瑞薩電子宣布開發(fā)出了導通電阻僅為150mΩ（柵源間電壓為10V時的標稱值）的600V耐壓超結(jié)（SJ：Super Junction）型功率MOSFET“RJL60S5系列”，將從2012年9月開始樣品供貨。超結(jié)是可在不犧牲耐壓
2012-06-26 11:01:02
1660 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:441436 國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR)推出600V絕緣柵雙極晶體管(IGBT)系列，適合在10kHz以下工作的電機驅(qū)動應用，包括冰箱和空調(diào)的壓縮機。
2012-09-05 11:09:191327 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出600V絕緣閘雙極電晶體 （IGBT） 系列，藉以優(yōu)化在10kHz以下操作的馬達驅(qū)動應用，包括冰箱及空調(diào)的壓縮機。
2012-09-06 09:51:002108 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件
2012-10-22 13:45:241488 英飛凌科技推出全新600V CoolMOS P6 產(chǎn)品系列，專為提升系統(tǒng)效率及易于使用所設計，補足了專注提供頂尖效能（CoolMOS CP）及強調(diào)使用方便性（如 CoolMOS C6 或 E6）兩者之間的技術區(qū)間。
2012-11-13 08:54:332178 前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款通過AEC-Q101認證并具有ESD保護的600V標準整流器---SE20AFJ和SE30AFJ。對于空間有限的應用，新器件可提供2A和3A的正向電流和高
2012-11-22 09:11:461355 Vishay具有業(yè)內(nèi)最低導通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。采用業(yè)內(nèi)最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規(guī)格尺寸
2012-11-29 16:37:312203 Vishay推出新款通過AEC-Q101認證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:383286 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用小尺寸PowerPAK? 8x8封裝的600V E系列功率
2015-10-12 13:58:282813 近日，德州儀器 （TI） 推出了業(yè)內(nèi)速度最快的半橋柵極驅(qū)動器。這款用于分立式功率MOSFET和絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 的柵極驅(qū)動器的工作電壓可達到600V。
2015-10-16 16:32:113209 Vishay宣布推出新款60 V TrenchFET?第四代n溝道功率MOSFET---SiSS22DN，業(yè)內(nèi)首款適用于標準柵極驅(qū)動電路的器件，10 V條件下最大導通電阻降至4 m?，采用熱增強型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝。
2019-10-05 07:04:006418 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產(chǎn)品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大導通電阻，以及22A～47A的額定電流范圍
2011-10-13 09:09:311541 Vishay提供豐富的MOSFET技術支持各級功率轉(zhuǎn)換，涵蓋高壓輸入到低壓輸出的各種最新高科技系統(tǒng)。
2020-12-24 15:08:341138 Vishay 宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件---SiHK045N60E。Vishay Siliconix n 溝道SiHK045N60E導通電阻比前一代600 V E
2022-02-21 11:18:052299 
Limited?（AOS,?納斯達克代碼:AOSL)推出 600V aMOS7? 超結(jié)高壓MOSFET。 aMOS7? 是 AOS最新一代高壓 MOSFET平臺，旨在滿足服務器、工作站、通信電源整流器
2023-05-11 13:52:151402 
中國上海， 2023 年 6 月 13 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1，進一步擴充了N溝道功率MOSFET系列
2023-06-13 16:38:501327 
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
各位大師 請教個問題本人有臺開關電源600V/3A。整流后經(jīng)四個大容，四個場效應管組成的對管，后經(jīng)變壓器，再經(jīng)整流。開電沒問題。只要工作就燒開關管，大功率場效應管，兩個對管。問問是怎么回事，會是哪里造成的。
2013-10-11 00:34:27
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標準并經(jīng) 100% Rg 和 UIS 測試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護典型值達
2019-07-09 17:30:39
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業(yè)界最低導通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關鍵詞】：功率損耗,導通電
