全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布,兩家公司進(jìn)一步擴(kuò)展封裝兼容合作伙伴關(guān)系,擴(kuò)展協(xié)議將包括5x
2012-02-10 09:07:56
760 便攜設(shè)備的設(shè)計(jì)人員面臨著在終端應(yīng)用中節(jié)省空間、提高效率和應(yīng)對散熱問題的挑戰(zhàn)。為了順應(yīng)這一趨勢,飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)了FDZ661PZ和FDZ663PP溝道、1.5V規(guī)格
2012-05-16 09:27:16
1392 飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 經(jīng)擴(kuò)大了其 P 通道 PowerTrench? MOSFET 產(chǎn)品線 。
2012-08-10 09:58:12
1956 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 日前推出了全新系列的 低功率、面向應(yīng)用、極性反向保護(hù)開關(guān),其中有些保護(hù)開關(guān)還具有過壓瞬變保護(hù)功能。
2012-08-21 17:21:36
1106 飛兆半導(dǎo)體 LED 背光升壓開關(guān)可減少功率損耗,并最大限度地減少高功率應(yīng)用中的次諧波振蕩
2012-10-10 09:55:54
1196 安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ONNN)擴(kuò)充公司寬廣的接口及電源管理產(chǎn)品陣容,推出一對優(yōu)化的超小超薄小信號MOSFET,用于空間受限的便攜消費(fèi)電子產(chǎn)品
2012-10-18 09:29:01
876 飛兆半導(dǎo)體公司新推出了40V 的N溝道PowerTrench MOSFET FDB9403,該產(chǎn)品可幫助設(shè)計(jì)人員在汽車動力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)的設(shè)計(jì)工程師需要能夠提供更高效率和更佳功率控制的解決方案。
2012-12-04 14:56:04
1314 飛兆半導(dǎo)體已擴(kuò)展和改進(jìn)了其采用Dual Cool封裝的產(chǎn)品組合,解決了DC-DC轉(zhuǎn)換應(yīng)用中面臨提升功率密度的同時節(jié)省電路板空間和降低熱阻的挑戰(zhàn)。
2013-01-08 17:04:44
1436 飛兆半導(dǎo)體的四路MOSFET解決方案提高了效率,解決了有源整流橋應(yīng)用中的散熱問題。單個封裝中的四個60V MOSFET可提高系統(tǒng)效率,替代二極管整流橋,實(shí)現(xiàn)緊湊的設(shè)計(jì)并節(jié)省電路板空間
2013-05-02 15:18:55
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飛兆半導(dǎo)體公司(紐約證券交易所代號: FCS)是高性能功率半導(dǎo)體和移動半導(dǎo)體解決方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商,通過引入 100 V BoostPak 設(shè)備系列優(yōu)化 MOSFET 和二極管選擇過程,將
