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飛兆推出空間節(jié)省型封裝和可優(yōu)化電能應(yīng)用的中壓MOSFET

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為了幫助設(shè)計(jì)人員應(yīng)對這些挑戰(zhàn),半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)出FDMS36xxS系列功率級非對稱雙MOSFET模塊.
2011-06-15 09:01:072745

半導(dǎo)體開發(fā)出PowerTrench MOSFET器件FDMB2307NZ

半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 開發(fā)出PowerTrench? MOSFET器件FDMB2307NZ。該器件具有能夠大幅減小設(shè)計(jì)的外形尺寸,并提供了所需的高效率。
2011-12-14 09:19:402842

半導(dǎo)體和英飛凌進(jìn)一步擴(kuò)展功率MOSFET兼容協(xié)議

半導(dǎo)體公司和英飛凌科技宣布進(jìn)一步擴(kuò)展封裝兼容合作伙伴關(guān)系,擴(kuò)展協(xié)議將包括5x6mm非對稱結(jié)構(gòu)功率級雙MOSFET封裝。
2012-02-09 09:18:221087

半導(dǎo)體小體積低導(dǎo)通阻抗單一P溝道PowerTrench MOSFET

半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 現(xiàn)為手機(jī)和其它超便攜應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員提供一款P溝道PowerTrench MOSFET器件,滿足其對具有出色散熱性能的小尺寸電池或負(fù)載開關(guān)解決方案的需求。
2012-03-01 09:05:38813

半導(dǎo)體DrMOS系列Ultrabook應(yīng)用解決方案

半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)提供第二代XS? DrMOS系列FDMF6708N,這是經(jīng)全面優(yōu)化的緊湊集成MOSFET解決方案加驅(qū)動器功率級解決方案
2012-03-21 08:59:523222

開發(fā)出P溝道PowerTrench WL-CSP MOSFET

便攜設(shè)備的設(shè)計(jì)人員面臨著在終端應(yīng)用節(jié)省空間、提高效率和應(yīng)對散熱問題的挑戰(zhàn)。為了順應(yīng)這一趨勢,半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)了FDZ661PZ和FDZ663P P溝道、1.5V規(guī)格的
2012-05-18 14:20:031429

半導(dǎo)體推出Dual Cool封裝MOSFET

半導(dǎo)體已擴(kuò)展和改進(jìn)了其采用Dual Cool封裝的產(chǎn)品組合,這種封裝屬于業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)引腳排列封裝,帶有頂側(cè)冷卻,適用的產(chǎn)品包括40-100V產(chǎn)品系列。硅技術(shù)的進(jìn)步結(jié)合Dual Cool技術(shù),
2013-01-08 14:04:441467

Fairchild推出業(yè)內(nèi)首款8x8 Dual Cool封裝MOSFET

全球領(lǐng)先的高性能功率半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Fairchild (NASDAQ: FCS) 推出了其行業(yè)領(lǐng)先的MOSFET產(chǎn)品,采用了8x8 Dual Cool封裝。這款新型Dual Cool 88
2015-09-01 09:02:501989

Vishay 新款CDMV系列厚膜片式電阻分節(jié)省寶貴空間并在高壓應(yīng)用簡化設(shè)計(jì)

Vishay推出新系列厚膜電阻---CDMV系列,其在高壓工業(yè)和新能源設(shè)備應(yīng)用幫助分設(shè)計(jì)節(jié)約寶貴空間,簡化生產(chǎn)設(shè)計(jì),提高設(shè)計(jì)靈活性。
2016-06-14 10:14:191030

Vishay推出用于同步降壓的業(yè)內(nèi)首批通過AEC-Q101認(rèn)證的雙片不對稱封裝12V和20V MOSFET

轉(zhuǎn)換器節(jié)省空間電能。Vishay Siliconix SQJ202EP和SQJ200EP N溝道TrenchFET?器件把高邊和低邊MOSFET組合進(jìn)小尺寸5mm x 6mm PowerPAK? SO-8L雙片不對稱封裝里,低邊MOSFET的最大導(dǎo)通電阻低至3.3mΩ。
2016-07-11 14:33:171295