2010-05-06 08:55:20
600V、4A/4A 半橋門極驅(qū)動SiLM2285，超強抗干擾、高效驅(qū)動、高邊直驅(qū)設計三大核心優(yōu)勢，解決工業(yè)開關電源、電機拖動、新能源逆變及儲能設備中的驅(qū)動難題，實現(xiàn)對高壓、高功率MOSFET
2025-10-21 09:09:18
升/下降時間及170ns典型傳播延遲，顯著降低開關損耗，提升高頻應用下的轉(zhuǎn)換效率和功率密度。
高邊直驅(qū)設計： 獨特的浮動通道設計，支持直接驅(qū)動600V高邊N溝道MOSFET/IGBT，無需額外隔離電源
2025-08-08 08:46:25
損耗。最新的模塊中采用第3代SiC-MOSFET，損耗更低。采用第3代SiC-MOSFET，損耗更低組成全SiC功率模塊的SiC-MOSFET在不斷更新?lián)Q代，現(xiàn)已推出新一代產(chǎn)品的定位–采用溝槽結(jié)構(gòu)的第3代產(chǎn)品
2018-12-04 10:11:50
）
產(chǎn)品簡介：高壓超結(jié)工藝，效率更高、更可靠，適用于600V以上高壓應用領域，行業(yè)前沿拓展產(chǎn)品。
應用場景：PC電源開關、電池、逆變器等。
此為RU15P12C的部分參數(shù) 可無償分享
原廠一級代理可為您答疑解惑
行業(yè)內(nèi)率先通過 ISO9001、ISO14001質(zhì)量體系認證的高新技術企業(yè)。
2024-09-23 17:07:50
本文將介紹英飛凌的第三代采用溝槽柵場終止技術的 600V IGBT，即IGBT3在UPS中的應用。在介紹最新溝槽柵場終止技術的背景后，本文探討如何充分利用IGBT靜態(tài)與動態(tài)性能改進和175℃的
2009-11-20 14:30:27
89 Vishay Intertechnology, Inc.推出三款新型500V、12A的N溝道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動下的最大導通電阻達到超低的0.555Ω，柵極電荷減小為48nC，采
2010-07-16 15:05:2417 Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET，采用TurboFET技術
日前，Vishay Intertechnology推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴展其第三代 TrenchFET 功率MOSFET 系列。這些器件首次采用 T
2008-12-08 11:55:09883 
日前，Vishay Intertechnology宣布推出業(yè)界首款采用 MICRO FOOT 芯片級封裝的 TrenchFET 功率 MOSFET --- Si8422DB，該器件具有背面絕緣的特點。
Si8422DB 針對手機、PDA、數(shù)碼相機、MP3 播放器
2009-01-26 23:24:222091 英飛凌欲借新一代超結(jié)MOSFET樹立硬開關應用基準
英飛凌日前在深圳宣布推出下一代600V MOSFET產(chǎn)品―― CoolMOS C6系列。600V C6系列融合了C3和CP兩個產(chǎn)品系列的優(yōu)勢，可降低設
2009-06-23 21:17:44728 IGBT在客車DC 600V系統(tǒng)逆變器中的應用與保護
1．1 IGBT的結(jié)構(gòu)特點
IGBT是大功率、集成化的“絕緣柵雙極晶體管”(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它是80年代初集合
2009-11-05 10:15:211691 
Qspeed推出超高效率600V H系列整流器
益登科技（EDOM Technology）代理的Qspeed半導體今日宣布推出H系列組件，協(xié)助電源廠商以更低成本克服高性能系統(tǒng)的各種挑戰(zhàn)，同時也提
2009-11-11 10:49:221044 Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011361 Vishay推出的P溝道功率MOSFET SiA433EDJ
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款20VP溝道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm×2mm占位面積的熱增強PowerPAKSC-70封裝，具
2009-11-25 17:56:521012 小信號應用60V功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出采用SOT-923封裝的60V N溝道功率MOSFET --- SiM400。該器件為業(yè)界最小的60V功率MOSFET，比SC-70和SC-90等封裝能節(jié)約更多
2009-12-31 09:59:442304 超高效率600V H系列整流器擴展硅二極管性能
為協(xié)助電源廠商以更低成本克服高性能系統(tǒng)的各種挑戰(zhàn)， Qspeed半導體公司推出H系列組件Qspeed新款600V功率因數(shù)校正器（PFC
2009-12-31 10:03:111237 600V MOSFET繼續(xù)擴展Super Junction FET技術
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出4款新的600V MOSFET
2010-01-26 16:26:181434 Vishay推出4款MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V FET">MOSFET --- SiHP22N60S
2010-01-27 09:31:291767 500V和600V的高壓MOSFET
