日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動器，其速度比同等光學柵極驅(qū)動器快40%。
2012-10-11 14:04:33
2029 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出采用小尺寸SOP-4表面貼裝封裝的新型光隔離式MOSFET驅(qū)動器--- VOM1271。
2012-11-13 09:41:205417 中高壓逆變器應用領(lǐng)域IGBT和MOSFET驅(qū)動器技術(shù)的領(lǐng)導者Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今日宣布可為其SCALE? IGBT和MOSFET驅(qū)動器出廠提供涂覆三防
2018-05-02 14:18:275870 IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。
2018-07-26 08:25:588496 
Vishay 推出新的2.5 A IGBT和MOSFET驅(qū)動器---VOD3120A，擴展其光電產(chǎn)品組合。Vishay Semiconductors VOD3120A采用DIP-8和SMD-8封裝，低壓降輸出電流損耗僅為3.5 mA，可用于提高逆變器級工作效率。
2019-02-17 09:17:001773 ：LFUS）是一家工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動力。公司隆重宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器。 這款創(chuàng)新的驅(qū)動器專門設(shè)計用于驅(qū)動
2024-05-23 11:23:221233 
33V，適合驅(qū)動 Si 或 SiC MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。集成的 UVLO 保護確保在異常情況下輸出保持在低電平。輸入側(cè)供電電壓 VCC1 在2.5V 到 5.5V 之間工作，支持大多數(shù)數(shù)字控制器
2025-04-03 14:23:02
MOSFET 和 IGBT 柵極驅(qū)動器電路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
功率晶體管組成，如雙極型晶體管、 MOSFET 或絕緣柵雙極型晶體管 （ Insulated Gate Bipolar Transistor， IGBT） 。在一些小型無刷直流電機或步進電機應用中， MOSFET驅(qū)動器可用來直接驅(qū)動電機。 不過，在本應用筆記中，我們需要的電壓和功率較 MOSFET
2021-09-17 07:19:25
MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同,決定了其應用領(lǐng)域的不同.
1,由于MOSFET的結(jié)構(gòu),通常它可以做到電流很大,可以到上KA,但是前提耐壓能力沒有IGBT強,IXYS有一款MOSFET
2025-03-25 13:43:17
MOSFET驅(qū)動器的主要用途有哪些？MOSFET或IGBT哪一種驅(qū)動器最適合您的應用呢？
2021-11-08 06:11:40
額定功率更高的IGBT，VO3120可用于驅(qū)動離散功率級，以驅(qū)動IGBT柵極。推薦產(chǎn)品：VO3120-X007T；VO3120Vishay其它相關(guān)產(chǎn)品請 點擊此處 了解特征：最小峰值輸出電流
2019-10-30 15:23:17
AN1315，用于三相電機驅(qū)動的L6386 MOSFET功率驅(qū)動器評估板。 L6386，用于三相電機驅(qū)動的MOSFET功率驅(qū)動器。三相演示板是用于評估和設(shè)計高壓柵極驅(qū)動器L6386的參考套件。用戶
2019-07-03 09:22:07
FAN7391MX是一款單片高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動 IC，可驅(qū)動工作在高達 +600 V 電壓的高速 MOSFET 和 IGBT。它具有緩沖輸出級，所有 NMOS 晶體管設(shè)計用于實現(xiàn)高脈沖電流驅(qū)動
2022-01-18 10:43:31
概述：IRS26302DJBPF美國國家半導體公司生產(chǎn)的一款高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動器，它把功率MOSFET/IGBT柵極驅(qū)動器與三個高側(cè)及三個低側(cè)參考輸出通道集成在一起，在最高20V
2021-05-18 07:25:34
描述：NCP302045MNTWG在一個封裝中集成了 MOSFET 驅(qū)動器、高壓側(cè) MOSFET 和低壓側(cè) MOSFET。該驅(qū)動器和 MOSFET 適用于高電流 DC?DC 降壓功率轉(zhuǎn)換器
2022-02-10 13:07:46