2013-06-05 11:49:39
1355 Vishay Intertechnology宣布,推出新系列小型柵極驅(qū)動變壓器---MGDT,可在高功率的國防和航天、工業(yè)及醫(yī)療應(yīng)用中顯著節(jié)省空間。
2018-03-07 13:57:09
9669 MOSFET和三極管哪個是壓控壓型,哪個是流控流型?
2019-05-11 09:22:28
11126 
,仍然存在差距,無法完全而快速地了解供應(yīng)商提供的仿真模型是否在給定的應(yīng)用空間中準(zhǔn)確地代表了設(shè)備。 與競爭模型不同,飛兆半導(dǎo)體的超結(jié)MOSFET和IGBT SPICE模型基于適用于整個技術(shù)平臺的一個物理可擴(kuò)展模型,而不是針對每種器件尺
2021-04-02 12:58:20
5981 
東芝推出采用薄型SO6L封裝的兩款光耦---“TLP5705H”和“TLP5702H”,可在小型IGBT/MOSFET中用作絕緣柵極驅(qū)動IC。
2021-11-30 15:24:19
1919 
節(jié)省空間型器件所需 PCB 空間比 PowerPAIR 6x5F 封裝減少 63% ,有助于減少元器件數(shù)量并簡化設(shè)計(jì) ? 美國 賓夕法尼亞 MALVER N 、中國 上海 — 2023 年 1 月
2023-01-30 10:09:49
986 
` 誰來闡述一下mosfet是什么型器件?`
2019-10-25 16:06:28
誰來闡述一下mosfet是電壓型器件嗎
2019-10-25 15:58:03
/MICROWIRE兼容的接口。 該產(chǎn)品尺寸為3×3mm,與同類產(chǎn)品相比,可節(jié)省85%的電路板空間,功耗為67mW,比同類產(chǎn)品低40%,DC精度為±1LSB INL,適用于工業(yè)過程控制及電池供電的無線
2018-08-24 16:56:31
封裝在開關(guān)速度、效率和驅(qū)動能力等方面的有效性。最后,第四節(jié)分析了實(shí)驗(yàn)波形和效率測量,以驗(yàn)證最新推出的TO247 4引腳封裝的性能。 II.分析升壓轉(zhuǎn)換器中采用傳統(tǒng)的TO247封裝的MOSFET A.開關(guān)
2018-10-08 15:19:33
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)推出兩款高集成度模塊產(chǎn)品FDMS9600S和FDMS9620S,能夠顯著減少電路板空間,同時可在同步降壓設(shè)計(jì)中達(dá)到較高的轉(zhuǎn)換效率
2018-11-22 15:48:58
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)推出兩款高集成度模塊產(chǎn)品FDMS9600S和FDMS9620S,能夠顯著減少電路板空間,同時可在同步降壓設(shè)計(jì)中達(dá)到較高的轉(zhuǎn)換效率
2018-11-26 16:06:31
員所需要的。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor簡稱FAI)推出的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET(尺寸3.3mm x 3.3mm 外形PQFN)此款
2012-04-28 10:21:32
技術(shù),是該公司首批采用5x6mm PQFN封裝、優(yōu)化銅片和焊接片芯的器件。IRFH6200TRPbF20V器件可實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的RDS(on),在4.5V Vgs下,最高僅為<br/&
2010-05-06 08:55:20
電壓能力相結(jié)合。IGBT將用于控制輸入的隔離柵極FET和作為單個器件中開關(guān)的雙極型功率晶體管組合在一起。安森美半導(dǎo)體推出TO247-4L IGBT系列,具有強(qiáng)大且經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的Field StopII
2020-07-07 08:40:25
幫助工程師在空間受限的高壓應(yīng)用中,可靠地驅(qū)動MOSFET或IGBT,簡化設(shè)計(jì)并提升系統(tǒng)功率密度。核心特性:
高壓與小封裝集成:支持最高200V的母線電壓,采用超緊湊的DFN3x3-8封裝,顯著節(jié)省PCB空間
2025-12-27 09:27:00
扁平SOT23F封裝,與正在使用的7.3 mm x 6.7mm SOT223封裝的元件相比節(jié)省了85%的占板空間。</p><p>雖然SOT23F
2009-01-07 16:01:44
`目前,電源工程師面臨的一個主要難題是,隨著功能的日益增多,商用電子產(chǎn)品的尺寸不斷縮小,留給電源電路的空間越來越少。解決這個難題的辦法之一是充分利用在MOSFET技術(shù)和封裝上的進(jìn)步。通過在更小尺寸
2013-12-23 11:55:35
怎樣選擇低溫運(yùn)行、大功率、可擴(kuò)展的POL穩(wěn)壓器并節(jié)省電路板空間如何減少PCB上DC/DC轉(zhuǎn)換器封裝的熱量?