安森美半導體(ON Semiconductor)擴充公司市場領先的功率開關產(chǎn)品陣容，推出包括500伏特(V)和600 V器件的高壓功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFE
2010-02-23 16:15:342107 IR推出汽車驅(qū)動應用的AUIRS2301S 600V IC
國際整流器公司(IR)推出 AUIRS2301S 600V IC，適用于汽車電機驅(qū)動、微型逆變器驅(qū)動和通用三相逆變器應用。AUIRS2301S
2010-03-25 11:36:411787 
Toshiba推出高性能功率MOSFET TK系列
Toshiba推出新系列的功率MOSFET，這些功率MOSFET改善效率和具有快速開關速度，應用工作電壓高達650V, 電流20A。新的TK系列器件適合用于各
2010-03-30 10:37:181779 Vishay推出500V N溝道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的
2010-04-07 10:52:521102 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列4接線端、牛角式功率鋁電容器 --- 095 PLL-4TSI。電容器具有17種大尺寸外形，電壓等級從350V至450V，在85℃下的使用壽命長達10,000小時。
新款0
2010-07-21 08:58:441120 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:572028 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK SC-70封裝，
2011-03-02 10:19:301777 8S2TH06I-M是Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）推出的600V FRED PtTM Hyperfast串級整流器。
2011-04-01 09:36:431012 Vishay Intertechnology宣布，發(fā)布34款采用6種功率封裝的新型600 V FRED Pt? Hyperfast和Ultrafast整流器
2011-07-01 09:07:121606 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出18款采用TO-252AA (D-PAK)功率塑料SMD封裝、正向電流為4A～15A的200V和600V的FRED Pt Hyperfast和Ultrafast整流器
2011-09-09 09:13:334115 全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日新推出600V車用IGBT系列，專門針對電動汽車和混合動力汽車中的變速電機控制和電源應用進行了優(yōu)化
2011-10-13 09:03:461170 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業(yè)內(nèi)采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率
2011-10-21 08:53:051058 全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出600V AUIRS2332J 三相柵極驅(qū)動器IC，適用于電動汽車和混合動力汽車中的車用高壓電機驅(qū)動應用。
2011-10-21 09:45:211990 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布， Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過JAN認證的，分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:26:351923 賓夕法尼亞、MALVERN — 2012 年 5 月3 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出其下一代D系列高壓功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n溝道器件具有低導通
2012-05-03 17:29:422109 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其新一代TrenchFET? Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN
2012-05-08 11:09:191026 瑞薩電子宣布開發(fā)出了導通電阻僅為150m（柵源間電壓為10V時的標稱值）的600V耐壓超結(jié)（SJ：Super Junction）型功率MOSFETRJL60S5系列，將從2012年9月開始樣品供貨。超結(jié)是可在不犧牲耐壓的情
2012-06-26 11:03:401004 Vishay 推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541791 新的E系列器件采用Vishay Siliconix超級結(jié)技術，導通電阻低至30m?、電流達6A～105A，在8種封裝中實現(xiàn)低FOM和高功率密度。
2013-06-04 15:57:241360 日前，Vishay宣布，推出具有業(yè)內(nèi)最低導通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221740 全球功率半導體和管理方案領導廠商——國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 宣布擴充節(jié)能的600V絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 系列，并提供多種封裝選擇。