NCP5106BA36WGEVB，NCP5106,36 W鎮(zhèn)流器評估板。 NCP5106是一款高壓柵極驅(qū)動器IC，提供兩路輸出，用于直接驅(qū)動2個N溝道功率MOSFET或IGBT，采用半橋配置版本B或任何其他高端+低端配置版本A.它使用自舉技術(shù)，以確保正確驅(qū)動高端電源開關(guān)。該驅(qū)動程序使用2個獨立輸入
2019-10-12 10:31:24
本帖最后由 Sillumin驅(qū)動 于 2021-11-23 14:05 編輯
NCP5106是一款高壓柵極驅(qū)動IC，提供兩個輸出，用于直接驅(qū)動2個N溝道功率MOSFET或IGBT，使用自舉技術(shù)
2021-11-23 13:57:47
NCP5181BAL36WEVB，NCP5181,36 W鎮(zhèn)流器評估板。 NCP5181是一款高壓功率MOSFET驅(qū)動器，提供兩路輸出，用于直接驅(qū)動2個N溝道功率MOSFET，這些功率MOSFET
2019-10-12 10:29:07
具有高脈沖電流緩沖級的設(shè)計最小驅(qū)動器交叉?zhèn)鲗А?b class="flag-6" style="color: red">可用于驅(qū)動N通道電源高壓側(cè)配置的MOSFET或IGBT工作電壓高達200伏。特性：·完全運行至+200 V·柵極驅(qū)動電源范圍為10 V至20 V·欠壓鎖定
2021-05-11 19:41:22
具有高脈沖電流緩沖級的設(shè)計最小驅(qū)動器交叉?zhèn)鲗?。漂浮的通?b class="flag-6" style="color: red">可用于驅(qū)動N通道電源高壓側(cè)配置的MOSFET或IGBT工作電壓高達600V。特性：欠壓鎖定，電壓高達600V耐負瞬態(tài)電壓，dV/dt柵極驅(qū)動電源
2021-05-11 19:40:19
，增強了在持續(xù)高壓工作環(huán)境下的長期可靠性。
典型應用領(lǐng)域：
醫(yī)療與實驗室設(shè)備：適用于注射泵、蠕動泵、分析儀器等需要緊湊、可靠驅(qū)動方案的精密設(shè)備。
機器人及自動化：用于機器人關(guān)節(jié)電機、小型機械臂、貼片機等
2025-12-27 09:27:00
、不間斷電源（UPS）中的功率開關(guān)驅(qū)動。
電機驅(qū)動與控制：可用于伺服驅(qū)動器、變頻器、工業(yè)泵閥等設(shè)備的低邊開關(guān)驅(qū)動。
通用功率開關(guān)驅(qū)動：廣泛適用于需要可靠、高速驅(qū)動MOSFET或IGBT的各種功率轉(zhuǎn)換與控制系統(tǒng)。
#SiLM27531 #低邊驅(qū)動器 #門極驅(qū)動
2025-12-29 08:33:43
IGBT沒有體二極管或者IGBT內(nèi)部的續(xù)流二極管壞掉了。IGBT非常適合應用于如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。IGBT的理想等效電路如下圖所示，IGBT實際就是MOSFET和晶體管
2021-03-02 13:47:10
什么是MOSFET驅(qū)動器？MOSFET驅(qū)動器功耗包括哪些部分？如何計算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53:00
極驅(qū)動器的優(yōu)勢和期望，開發(fā)了一種測試板，其中測試了分立式IGBT和SiC-MOSFET。標準電壓源驅(qū)動器也在另一塊板上實現(xiàn)，見圖3?！ D3.帶電壓源驅(qū)動器（頂部）和電流源驅(qū)動器（底部）的半橋
2023-02-21 16:36:47
求教大佬們?nèi)绾斡肈SP產(chǎn)生PWM波驅(qū)動IGBT的驅(qū)動器？代碼應該怎么寫??？
2019-01-08 09:15:35
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動器隔離柵的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
FAN7382MX 是一款單片半橋門極驅(qū)動器集成電路 FAN7382 可以驅(qū)動最高在 +600V 下運行的 MOSFET 和 IGBT。高電壓工藝和共模干擾抑制技術(shù)提供了高壓側(cè)驅(qū)動器在高 dv/dt
2021-12-16 08:48:48
管子開關(guān)影響。 2）低傳輸延遲 通常情況下，硅IGBT的應用開關(guān)頻率小于40kHZ，碳化硅MOSFET推薦應用開關(guān)頻率大于100kHz，應用頻率的提高使得碳化硅MOSFET要求驅(qū)動器提供更低的信號
2023-02-27 16:03:36
，因此，選用IGBT模塊時額定電流應大于負載電流，同時選用時應該降額使用。額定工作電壓、電壓波動的范圍、最大工作電壓決定了IGBT模塊的額定電壓；驅(qū)動器的外殼結(jié)構(gòu)以及排布方式也是IGBT選型的重要考慮因素。原作者：漂流的青春 車載控制器開發(fā)及測試
2023-03-23 16:01:54