2021-03-10 06:45:29
陶瓷板,可適配標(biāo)準(zhǔn)CAV應(yīng)用型封裝,可有效降低新能源商用車主驅(qū)電控、燃料電池能源管理系統(tǒng)應(yīng)用中的功率器件溫升和損耗?! core2系列產(chǎn)品具有低開關(guān)損耗、可高速開關(guān)、低溫度依賴性、高可靠性等特點(diǎn)
2023-02-27 11:55:35
的鎮(zhèn)流器IC,F(xiàn)AN7710是在CFL設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)空間節(jié)省的理想系統(tǒng)級封裝解決方案。通過同時推出面向LFL 和 CFL應(yīng)用的FAN7711,飛兆半導(dǎo)體的產(chǎn)品組合使得設(shè)計(jì)人員能夠根據(jù)應(yīng)用的具體要求,靈活地優(yōu)化
2018-08-28 15:28:41
: 電路板尺寸和可用空間 精度和可靠性 設(shè)計(jì)和生產(chǎn)總成本 電路板尺寸和可用空間 選擇一個組合式傳感器來代替兩個獨(dú)立傳感器的最明顯優(yōu)勢也許就是“在單個傳感器尺寸的封裝中可以提供更多的功能”.在
2018-11-13 16:10:20
單通道STGAP2SiCSN柵極驅(qū)動器旨在優(yōu)化SiC MOSFET的控制,采用節(jié)省空間的窄體SO-8封裝,通過精確的PWM控制提供強(qiáng)大穩(wěn)定的性能。隨著SiC技術(shù)廣泛應(yīng)用于提高功率轉(zhuǎn)換效率,STGAP2SiCSN簡化了設(shè)計(jì)、節(jié)省了空間,并增強(qiáng)了節(jié)能型動力系統(tǒng)、驅(qū)動器和控制的穩(wěn)健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
MOSFET將封裝面積減半-Zetex新款無鉛型Zetex 新款無鉛型 MOSFET 將占位面積減半模擬信號處理及功率管理方案供應(yīng)商Zetex Semiconductors (捷特科)公司推出其
2008-03-22 14:46:02
688 飛兆半導(dǎo)體300mA低壓降LDO適合高效率和空間受限數(shù)字應(yīng)用飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為對能量敏感的系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供300mA低壓降 (LDO) 穩(wěn)壓器解決方案,在效率、瞬態(tài)
2008-12-08 11:55:58
684 飛兆半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)效率高達(dá)94%的電源參考設(shè)計(jì)
在消費(fèi)應(yīng)用中降低噪聲并保護(hù)敏感電路飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出 200W DC-DC
2009-05-08 10:51:25
734 FDZ197PZ 飛兆半導(dǎo)體推出單一P溝道MOSFET器件
飛兆半導(dǎo)體公司 (Farichild Semiconductor)為智能電話、手機(jī)、上網(wǎng)本、醫(yī)療和其它便攜式應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員帶來
2009-08-04 08:15:47
930 飛兆升壓開關(guān)為高頻步進(jìn)DC-DC實(shí)現(xiàn)高效率
飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 全新的升壓開關(guān)產(chǎn)品FDFME3N311ZT,有助提高手機(jī)、醫(yī)療、便攜和消費(fèi)應(yīng)用設(shè)計(jì)的升壓轉(zhuǎn)
2009-11-13 10:27:41
743 飛兆半導(dǎo)體MicroFET™采用薄型封裝
飛兆半導(dǎo)體公司(Farichild Semiconductor)宣布其MicroFET現(xiàn)推出行業(yè)領(lǐng)先的薄型封裝版本,幫助設(shè)計(jì)人員提升其設(shè)計(jì)性能。飛兆半導(dǎo)體與設(shè)計(jì)工
2009-11-21 08:58:55
675 薄型封裝版本MicroFET MOSFET
日前,飛兆半導(dǎo)體公司(Farichild Semiconductor)宣布其MicroFET現(xiàn)推出行業(yè)領(lǐng)先的薄型封裝版本,幫助設(shè)計(jì)人員提升其設(shè)計(jì)性能。飛兆半導(dǎo)體與設(shè)計(jì)工
2009-11-23 09:12:22
631 Diodes針對VoIP應(yīng)用優(yōu)化的全新MOSFET,可極大降低成本
Diodes公司推出兩款N溝道MOSFET,為網(wǎng)絡(luò)電話 (VoIP) 通信設(shè)備的設(shè)計(jì)人員帶來一種更堅(jiān)固的解決方案,極大地降低了電路
2009-12-04 08:33:09
933 飛兆半導(dǎo)體推出具有1080p高清能力的視頻濾波器
飛兆半導(dǎo)體 (Fairchild Semiconductor) 為高清 (HD) 液晶電視、藍(lán)光DVD播放器和 HD 機(jī)頂盒設(shè)計(jì)人員提供業(yè)界首款具有1080p高清能
2009-12-12 08:51:39
621 飛兆半導(dǎo)體推出四通道集成式視頻濾波器,可支持機(jī)頂盒和DVD
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)針對現(xiàn)今許多視頻產(chǎn)品平臺逐步淘汰S-video,以及四通道正在成為標(biāo)準(zhǔn)
2010-01-18 08:34:33
1014 飛兆半導(dǎo)體高效率緊湊電源解決方案MOSFET器件
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)推出具高效率和出色熱性能,并有助實(shí)現(xiàn)更薄、更輕和更緊湊的電源解決方
2010-03-03 10:50:39
933 飛兆半導(dǎo)體推出MOSFET器件FDMC7570S
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)推出具高效率和出色熱性能,并有助實(shí)現(xiàn)更薄、更輕和更緊湊的電源解決方案的MOSFET產(chǎn)品系列,可應(yīng)
2010-03-05 10:32:53
1244 
飛兆推出帶USB/充電器檢測功能的便攜應(yīng)用OVP器件FAN3988
飛兆半導(dǎo)體公司(Farichild Semiconductor) 為手機(jī)和手持移動產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員提供一款帶有高集成度過電壓保護(hù)(OVP)和USB/充
2010-03-10 10:05:49
1175 飛兆半導(dǎo)體推出N溝道MOSFET器件可延長電池壽命
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)因應(yīng)手機(jī)、便攜醫(yī)療設(shè)備和媒體播放器等便攜應(yīng)用設(shè)備的設(shè)計(jì)和元件工
2010-03-20 08:51:55
1377 飛兆半導(dǎo)體TinyLogic 系列擔(dān)當(dāng)節(jié)能新角色