2014-05-14 13:58:421778 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出高性能600V超高速溝道場截止絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） IR66xx系列。堅固可靠的新系列器件提供極低的導通損耗和開關損耗，旨在為焊接應用做出優(yōu)化。
2014-08-19 16:31:533856 MOSFET--- SiHx25N50E，該器件具有與該公司600V和650V E系列器件相同的低導通電阻和低開關損耗優(yōu)點。
2014-10-09 12:59:191841 
今天推出的MOSFET由Vishay Siliconix設計和開發(fā)，表面貼裝PowerPAK SO-8L封裝完全符合RoHS，無鹵素，無鉛。SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E
2016-07-18 16:19:592081 近日，Vishay Intertechnology， Inc.宣布，新推出電流達1A的集成式功率光敏可控硅---VO2223B，可直接驅(qū)動中功率的交流負載。Vishay Semiconductors VO2223B的dv／dt性能達到600V／μs，具有很高的穩(wěn)定性和噪聲隔離功能，可用于家用電器和工業(yè)設備。
2018-05-03 17:19:001526 VO2223B的dv／dt性能達到600V／μs，具有很高的穩(wěn)定性和噪聲隔離功能，可用于和工業(yè)設備。 這顆器件包括一個光學耦合的光敏可控硅，性能強勁的集成式功率雙向可控硅，采用小尺寸DIP封裝。
2018-02-14 22:15:003908 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出最新第四代600 V EF系列快速體二極管MOSFET 器件---SiHH070N60EF。
2020-12-23 14:24:542338 新型 30 V n 溝道 TrenchFET?第五代功率 MOSFET，提升隔離和非隔離拓撲結(jié)構(gòu)功率密度和能效。 Vishay Siliconix?SiSS52DN?采用熱增強型 3.3 mm x
2021-05-28 17:25:573908 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出兩款n溝道TrenchFET? MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E，以提高通信和工業(yè)應用功率密度、能效和板級可靠性。
2022-02-07 15:37:081783 
Vishay 推出最新第四代 600 V E 系列功率 MOSFET 器件。Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60E 導通電阻比前一代 600 V E 系列 MOSFET
2022-02-26 13:25:352299 Vishay Intertechnology， Inc.（紐約證券交易所代碼：VSH）??推出了其第四代 600 VE 系列功率 MOSFET 中的最新器件。
2022-03-28 11:54:142761 Vishay 推出 Vishay BCcomponents193 PUR-SI Solar新系列卡扣式功率鋁電容器，額定電壓和類別電壓分別提升至 570V 和 475V。 器件面向太陽能
2022-08-19 09:32:271636 Vishay 推出四款新型 TO-244 封裝第 5 代 FRED Pt 600V Ultrafast 整流器。 Vishay Semiconductors 整流器新款 240A、300A、480A 和 600A 具有出色導通和開關損耗特性，能有效提高中頻功率轉(zhuǎn)換器以及軟硬開關或諧振電路的效率。
2022-08-25 17:33:112026 Vishay 推出 15 款采用 SOT-227 小型封裝的新型 FRED Pt 第五代 600V 和 1200V Hyperfast 和 Ultrafast 恢復整流器。
2022-09-16 10:52:201897 （NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用薄型PowerPAK? 10 x 12封裝的新型第四代600 V EF系列快速體二極管MOSFET---SiHK045N60EF。Vishay
2022-10-12 15:44:14780 
Vishay 推出四款采用 TO-220 FullPAK 2L 全隔離封裝的新型 FRED Pt 第五代 600V Hyperfast 恢復整流器。
2022-10-14 16:11:242241 Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60EF 導通電阻比前代器件降低 29 %，為通信、工業(yè)和計算應用提供高效、高功率密度解決方案，同時柵極電荷下降 60 %，從而使器件導通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉(zhuǎn)換應用中 600V MOSFET 的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）創(chuàng)業(yè)界新低。
2022-10-14 16:16:121359 AN-9085 智能電源模塊，600V Motion SPM?3 ver.5 系列用戶指南
2022-11-14 21:08:341 600V SPM? 2 系列熱性能（通過安裝扭矩）
2022-11-15 20:04:030 600V耐壓IGBT IPM：BM6337x系列?關鍵詞 兼具業(yè)內(nèi)優(yōu)異的降噪和低損耗特性 600V耐壓IGBT IPM 各種變頻器的功率轉(zhuǎn)換用 BM6337x系列 優(yōu)化內(nèi)置...
