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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。
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開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)常用公式
MOSFET開(kāi)關(guān)管工作的最大占空比Dmax: 式中:Vor為副邊折射到原邊的反射電壓,當(dāng)輸入為AC 220V時(shí)反射電壓為135V; VminDC為整流后...
2012-08-02 標(biāo)簽:變壓器MOSFET開(kāi)關(guān)電源 2.7萬(wàn) 2
快捷(Fairchild)擴(kuò)大發(fā)光二極體(LED)照明驅(qū)動(dòng)器解決方案產(chǎn)品陣容,提供最佳化的低功率產(chǎn)品,可協(xié)助設(shè)計(jì)人員克服有限的電路板面積、滿(mǎn)足電路保護(hù)和...
2012-07-27 標(biāo)簽:MOSFETled驅(qū)動(dòng)器低功率 1k 1
飛兆半導(dǎo)體新型低功率LED驅(qū)動(dòng)器集成MOSFET
隨著LED照明市場(chǎng)持續(xù)增長(zhǎng),設(shè)計(jì)人員需要能夠適合有限的線(xiàn)路板占位面積、滿(mǎn)足電路保護(hù)和系統(tǒng)可靠性要求并簡(jiǎn)化供應(yīng)鏈物流,同時(shí)符合全球能源法規(guī)要求的解決方...
2012-07-25 標(biāo)簽:飛兆半導(dǎo)體MOSFETLED照明 1k 0
快捷半導(dǎo)體推出新型低功率LED驅(qū)動(dòng)器整合MOSFET
隨著LED照明市場(chǎng)的持續(xù)成長(zhǎng),設(shè)計(jì)人員需要克服有限的電路板面積、滿(mǎn)足電路保護(hù)和系統(tǒng)可靠性要求,簡(jiǎn)化供應(yīng)鏈的物流程序,同時(shí)設(shè)計(jì)出符合全球能源法規(guī)要求的解決...
2012-07-24 標(biāo)簽:MOSFETLED驅(qū)動(dòng)器半導(dǎo)體芯片 1.4k 0
標(biāo)準(zhǔn)化的要求 通過(guò)附加外設(shè)來(lái)擴(kuò)展計(jì)算機(jī)的功能時(shí),需要使用標(biāo)準(zhǔn)接口才能實(shí)現(xiàn)不同廠(chǎng)商應(yīng)用的全部功能。使用無(wú)線(xiàn)通信增加臺(tái)式機(jī)的功能,或者通過(guò)使用更多的內(nèi)存條來(lái)...
瑞薩推出導(dǎo)通電阻僅為150mΩ的600V耐壓超結(jié)MOSFET
瑞薩電子宣布開(kāi)發(fā)出了導(dǎo)通電阻僅為150m(柵源間電壓為10V時(shí)的標(biāo)稱(chēng)值)的600V耐壓超結(jié)(SJ:Super Junction)型功率MOSFETRJL...
瑞薩600V耐壓超結(jié)MOSFET 導(dǎo)通電阻僅為150mΩ
瑞薩電子宣布開(kāi)發(fā)出了導(dǎo)通電阻僅為150mΩ(柵源間電壓為10V時(shí)的標(biāo)稱(chēng)值)的600V耐壓超結(jié)(SJ:Super Junction)型功率MOSFET“R...
羅姆日前發(fā)布了耐壓為1200V的第二代SiC制MOSFET產(chǎn)品(圖1)。特點(diǎn)是與該公司第一代產(chǎn)品相比提高了可靠性、降低了單位面積的導(dǎo)通電阻,以及備有將S...
小尺寸功率MOSFET及Schottky二極管封裝在汽車(chē)電子的應(yīng)用
電子發(fā)燒友網(wǎng): 本文主要講述了小尺寸功率 MOSFET 及 Schottky二極管 封裝在 汽車(chē)電子 中的應(yīng)用。在這里,小編給大家稍微介紹一下,該文中主...