產(chǎn)品特性: 靜態(tài)功耗減少多達(dá)99% 采用超緊湊型6腳MicroPak™封裝 外形尺寸僅為1
2010-03-24 09:52:00
626 飛兆推出緊湊、靈活的背光照明解決方案FAN5341
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)推出緊湊、靈活的背光照明解決方案FAN5341,滿足現(xiàn)今電池供電型
2010-04-02 11:51:40
1259 飛兆推出耗電量為200μA的運(yùn)算放大器FAN4931飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)推出耗電量僅為200μA的FAN4931運(yùn)算放大器,該器件采用小型5腳SC-70封裝,具
2010-04-09 12:04:53
1411 飛兆和英飛凌簽署功率MOSFET兼容協(xié)議
全球領(lǐng)先的高性能功率和移動產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布,兩家公司就采用MLP 3x
2010-04-26 08:50:51
813 超緊湊薄型封裝的MicroFET MOSFET產(chǎn)品系列
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 為滿足便攜產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員不斷尋求效率更高、外形更小更薄的解決方案的
2010-05-11 17:55:27
952 飛兆半導(dǎo)體推出了導(dǎo)通電阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET,這款全新飛兆半導(dǎo)體器件FDMS7650是最大RDS(ON)值為0.99mΩ (VGS = 10 V, ID = 36A)的N溝道器件,它是業(yè)界采用5×6mm POWER56封裝且RDS(ON)
2010-12-29 09:09:39
1887 飛兆UniFET II MOSFET優(yōu)化消費(fèi)產(chǎn)品功率轉(zhuǎn)換器
2011-02-09 10:53:02
1378 Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封裝的高性能MOSFET產(chǎn)品線。該封裝僅占用0.6平方毫米的PCB面積,較同類SOT723封裝器件節(jié)省一半以上的占板空間
2011-05-31 09:31:18
3977 全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 為100V和150V PowerTrench? MOSFET系列器件增添了工業(yè)類型封裝選擇
2011-06-03 09:30:30
904 為了幫助設(shè)計(jì)人員應(yīng)對這些挑戰(zhàn),飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)出FDMS36xxS系列功率級非對稱雙MOSFET模塊.
2011-06-15 09:01:07
2745 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 開發(fā)出PowerTrench? MOSFET器件FDMB2307NZ。該器件具有能夠大幅減小設(shè)計(jì)的外形尺寸,并提供了所需的高效率。
2011-12-14 09:19:40
2842 飛兆半導(dǎo)體公司和英飛凌科技宣布進(jìn)一步擴(kuò)展封裝兼容合作伙伴關(guān)系,擴(kuò)展協(xié)議將包括5x6mm非對稱結(jié)構(gòu)功率級雙MOSFET封裝。
2012-02-09 09:18:22
1087 飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 現(xiàn)為手機(jī)和其它超便攜應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員提供一款P溝道PowerTrench MOSFET器件,滿足其對具有出色散熱性能的小尺寸電池或負(fù)載開關(guān)解決方案的需求。
2012-03-01 09:05:38
813 飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)提供第二代XS? DrMOS系列FDMF6708N,這是經(jīng)全面優(yōu)化的緊湊型集成MOSFET解決方案加驅(qū)動器功率級解決方案
2012-03-21 08:59:52
3222 便攜設(shè)備的設(shè)計(jì)人員面臨著在終端應(yīng)用中節(jié)省空間、提高效率和應(yīng)對散熱問題的挑戰(zhàn)。為了順應(yīng)這一趨勢,飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)了FDZ661PZ和FDZ663P P溝道、1.5V規(guī)格的
2012-05-18 14:20:03
1429 
飛兆半導(dǎo)體已擴(kuò)展和改進(jìn)了其采用Dual Cool封裝的產(chǎn)品組合,這種封裝屬于業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)引腳排列封裝,帶有頂側(cè)冷卻,適用的產(chǎn)品中包括40-100V中壓產(chǎn)品系列。硅技術(shù)的進(jìn)步結(jié)合Dual Cool技術(shù),
2013-01-08 14:04:44
1467 全球領(lǐng)先的高性能功率半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Fairchild (NASDAQ: FCS) 推出了其行業(yè)領(lǐng)先的中壓MOSFET產(chǎn)品,采用了8x8 Dual Cool封裝。這款新型Dual Cool 88
2015-09-01 09:02:50
1989 Vishay推出新系列厚膜電阻---CDMV系列,其在高壓工業(yè)和新能源設(shè)備應(yīng)用中可幫助分壓設(shè)計(jì)節(jié)約寶貴空間,簡化生產(chǎn)設(shè)計(jì),提高設(shè)計(jì)靈活性。
2016-06-14 10:14:19
1030 
轉(zhuǎn)換器中節(jié)省空間和電能。Vishay Siliconix SQJ202EP和SQJ200EP N溝道TrenchFET?器件把高邊和低邊MOSFET組合進(jìn)小尺寸5mm x 6mm PowerPAK? SO-8L雙片不對稱封裝里,低邊MOSFET的最大導(dǎo)通電阻低至3.3mΩ。
2016-07-11 14:33:17
1295 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出通過AEC-Q200認(rèn)證的新系列中壓厚膜片式電阻。Vishay Techno CRMA系列電阻是針對
2018-01-17 11:30:37
9205 您的功耗相關(guān)設(shè)計(jì)可以節(jié)省雙MOSFET的空間,因?yàn)槟?jīng)常成對使用這些功能。飛兆半導(dǎo)體(圖片)的P溝道FDZ2552P和類似的N溝道FDZ2551N MOSFET用于低閾值電池保護(hù)應(yīng)用(V GS
2019-08-12 15:08:40
3625 2.7V 至 38V/500mA 低噪聲降壓-升壓型 充電泵可節(jié)省空間并降低 EMI