Vishay新款厚膜片式電阻為系統(tǒng)節(jié)省空間并減少元器件用量

Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出通過AEC-Q200認(rèn)證的新系列厚膜片式電阻。Vishay Techno CRMA系列電阻是針對
2018-01-17 11:30:379205

功耗相關(guān)設(shè)計(jì)可以節(jié)省MOSFET空間

您的功耗相關(guān)設(shè)計(jì)可以節(jié)省MOSFET空間,因?yàn)槟?jīng)常成對使用這些功能。半導(dǎo)體(圖片)的P溝道FDZ2552P和類似的N溝道FDZ2551N MOSFET用于低閾值電池保護(hù)應(yīng)用(V GS
2019-08-12 15:08:403625

2.7V 至 38V/500mA 低噪聲降壓-升壓 充電泵節(jié)省空間并降低 EMI

2.7V 至 38V/500mA 低噪聲降壓-升壓 充電泵節(jié)省空間并降低 EMI
2021-03-19 08:17:348

LTC2912 - 單電源欠和過監(jiān)視器提供了精準(zhǔn)和節(jié)省空間的解決方案

LTC2912 - 單電源欠和過監(jiān)視器提供了精準(zhǔn)和節(jié)省空間的解決方案
2021-03-20 20:47:056

DN363 - 用 MOSFET 來替代“或”二極管以減少發(fā)熱和節(jié)省空間

DN363 - 用 MOSFET 來替代“或”二極管以減少發(fā)熱和節(jié)省空間
2021-03-21 13:46:510

節(jié)省空間,降低EMI

節(jié)省空間,降低EMI
2021-05-20 11:42:156

98%能效!PowerPAIR? 3x3FS封裝,30V對稱雙通道MOSFET

Vishay TrenchFET Gen V MOSFET? 節(jié)省空間器件所需 PCB 空間比 PowerPAIR 6x5F 封裝減少 63% 有助于減少元器件數(shù)量并簡化設(shè)計(jì) Vishay? 推出
2023-02-04 06:10:041602

微愛芯小封裝邏輯芯片 節(jié)省PCB空間

隨著新一代5G網(wǎng)絡(luò)、IoT物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)和AI人工智能技術(shù)的迅猛發(fā)展,小型化已成為筆電服務(wù)器、智能穿戴、智能家居等各種電子產(chǎn)品最重要的發(fā)展趨勢之一。微愛芯可提供采用XSON、QFN、SOT等小封裝的邏輯芯片,最大程度地減少外部元器件尺寸,節(jié)省PCB的寶貴空間。
2023-05-31 09:34:231801

KUU推出SOT-723封裝MOSFET

KUU推出超小型SOT-723封裝MOSFET,特別為空間受限的便攜式應(yīng)用優(yōu)化的新一代MOSFET,這些新低閾值電壓MOSFET采用KUU先進(jìn)的溝槽工藝技術(shù)來取得能夠和SOT-523等大上許多封裝
2023-04-04 16:10:392732

集成式FET模塊節(jié)省系統(tǒng)電路板空間

每個FDMS96xx模塊在單一MLP封裝中集成了三個單獨(dú)的分立元件,從而節(jié)省超過50%的電路板空間。傳統(tǒng)的同步降壓轉(zhuǎn)換器則通常包含兩個SO8封裝MOSFET和一個肖特基二極管。
2023-10-18 15:10:37722

中科微電ZK150G05T:封裝功率器件的適配創(chuàng)新

中科微電推出的N溝道MOSFET ZK150G05T,以150V耐壓、51A連續(xù)電流、TO-252-2L薄封裝為核心標(biāo)簽,精準(zhǔn)匹配3-8kW級壓場景的功率控制需求,其參數(shù)設(shè)計(jì)與應(yīng)用表現(xiàn),為理解小功率器件的適配性發(fā)展邏輯提供了典型樣本。
2025-11-04 16:27:15482