IGBT和MOSFET器件的隔離驅(qū)動技術(shù):介紹了絕緣柵大功率器件各種不同的驅(qū)動技術(shù)以及當前市場上的各類成品驅(qū)動器的性能特點。關(guān)鍵詞院MOSFET IGBT 隔離驅(qū)動 光電耦合器 脈沖變壓器
2009-06-20 08:37:46
56 lVO3120 IGBT/MOSFET驅(qū)動器：這些2.5A和0.5A的驅(qū)動器的供電電壓范圍為15V～32V，工作溫度范圍為+40℃～+110℃。
2010-07-02 17:18:43115 Vishay推出具有最高32V電源電壓的新款IGBT和MOSFET驅(qū)動器
日前，Vishay Intertechnology, Inc. 宣布，推出兩款新型IGBT和MOSFET驅(qū)動器，豐富了其已
2009-07-01 09:30:55778 IGBT高壓大功率驅(qū)動和保護電路的應用研究
IGBT在以變頻器及各類電源為代表的電力電子裝置中得到了廣泛應用。IGBT集雙極型功率晶體管和功率MOSFET
2009-11-13 15:43:501064 
單通道MOSFET或IGBT柵極驅(qū)動器集成電路IR2117
IR2117是美國IR公司專為驅(qū)動單個MOSFET或IGBT而設(shè)計的柵極驅(qū)動器集成電路。文中介紹了它的引腳排列、功能
2009-12-08 10:21:008772 
MAX15054 高邊MOSFET驅(qū)動器，用于HB LED驅(qū)動器和DC-DC應用
概述
MAX15054是高邊、n溝道MOSFET驅(qū)動器，高壓應用中可工作在較高的開關(guān)頻率
2010-01-28 08:43:042216 
Maxim推出用于高壓系統(tǒng)的高邊MOSFET驅(qū)動器MAX15054
Maxim不久前推出用于高壓系統(tǒng)的高邊MOSFET驅(qū)動器MAX15054。該器件能夠為需要采用降壓或升降壓拓撲結(jié)構(gòu)、但不帶必需的高
2010-02-01 10:03:00909 高壓MOSFET驅(qū)動器電路的LTC1154被用作電荷泵，從而來驅(qū)動一個高壓側(cè)功率MOSFET的柵極。
2011-12-17 00:02:005529 
器件的高度為2.5 mm，具有高隔離電壓，可用于電機驅(qū)動、可替代能源和其他高壓應用
2015-05-28 16:23:571060 集成的LLC控制器、高壓功率MOSFET及驅(qū)動器設(shè)計，感興趣的可以看看。
2016-05-11 18:00:0830 中等電壓和高壓逆變器應用領(lǐng)域IGBT和MOSFET驅(qū)動器技術(shù)的領(lǐng)導者Power Integrations今日推出一系列輸出電流介于2.5A和8 A之間的電氣絕緣的單通道門極驅(qū)動器IC，SCALE-iDriver IC不僅采用加強絕緣技術(shù)，而且還提供最大8 A的驅(qū)動電流。
2016-05-10 17:39:341626 介紹目前高壓隔離驅(qū)動器應用領(lǐng)域及三種實現(xiàn)類型。
2016-06-08 16:28:143 隨著電力電子器件技術(shù)的發(fā)展，大功率器件在軌道交通、直流輸電、風力發(fā)電等領(lǐng)域的市場迅猛發(fā)展，其中以IGBT器件表現(xiàn)尤為突出，在具體的應用工況中，每一個IGBT模塊都需要一個專門的驅(qū)動器，IGBT驅(qū)動器對IGBT的運行性能有著重大影響
2016-08-12 15:49:212231 LCS700-708 HiperLCS?產(chǎn)品系列集成的LLC控制器、高壓功率MOSFET及驅(qū)動器
2016-11-23 11:00:160 美國加利福尼亞州圣何塞，2017年5月16日 – 中高壓逆變器應用領(lǐng)域IGBT和MOSFET驅(qū)動器技術(shù)的領(lǐng)導者（納斯達克股票代號：POWI）今天推出SCALE-iDriver?系列電磁隔離的單通道
2017-05-19 15:45:093400 的柵極驅(qū)動要求等。與在這種設(shè)計中正式使用的雙極晶體管相比，IGBT在驅(qū)動電路的尺寸和復雜度上都有相當大的降低。最近在IGBT開關(guān)速度的改進取得了設(shè)備適用于電源的應用，因此IGBT將與某些高電壓MOSFET以及應用。許多設(shè)計者因此轉(zhuǎn)向MOSFET驅(qū)動器以滿足其
2017-07-04 10:51:0522 高壓MOSFET驅(qū)動器電路的LTC1154被用作電荷泵，從而來驅(qū)動一個高壓側(cè)功率MOSFET的柵極。高壓MOSFET驅(qū)動器電路：
2017-10-19 16:02:3723 Power Integrations這家為中高壓變頻器應用提供閘極驅(qū)動器技術(shù)的領(lǐng)導廠商，宣布出廠保形涂層用于其SCALE IGBT和MOSFET驅(qū)動器。保形涂層透過保護電子元件免于接觸污染物(例如
2018-05-07 08:28:011526 熟練掌握高壓MOSFET/IGBT柵極驅(qū)動設(shè)計
2018-08-16 00:24:005338 IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。
2019-01-16 09:24:5410264 