2021-03-19 08:17:34
8 LTC2912 - 單電源欠壓和過壓監(jiān)視器提供了精準(zhǔn)和節(jié)省空間的解決方案
2021-03-20 20:47:05
6 DN363 - 用 MOSFET 來替代“或”二極管以減少發(fā)熱和節(jié)省空間
2021-03-21 13:46:51
0 節(jié)省空間,降低EMI
2021-05-20 11:42:15
6 Vishay TrenchFET Gen V MOSFET? 節(jié)省空間型器件所需 PCB 空間比 PowerPAIR 6x5F 封裝減少 63% 有助于減少元器件數(shù)量并簡化設(shè)計(jì) Vishay? 推出
2023-02-04 06:10:04
1602 
隨著新一代5G網(wǎng)絡(luò)、IoT物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)和AI人工智能技術(shù)的迅猛發(fā)展,小型化已成為筆電服務(wù)器、智能穿戴、智能家居等各種電子產(chǎn)品最重要的發(fā)展趨勢之一。中微愛芯可提供采用XSON、QFN、SOT等小封裝的邏輯芯片,可最大程度地減少外部元器件尺寸,節(jié)省PCB的寶貴空間。
2023-05-31 09:34:23
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KUU推出超小型SOT-723封裝MOSFET,特別為空間受限的便攜式應(yīng)用優(yōu)化的新一代MOSFET,這些新低閾值電壓MOSFET采用KUU先進(jìn)的溝槽工藝技術(shù)來取得能夠和SOT-523等大上許多封裝
2023-04-04 16:10:39
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每個FDMS96xx模塊在單一MLP封裝中集成了三個單獨(dú)的分立元件,從而節(jié)省超過50%的電路板空間。傳統(tǒng)的同步降壓轉(zhuǎn)換器則通常包含兩個SO8封裝MOSFET和一個肖特基二極管。
2023-10-18 15:10:37
722 中科微電推出的N溝道MOSFET ZK150G05T,以150V耐壓、51A連續(xù)電流、TO-252-2L薄型封裝為核心標(biāo)簽,精準(zhǔn)匹配3-8kW級中壓場景的功率控制需求,其參數(shù)設(shè)計(jì)與應(yīng)用表現(xiàn),為理解中壓小功率器件的適配性發(fā)展邏輯提供了典型樣本。
2025-11-04 16:27:15
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威兆半導(dǎo)體推出的VS8402ATH是一款面向80V中壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-220AB封裝,憑借超低導(dǎo)通電阻與160A大電流承載能力,適用于中壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源
2025-11-28 12:10:55
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選型手冊:VS1401ATHN溝道增強(qiáng)型功率MOSFET晶體管威兆半導(dǎo)體推出的VS1401ATH是一款面向100V中壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-220AB直插封裝,憑借
2025-11-28 12:14:04
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威兆半導(dǎo)體推出的VS1602GMH是一款面向100V中壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-263封裝,憑借1.9mΩ極致低導(dǎo)通電阻與170A大電流承載能力,適用于中壓大電流DC
2025-12-03 09:23:07
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威兆半導(dǎo)體推出的VS1891GMH是一款面向100V中壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-263封裝,適配中壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理、高功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品
2025-12-09 10:12:07
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威兆半導(dǎo)體推出的VS1602GFH是一款面向100V中壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-220F封裝,適配中壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理、中功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型
2025-12-09 10:29:22
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威兆半導(dǎo)體推出的VS1602GTH是一款面向100V中壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-220AB封裝,適配中壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型
2025-12-09 10:43:32
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威兆半導(dǎo)體推出的VS320N10AU是一款面向100V中壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-247封裝,適配中壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型
2025-12-12 15:26:26
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威兆半導(dǎo)體推出的VSE090N10MS是一款面向100V中壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用PDFN3x3封裝,適配中壓小型電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)型
2025-12-23 11:22:46
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威兆半導(dǎo)體推出的VS6038AD是一款面向60V中壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-252/TO-251封裝,適配中壓中功率電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道
2025-12-23 11:43:46
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威兆半導(dǎo)體推出的VSD090N10MS是一款面向100V中壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-252封裝,適配中壓中功率電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)型