選型手冊:VS8402ATH N 溝道增強(qiáng)功率 MOSFET 晶體管

半導(dǎo)體推出的VS8402ATH是一款面向80V大電流場景的N溝道增強(qiáng)功率MOSFET,采用TO-220AB封裝,憑借超低導(dǎo)通電阻與160A大電流承載能力,適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源
2025-11-28 12:10:55175

選型手冊:VS1401ATH N 溝道增強(qiáng)功率 MOSFET 晶體管

選型手冊:VS1401ATHN溝道增強(qiáng)功率MOSFET晶體管威半導(dǎo)體推出的VS1401ATH是一款面向100V超大電流場景的N溝道增強(qiáng)功率MOSFET,采用TO-220AB直插封裝,憑借
2025-11-28 12:14:04238

選型手冊:VS1602GMH N 溝道增強(qiáng)功率 MOSFET 晶體管

半導(dǎo)體推出的VS1602GMH是一款面向100V超大電流場景的N溝道增強(qiáng)功率MOSFET,采用TO-263封裝,憑借1.9mΩ極致低導(dǎo)通電阻與170A大電流承載能力,適用于大電流DC
2025-12-03 09:23:07266

選型手冊:VS1891GMH N 溝道增強(qiáng)功率 MOSFET 晶體管

半導(dǎo)體推出的VS1891GMH是一款面向100V超大電流場景的N溝道增強(qiáng)功率MOSFET,采用TO-263封裝,適配大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理、高功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品
2025-12-09 10:12:07262

選型手冊:VS1602GFH N 溝道增強(qiáng)功率 MOSFET 晶體管

半導(dǎo)體推出的VS1602GFH是一款面向100V壓場景的N溝道增強(qiáng)功率MOSFET,采用TO-220F封裝,適配DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理、功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型
2025-12-09 10:29:22276

選型手冊:VS1602GTH N 溝道增強(qiáng)功率 MOSFET 晶體管

半導(dǎo)體推出的VS1602GTH是一款面向100V超大電流場景的N溝道增強(qiáng)功率MOSFET,采用TO-220AB封裝,適配大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型
2025-12-09 10:43:32215

選型手冊:VS320N10AU N 溝道增強(qiáng)功率 MOSFET 晶體管

半導(dǎo)體推出的VS320N10AU是一款面向100V超大電流場景的N溝道增強(qiáng)功率MOSFET,采用TO-247封裝,適配大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型
2025-12-12 15:26:26172

選型手冊:VSE090N10MS N 溝道增強(qiáng)功率 MOSFET 晶體管

半導(dǎo)體推出的VSE090N10MS是一款面向100V壓場景的N溝道增強(qiáng)功率MOSFET,采用PDFN3x3封裝,適配小型電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)
2025-12-23 11:22:46175

選型手冊:VS6038AD N 溝道增強(qiáng)功率 MOSFET 晶體管

半導(dǎo)體推出的VS6038AD是一款面向60V壓場景的N溝道增強(qiáng)功率MOSFET,采用TO-252/TO-251封裝,適配功率電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道
2025-12-23 11:43:46164

選型手冊:VSD090N10MS N 溝道增強(qiáng)功率 MOSFET 晶體管

半導(dǎo)體推出的VSD090N10MS是一款面向100V壓場景的N溝道增強(qiáng)功率MOSFET,采用TO-252封裝,適配功率電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)
2025-12-25 16:14:53109

選型手冊:VSD011N10MS-G N 溝道增強(qiáng)功率 MOSFET 晶體管

半導(dǎo)體推出的VSD011N10MS-G是一款面向100V壓場景的N溝道增強(qiáng)功率MOSFET,采用TO-252封裝,適配功率電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道
2025-12-25 16:18:26111

選型手冊:VS5810AS N 溝道增強(qiáng)功率 MOSFET 晶體管

半導(dǎo)體推出的VS5810AS是一款面向58V壓場景的N溝道增強(qiáng)功率MOSFET,采用SOP8封裝,適配小型電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)功率MOSFET
2025-12-25 16:27:25121