。輸出驅(qū)動器具有一個高脈沖電流緩沖級，設(shè)計用于最小驅(qū)動器交叉?zhèn)鲗?。浮動通?b class="flag-6" style="color: red">可用于驅(qū)動高側(cè)配置的N通道功率MOSFET或IGBT，其工作電壓高達600伏。
2019-03-28 08:00:0022 通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動器隔離柵的耐受性能。
2019-04-16 17:07:396332 
兼容，低至3.3V邏輯。輸出驅(qū)動器具有高脈沖電流緩沖級，設(shè)計用于最小驅(qū)動器交叉?zhèn)鲗?。浮動通?b class="flag-6" style="color: red">可用于驅(qū)動高側(cè)配置的n通道功率MOSFET或IGBT，其工作電壓為10到600伏。
2020-04-28 08:00:0052 CMOS或LSTTL輸出兼容，低至3.3V邏輯。輸出驅(qū)動器具有一個高脈沖電流緩沖級，設(shè)計用于最小驅(qū)動器交叉?zhèn)鲗?。浮動通?b class="flag-6" style="color: red">可用于驅(qū)動高側(cè)配置的N溝道功率MOSFET或IGBT，其工作電壓高達600伏。
2020-07-21 08:00:0067 本應用筆記涵蓋了計算柵極驅(qū)動光耦合器 IC 的柵極驅(qū)動器功率和熱耗散的主題。柵極驅(qū)動光耦合器用于驅(qū)動、導通和關(guān)斷、功率半導體開關(guān)、MOSFET/IGBT。柵極驅(qū)動功率計算可分為三部分；驅(qū)動器內(nèi)部電路
2021-06-14 03:51:005319 
本應用筆記介紹了MOSFET / IGBT驅(qū)動器理論及其應用。該文檔介紹了MOSFET和IGBT技術(shù)，驅(qū)動器的類型，隔離技術(shù)以及MOSFET / IGBT驅(qū)動器的IXYS系列以及一些實際考慮因素
2021-05-26 17:04:024024 
摘要
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為
2021-01-28 08:13:3821 快速 150V 高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器 提供 100% 占空比能力
2021-03-20 11:56:482 LTC4444：高壓同步N溝道MOSFET驅(qū)動器數(shù)據(jù)表
2021-04-27 09:13:316 LTC4444-5：高壓同步N溝道MOSFET驅(qū)動器數(shù)據(jù)表
2021-05-11 17:18:146 MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器電路的基本原理
2021-11-29 16:29:1773 隨著新的應用領(lǐng)域和市場的出現(xiàn)，近年來全球電力需求猛增，使得節(jié)能成為設(shè)備設(shè)計的重要方面。這使得高效逆變器電路和轉(zhuǎn)換器必不可少，特別是對于需要高功率轉(zhuǎn)換的電源和驅(qū)動器。
2022-07-27 10:58:231840 
STMicroelectronics (ST) 的 STGAP2SiCSN 單通道柵極驅(qū)動器旨在調(diào)節(jié)碳化硅 (SiC) MOSFET。它采用窄體 SO-8 封裝，可節(jié)省空間并具有精確的PWM 控制
2022-08-03 09:47:012625 
MOSFET及
IGBT柵極驅(qū)動電路的引腳排列內(nèi)部結(jié)構(gòu)、工作原理、主要技術(shù)參數(shù)和應用
技術(shù)。書中不但給出多種以這些驅(qū)動器集成電路為核心單元的典型電力電
子變流系統(tǒng)專用驅(qū)動控制板的應用實例而且對這些具
2022-08-13 09:21:390 （碳化硅）MOSFET等高壓功率器件。 柵極驅(qū)動IC作為電動汽車逆變器的重要組成部分，在逆變器控制MCU，及向逆變器供電的IGBT和SiC MOSFET間提供接口。它們在低壓域接收來自MCU的控制信號，并將這些信號傳遞至高壓域，快速開啟和關(guān)閉功率器件。為適應電動車輛電池的更高電壓，RAJ29300
2023-02-02 11:10:022205 瑞薩電子推出一款全新柵極驅(qū)動IC——RAJ2930004AGM，用于驅(qū)動電動汽車（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率器件。
2023-02-03 14:59:11847 IGBT應用領(lǐng)域和IGBT燒結(jié)銀工藝自20世紀80年代末開始工業(yè)化應用以來，IGBT發(fā)展迅速，不僅在工業(yè)應用中取代了MOS和GTR，還在消費類電子應用中逐步取代了BJT、MOS等功率器件的眾多
2022-04-13 15:33:132046 
在電機驅(qū)動系統(tǒng)中，柵極驅(qū)動器或“預驅(qū)動器” IC常與N溝道功率MOSFET一起使用，以提供驅(qū)動電機所需的大電流。在選擇驅(qū)動器IC、MOSFET以及某些情況下用到的相關(guān)無源元件時，有很多需要考量的設(shè)計因素。如果對這個過程了解不透徹，將導致實現(xiàn)方式的差強人意。