2023-02-08 13:43:212074 
優(yōu)越的電氣參數(shù)，呈現(xiàn)出最佳效能 強茂新推4顆封裝于TO-252AA的600V功率FREDs，以拓展LowVF系列和LowTrr的產(chǎn)品線；此功率FRED的LowVF系列適用于DCMPCF電路，而
2023-03-06 11:56:27709 Vishay 新型 Power DFN 系列?DFN3820A 封裝 汽車級 200V、400V 和 600V 器件高度僅為 0.88 mm 采用可潤濕側(cè)翼封裝 改善熱性能并提高效率 Vishay
2023-06-21 07:35:001637 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1，進一步擴充了N溝道功率MOSFET系列產(chǎn)品線。
2023-06-16 09:03:30802 
“R60xxVNx系列” （含7款機型）。 此外，高速開關型600V耐壓Super Junction MOSFET產(chǎn)品陣容中也新增了導通電阻更低的 “R60xxYNx系列” （含2款機型
2023-07-12 12:10:081617 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅(qū)動器.pdf》資料免費下載
2023-09-25 11:27:500 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出兩款600V小型智能功率器件（IPD）—“TPD4163K”和“TPD4164K”，可用于空調(diào)、空氣凈化器和泵等直流無刷電機驅(qū)動應用。
2023-10-27 11:05:541530 
美格納半導體宣布推出微納加工增強型第六代 600V 超級結(jié)金屬氧化物半導體場效應晶體管 (SJ MOSFET)。 這款第六代 600V SJ MOSFET (MMD60R175S6ZRH) 采用
2023-11-02 17:04:011859 Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進一步提高工業(yè)、計算機、消費電子和通信應用的功率密度，增強熱性能。
2024-02-22 17:11:081686 
近日，全球知名的半導體解決方案供應商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號為SiZF4800LDT。這款新產(chǎn)品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:021362 全球知名半導體解決方案供應商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:141480 威世科技Vishay Intertechnology, Inc.近日宣布了一項重大技術突破，推出了首款采用新型PowerPAK? 8 x 8LR封裝的第四代600 V E系列功率MOSFET——SiHR080N60E。這款新型功率MOSFET為通信、工業(yè)和計算應用提供了前所未有的高效高功率密度解決方案。
2024-05-10 10:48:121771 Vishay 推出首款采用新型 PowerPAK 8 x 8 LR 封裝的第四代 600 V E 系列功率MOSFET，為通信、工業(yè)和計算應用提供高效的高功率密度解決方案。
2024-05-10 11:47:422284 
Vishay公司近日重磅推出了一款革命性的功率MOSFET產(chǎn)品——SiHR080N60E，它采用了新型的PowerPAK? 8 x 8 LR封裝技術，標志著第四代600V E系列功率MOSFET的誕生。這一創(chuàng)新產(chǎn)品為通信、工業(yè)及計算領域帶來了前所未有的高效高功率密度解決方案。
2024-05-14 15:33:381341 英飛凌再次引領行業(yè)潮流，最新推出的600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列，以其卓越的技術創(chuàng)新和卓越性價比，在全球范圍內(nèi)樹立了高壓超級結(jié)MOSFET技術的新標桿。作為英飛凌新一代硅基
2024-09-03 14:50:451266 新品600VCoolMOS8SJMOSFET系列英飛凌最新推出的600VCoolMOS8引領著全球高壓超級結(jié)MOSFET技術的發(fā)展，在全球范圍內(nèi)樹立了技術和性價比標準。CoolMOS8是英飛凌新一代
2024-09-03 08:02:39930 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《適用于600V GaN功率級的QFN12x12封裝的熱性能.pdf》資料免費下載
2024-09-21 10:18:060 近日，碳化硅技術領域的全球領軍企業(yè)Wolfspeed推出了其全新的第4代MOSFET技術平臺。該平臺在設計之初就充分考慮了耐久性和高效性，旨在為高功率應用帶來突破性的性能表現(xiàn)。 作為碳化硅技術
2025-02-17 10:28:44943 VishayIntertechnology,Inc.近日宣布推出其最新的電源半導體技術創(chuàng)新——第4.5代650VE系列電源MOSFET，型號為SiHK050N65E。該產(chǎn)品的推出旨在提升電信、工業(yè)
2025-03-27 11:49:46945 
Vishay/Siliconix SiJK5100E N溝道MOSFET是一款TrenchFET^?^ 第五代功率MOSFET，具有100V漏源電壓。該MOSFET具有536W最大功耗（+25°C
2025-11-11 13:42:26337 
Vishay/Siliconix SiJK140E N溝道40V（D-S）MOSFET采用TrenchFET^?^ 第五代功率技術。該MOSFET優(yōu)化了功率效率，R~DS(on)~ 可最大限度地降低
2025-11-12 14:12:58320 Vishay/SiliconSense SiHR080N60E N通道功率MOSFET是 第四代600V E系列功率MOSFET，采用PowerPAK ? 8 x 8LR封裝。該MOSFET可為
2025-11-14 10:32:18365 
Vishay Semiconductors Gen 5 600V超快和極快整流器將低導通和低開關損耗完美結(jié)合在一起。該整流器設計用于提高高頻轉(zhuǎn)換器和軟開關或諧振設計的效率。Gen 5 600V超快和極快整流器與采用SOT-227封裝的銅基板隔離，有助于構(gòu)建常見散熱片和緊湊型組件。
2025-11-14 17:12:221224 
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