2012-06-11 標(biāo)簽:MOSFET汽車(chē)電子Schottky二極管 2.6k 0
典型功率MOSFET驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路設(shè)計(jì)方案
率場(chǎng)效應(yīng)晶體管由于具有諸多優(yōu)點(diǎn)而得到廣泛的應(yīng)用;但它承受短時(shí)過(guò)載的能力較弱,使其應(yīng)用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路的設(shè)計(jì)要求;計(jì)算...
2012-05-31 標(biāo)簽:MOSFET保護(hù)電路驅(qū)動(dòng)電路 1.1萬(wàn) 0
功率器件的開(kāi)發(fā)應(yīng)用與實(shí)例(圖解)
隨著全球能源的日趨緊張,節(jié)能節(jié)電迫在眉睫。電能轉(zhuǎn)換是節(jié)能節(jié)電的重要環(huán)節(jié)。在電能轉(zhuǎn)換過(guò)程中,轉(zhuǎn)換期間的能量損失是影響節(jié)能節(jié)電的重要因素,始終成為人們關(guān)...
功率MOSFET的鋰電池保護(hù)電路設(shè)計(jì)
鉛酸電池具有安全、便宜、易維護(hù)的特點(diǎn),因此目前仍然廣泛的應(yīng)用于電動(dòng)自行車(chē)。但是鉛酸電池污染大、笨重、循環(huán)次數(shù)少,隨著世界各國(guó)對(duì)環(huán)保要求越來(lái)越高,鉛酸電池...
Vishay的新一代TrenchFET MOSFET再度刷新業(yè)內(nèi)導(dǎo)通電阻最低記錄
Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出其新一代TrenchFET? Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET器件---...
Diodes公司近日推出一系列採(cǎi)用薄型DFN2020-6封裝的高效率N通道和P通道MOSFET。採(cǎi)用DFN2020H4封裝的DMP2039UFDE4...
智能MOSFET可提高醫(yī)療設(shè)計(jì)的可靠性及性能
所有關(guān)于醫(yī)療應(yīng)用的產(chǎn)品在要求高可靠性的同時(shí),仍然需要提供終端用戶(hù)想要的新技術(shù)與功能。由于各醫(yī)療設(shè)備公司及其最終應(yīng)用間的競(jìng)爭(zhēng)愈來(lái)愈激烈,功能急劇增加,...
2012-05-04 標(biāo)簽:MOSFET醫(yī)療設(shè)計(jì) 1.6k 0
賓夕法尼亞、MALVERN — 2012 年 5 月3 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VS...
飛兆半導(dǎo)體新推30V PowerTrench MOSFET
在能源效率標(biāo)準(zhǔn)和最終系統(tǒng)要求的推動(dòng)之下,電源設(shè)計(jì)人員需要有助于縮減其應(yīng)用電源的外形尺寸且不影響功率密度的高能效解決方案。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairch...
2012-04-27 標(biāo)簽:飛兆半導(dǎo)體MOSFET電源芯片 822 0
IR推出采用TSOP-6封裝的HEXFET MOSFET系列產(chǎn)品
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出一系列采用TSOP-6封裝、搭載IR最新低壓HEXFET MOSF...
電源設(shè)計(jì)小貼士42:可替代集成MOSFET的分立器件
在電源設(shè)計(jì)中,工程師通常會(huì)面臨控制 IC 驅(qū)動(dòng)電流不足的問(wèn)題,或者面臨由于柵極驅(qū)動(dòng)損耗導(dǎo)致控制 IC 功耗過(guò)大的問(wèn)題。
2012-04-16 標(biāo)簽:MOSFET電源設(shè)計(jì)分立器件 1.3k 0
拓鋒半導(dǎo)體:不斷拓展MOSFET產(chǎn)品線(xiàn)
深圳市拓鋒半導(dǎo)體科技有限公司專(zhuān)業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售半導(dǎo)體分立器件,產(chǎn)品包括BJT、MOSFET、LDO、二極管、三端穩(wěn)壓器等。拓鋒半導(dǎo)體沒(méi)有自己的生產(chǎn)...
2012-04-13 標(biāo)簽:MOSFET拓鋒半導(dǎo)體 1.3k 0
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