選型手冊:VS8068AD N 溝道增強(qiáng)功率 MOSFET 晶體管

半導(dǎo)體推出的VS8068AD是一款面向80V壓場景的N溝道增強(qiáng)功率MOSFET,采用TO-262封裝,適配功率電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)功率
2025-12-26 11:50:1393

選型手冊:VSP004N10MS-G N 溝道增強(qiáng)功率 MOSFET 晶體管

半導(dǎo)體推出的VSP004N10MS-G是一款面向100V壓場景的N溝道增強(qiáng)功率MOSFET,采用PDFN5060X封裝,適配大功率電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件
2025-12-26 11:57:06115

選型手冊:VS6880AT N 溝道增強(qiáng)功率 MOSFET 晶體管

半導(dǎo)體推出的VS6880AT是一款面向68V壓場景的N溝道增強(qiáng)功率MOSFET,采用TO-220AB封裝,適配大功率電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)功率
2025-12-26 11:58:4295

選型手冊:VSF013N10MS3-G N 溝道增強(qiáng)功率 MOSFET 晶體管

半導(dǎo)體推出的VSF013N10MS3-G是一款面向100V壓場景的N溝道增強(qiáng)功率MOSFET,采用TO-220SF封裝,適配功率電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N
2025-12-29 09:53:44110

選型手冊:VST018N10MS N 溝道增強(qiáng)功率 MOSFET 晶體管

半導(dǎo)體推出的VST018N10MS是一款面向100V大功率場景的N溝道增強(qiáng)功率MOSFET,采用TO-220AB封裝,適配大功率電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N
2025-12-29 11:30:14170

選型手冊:VSO013N10MS N 溝道增強(qiáng)功率 MOSFET 晶體管

半導(dǎo)體推出的VSO013N10MS是一款面向100V壓場景的N溝道增強(qiáng)功率MOSFET,采用SOP8封裝,適配小型電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)功率
2025-12-29 11:52:1680

選型手冊:VSI008N10MS N 溝道增強(qiáng)功率 MOSFET 晶體管

半導(dǎo)體推出的VSI008N10MS是一款面向100V壓場景的N溝道增強(qiáng)功率MOSFET,采用TO-251封裝,適配功率電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)
2025-12-30 10:55:5268

選型手冊:VSP005NE8HS-G N 溝道增強(qiáng)功率 MOSFET 晶體管

半導(dǎo)體推出的VSP005NE8HS-G是一款面向85V壓場景的N溝道增強(qiáng)功率MOSFET,采用PDFN5x6封裝,適配大功率電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N
2025-12-30 11:59:2797

選型手冊:VSE011N10MS-G N 溝道增強(qiáng)功率 MOSFET 晶體管

半導(dǎo)體推出的VSE011N10MS-G是一款面向100V壓場景的N溝道增強(qiáng)功率MOSFET,采用PDFN3333封裝,適配小型高功率密度電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型
2025-12-30 14:58:12102

選型手冊:VSP003N10HS-K N 溝道增強(qiáng)功率 MOSFET 晶體管

半導(dǎo)體推出的VSP003N10HS-K是一款面向100V壓場景的N溝道增強(qiáng)功率MOSFET,采用PDFN5060X封裝,適配超大功率電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件
2025-12-30 15:04:3894

選型手冊:VSP007N07MS N 溝道增強(qiáng)功率 MOSFET 晶體管

半導(dǎo)體推出的VSP007N07MS是一款面向80V壓場景的N溝道增強(qiáng)功率MOSFET,采用PDFN5x6封裝,適配大功率電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道
2026-01-04 16:26:1070

選型手冊:VS1605ATM N 溝道增強(qiáng)功率 MOSFET 晶體管

半導(dǎo)體推出的VS1605ATM是一款面向100V壓場景的N溝道增強(qiáng)功率MOSFET,采用TO-220AB封裝,適配大功率電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)
2026-01-04 16:31:5648

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