2023-08-02 18:18:342087 
在現(xiàn)代工業(yè)領(lǐng)域，伺服驅(qū)動器是一種關(guān)鍵的電氣裝置，它在機器控制和運動控制系統(tǒng)中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。無論是工業(yè)機器人、數(shù)控機床還是自動化生產(chǎn)線，伺服驅(qū)動器都是實現(xiàn)精準位置控制和高效運動控制的關(guān)鍵組件。本文將介紹伺服驅(qū)動器的工作原理、應用領(lǐng)域以及在現(xiàn)代工業(yè)中的重要作用。
2023-08-21 17:34:029216 ，例如直流電機驅(qū)動器、電動車、變頻器等。IGBT可以調(diào)節(jié)電力的大小，以便更好地控制電路中的電流和電壓。這種控制方法有助于提高電力電子設(shè)備的效率和控制精度。IGBT還將在電網(wǎng)中廣泛應用，用于調(diào)節(jié)電網(wǎng)負載和平衡電網(wǎng)負載。此外，它也可以用于智能電網(wǎng)的改
2023-08-25 15:03:2611090 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅(qū)動器.pdf》資料免費下載
2023-09-25 11:27:500 MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同，決定了其應用領(lǐng)域的不同。
2023-11-03 14:53:422346 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動器 提供隔離功能的最大功率限制.pdf》資料免費下載
2023-11-22 16:48:150 報告內(nèi)容包含：
效率和功率密度推動變革
基本的 MOSFET 柵極驅(qū)動器功能
驅(qū)動器演進以支持 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）
驅(qū)動器進化以支持 SiC（碳化硅）
2023-12-18 09:39:57995 
伺服驅(qū)動器作為自動化設(shè)備的核心部件之一，其作用和原理對于理解自動化設(shè)備的工作原理具有重要意義。本文將為您詳細介紹伺服驅(qū)動器的作用與原理。 一、伺服驅(qū)動器的作用 伺服驅(qū)動器是一種用于控制伺服電機
2024-01-17 17:52:4510665 意法半導體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 09:05:361813 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用于IGBT和MOSFET的5.7 kVRMS增強型隔離柵極驅(qū)動器ISO5852S數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-29 09:11:360 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用于IGBT和MOSFET的 5.7 kVRMS 增強型隔離柵極驅(qū)動器ISO5452數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-29 09:10:220 Littelfuse宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器。這款創(chuàng)新的驅(qū)動器專門設(shè)計用于驅(qū)動工業(yè)應用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。
2024-05-23 11:26:301651 近日，Littelfuse公司發(fā)布了IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器，這款新型驅(qū)動器在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。
2024-05-23 11:34:211464 的信號轉(zhuǎn)換成高電壓、高電流的脈沖來控制MOSFET或IGBT的柵極，從而提高這些器件的性能、可靠性和使用壽命。柵極驅(qū)動器在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色，廣泛應用于電機控制、逆變器、開關(guān)電源等領(lǐng)域。
2024-07-19 17:15:2724573 MOSFET驅(qū)動器是一種用于驅(qū)動MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）的電路設(shè)備。MOSFET作為一種重要的半導體器件，在電子工業(yè)中有著廣泛的應用，特別是在需要高頻、高電壓、大電流控制的場合