2025-12-25 16:14:53
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威兆半導(dǎo)體推出的VSD011N10MS-G是一款面向100V中壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-252封裝,適配中壓中功率電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道
2025-12-25 16:18:26
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威兆半導(dǎo)體推出的VS5810AS是一款面向58V中壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用SOP8封裝,適配中壓小型電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET
2025-12-25 16:27:25
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威兆半導(dǎo)體推出的VS8068AD是一款面向80V中壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-262封裝,適配中壓中功率電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)型功率
2025-12-26 11:50:13
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威兆半導(dǎo)體推出的VSP004N10MS-G是一款面向100V中壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用PDFN5060X封裝,適配中壓大功率電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件
2025-12-26 11:57:06
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威兆半導(dǎo)體推出的VS6880AT是一款面向68V中壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-220AB封裝,適配中壓大功率電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)型功率
2025-12-26 11:58:42
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威兆半導(dǎo)體推出的VSF013N10MS3-G是一款面向100V中壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-220SF封裝,適配中壓中功率電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N
2025-12-29 09:53:44
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威兆半導(dǎo)體推出的VST018N10MS是一款面向100V中壓大功率場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-220AB封裝,適配中壓大功率電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N
2025-12-29 11:30:14
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威兆半導(dǎo)體推出的VSO013N10MS是一款面向100V中壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用SOP8封裝,適配中壓小型電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)型功率
2025-12-29 11:52:16
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威兆半導(dǎo)體推出的VSI008N10MS是一款面向100V中壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-251封裝,適配中壓中功率電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)型
2025-12-30 10:55:52
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威兆半導(dǎo)體推出的VSP005NE8HS-G是一款面向85V中壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用PDFN5x6封裝,適配中壓大功率電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N
2025-12-30 11:59:27
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威兆半導(dǎo)體推出的VSE011N10MS-G是一款面向100V中壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用PDFN3333封裝,適配中壓小型高功率密度電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型
2025-12-30 14:58:12
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威兆半導(dǎo)體推出的VSP003N10HS-K是一款面向100V中壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用PDFN5060X封裝,適配中壓超大功率電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件
2025-12-30 15:04:38
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威兆半導(dǎo)體推出的VSP007N07MS是一款面向80V中壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用PDFN5x6封裝,適配中壓大功率電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道
2026-01-04 16:26:10
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威兆半導(dǎo)體推出的VS1605ATM是一款面向100V中壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-220AB封裝,適配中壓大功率電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)型
2026-01-04 16:31:56
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