán)是全球多物理場(chǎng)建模解決方案的提倡者與領(lǐng)導(dǎo)者。憑借創(chuàng)新的團(tuán)隊(duì)、協(xié)作的文化、前沿的技術(shù)、出色的產(chǎn)品,這家高科技工程軟件公司正飛速發(fā)展,并有望成為行業(yè)領(lǐng)袖。其旗艦產(chǎn)品COMSOL Multiphysics 使工程師和科學(xué)家們可以通過(guò)模擬,賦予設(shè)計(jì)理念以生命。
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  • ESP8266
    ESP8266
    +關(guān)注
    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
  • TMS320F28335
    TMS320F28335
    +關(guān)注
    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
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