2024-07-24 16:21:071852 高壓柵極驅(qū)動器在確保電動汽車的電力流動可靠控制方面至關(guān)重要。從控制逆變器的IGBT或MOSFET的開關(guān)到監(jiān)測和管理電池的充電狀態(tài)、健康狀況和熱條件，高壓驅(qū)動器確保對開關(guān)事件的精確控制。電動機控制
2024-08-29 11:45:491198 
最新 IGBT 和 MOSFET 驅(qū)動器 器件峰值輸出電流高達?4 A 工作溫度高達?+125 °C，傳播延遲低至?200 ns Vishay 推出兩款采用緊湊、高隔離延展型 SO-6 封裝
2024-11-03 13:42:001015 
高頻率開關(guān)的MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器，可能會產(chǎn)生大量的耗散功率。因此，需要確認驅(qū)動器功率耗散和由此產(chǎn)生的結(jié)溫，確保器件在可接受的溫度范圍內(nèi)工作。高壓柵極驅(qū)動集成電路（HVIC）是專為半橋開關(guān)
2024-11-11 17:21:201607 
MT8006是一款基于P_SUB P_EPI工藝的高壓、高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動器。浮動溝道驅(qū)動器可用于獨立驅(qū)動兩個N溝道功率MOSFET或IGBT，工作電壓最高可達300 V。邏輯輸入
2025-03-18 16:37:020 UCC5350L-Q1 是一款單通道隔離式柵極驅(qū)動器，具有 10A 拉電流和 10A 灌電流典型峰值電流，設(shè)計用于驅(qū)動 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET。UCC5350L-Q1
2025-05-15 11:00:09865 
內(nèi)容概要：HPD2606X是一款600V半橋柵極驅(qū)動器，采用專有的HVIC和閂鎖免疫CMOS技術(shù)，能夠穩(wěn)定驅(qū)動高壓MOSFET和IGBT。其主要特性包括懸浮通道設(shè)計、抗dV/dt瞬態(tài)負電壓能力、寬門
2025-05-19 11:33:300 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()用于混合組裝的光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有用于混合組裝的光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動器的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料
2025-07-03 18:34:35
Texas Instruments UCC5871-Q1 IGBT/SiC MOSFET柵極驅(qū)動器是一款隔離式、高度可配置的單通道柵極驅(qū)動器，設(shè)計用于驅(qū)動EV/HEV應用中的大功率SiC
2025-08-29 09:28:22741 
Vishay Semiconductors VOFD343A IGBT和MOSFET驅(qū)動器是采用加長SO-6封裝的緊湊型高設(shè)計、快速開關(guān)IGBT和MOSFET驅(qū)動器。VOFD343A光耦合器
2025-11-11 16:22:341415 Vishay Semiconductors VOFD341A IGBT和MOSFET驅(qū)動器是采用加長SO-6封裝的緊湊型、快速開關(guān)IGBT和MOSFET驅(qū)動器。VOFD341A光耦合器具有3A高峰
2025-11-11 16:33:481436 在電力電子設(shè)計領(lǐng)域，IGBT和MOSFET作為關(guān)鍵的功率開關(guān)器件，其驅(qū)動電路的性能直接影響著整個系統(tǒng)的效率和可靠性。今天，我們就來深入探討一下安森美（onsemi）推出的NCx57080y和NCx57081y系列高電流單通道IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動器。
2025-12-01 14:29:16467 
在電力電子領(lǐng)域，IGBT和MOSFET作為關(guān)鍵的功率開關(guān)器件，其驅(qū)動電路的性能對整個系統(tǒng)的效率和可靠性起著至關(guān)重要的作用。今天，我們就來詳細探討一下安森美（onsemi）推出的NCx57090y, NCx57091y系列高電流單通道IGBT/MOSFET門驅(qū)動器。
2025-12-09 09:37:551527 
在高功率應用領(lǐng)域，工程師們一直在尋找能夠提升系統(tǒng)效率和可靠性的關(guān)鍵組件。onsemi 的 NCx57080y 和 NCx57081y 高電流單通道 IGBT/MOSFET 柵極驅(qū)動器就是這樣一款出色的產(chǎn)品。今天，我們就來深入剖析這款驅(qū)動器的特點、應用以及使用中的關(guān)鍵要點。
2025-12-09 10:07:391541 
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