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mosfet

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簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet資訊

上海貝嶺榮獲2025金輯獎(jiǎng)最佳技術(shù)實(shí)踐應(yīng)用獎(jiǎng)

2025年10月30日,由蓋世汽車主辦的第七屆金輯獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)盛典在上海圓滿落幕。上海貝嶺憑借車規(guī)級(jí)特高壓MOSFET BLQ3N100E/BLQ3N120,...

2025-11-07 標(biāo)簽:MOSFET汽車產(chǎn)業(yè)上海貝嶺 783 0

性能飛躍!納芯微新一代CSP MOS NPM12017A守衛(wèi)鋰保安全

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納芯微發(fā)布全新CSP封裝12V共漏極雙N溝道MOSFET——NPM12017A系列,性能顯著提升,阻值降低26%,溫升降30%,耐受能力提升50%,達(dá)國(guó)...

2025-06-27 標(biāo)簽:MOSFET鋰電保護(hù)CSP 783 0

江西薩瑞微電子亮相2024泰國(guó)電子展,圓滿收官,感謝一路同行!

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我們?cè)?024年泰國(guó)國(guó)際電子元器件及生產(chǎn)設(shè)備展會(huì)上,順利地落下了帷幕。這次展會(huì)對(duì)我們來(lái)說(shuō),可以說(shuō)是收獲滿滿,精彩不斷?,F(xiàn)在就讓我們一起回顧一下這段難忘的...

2024-06-30 標(biāo)簽:電子元器件MOSFET電子展 778 0

小米12交卷,Prisemi揭秘高效率MOS的優(yōu)秀表現(xiàn)

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2023-01-06 標(biāo)簽:MOSFET手機(jī)MOS 777 0

汽車芯片短缺的嚴(yán)重風(fēng)險(xiǎn)急劇增加?缺芯危機(jī)卷土重來(lái)?

全球第三大汽車制造商 Stellantis 宣布已與半導(dǎo)體制造商簽訂價(jià)值 100 億歐元(112 億美元)的合同,確保到 2030 年電動(dòng)汽車 (EV)...

2023-07-19 標(biāo)簽:微控制器電動(dòng)汽車MOSFET 772 0

SiC碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新,賦能高效能源未來(lái)

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BASiC Semiconductor(基本半導(dǎo)體)作為領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率器件及驅(qū)動(dòng)解決方案提供商,始終致力于通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新推動(dòng)電力電子系統(tǒng)的高效...

2025-06-19 標(biāo)簽:MOSFET功率器件SiC 769 0

廣和通AI解決方案“智”賦室外機(jī)器人邁向新天地!

大模型趨勢(shì)下,行業(yè)機(jī)器人將具備更完善的交互與自主能力,逐步邁向AI 2.0時(shí)代,成為人工智能技術(shù)全面爆發(fā)的重要基礎(chǔ)。隨著行業(yè)智能化,更多機(jī)器人應(yīng)用將從“...

2024-01-18 標(biāo)簽:MOSFET機(jī)器人AI 767 0

MAX5971A 單端口、40W、IEEE 802.3af/

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MAX5971A為單端口、供電設(shè)備(PSE)電源控制器,設(shè)計(jì)用于IEEE® 802.3af/at兼容PSE。該器件為用電設(shè)備(PD)提供偵測(cè)、分...

2010-07-07 標(biāo)簽:MOSFET 767 0

首批溝槽型MOSFET器件晶圓下線

2023年8月1日,九峰山實(shí)驗(yàn)室6寸碳化硅(SiC)中試線全面通線,首批溝槽型MOSFET器件晶圓下線。實(shí)驗(yàn)室已具備碳化硅外延、工藝流程、測(cè)試等全流程技...

2023-08-11 標(biāo)簽:MOSFET晶圓SiC 766 0

管腳兼容的驅(qū)動(dòng)集成電路在哪里?

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功率半導(dǎo)體IGBT、MOSFET以及SiC、GaN等都離不開(kāi)驅(qū)動(dòng)集成電路,以實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)、保護(hù)和隔離……電力電子技術(shù)在發(fā)展,功率器件對(duì)驅(qū)動(dòng)的要求越來(lái)越高,這...

2024-04-15 標(biāo)簽:集成電路MOSFET驅(qū)動(dòng) 766 0

泰科天潤(rùn)碳化硅器件在不同充換電場(chǎng)景中實(shí)現(xiàn)規(guī)?;瘧?yīng)用

從南國(guó)云南到內(nèi)蒙古礦區(qū),從東海寧波到香港特別行政區(qū),由泰科天潤(rùn)自主研發(fā)的碳化硅功率器件,正在全國(guó)各地充換電設(shè)施中穩(wěn)定運(yùn)行,見(jiàn)證著國(guó)產(chǎn)芯片在技術(shù)上有重大突破。

2025-11-06 標(biāo)簽:MOSFET功率器件碳化硅 763 0

SCT1270、SCT1271高效同步升壓轉(zhuǎn)換器(芯洲)

SCT1270、SCT1271高效同步升壓轉(zhuǎn)換器,完全集成了17mΩ高壓側(cè)MOSFET和14mΩ低壓側(cè)MOSFET,具有2.7V至12V的寬輸入電壓范圍...

2023-05-06 標(biāo)簽:MOSFET升壓轉(zhuǎn)換器 761 0

B3M系列碳化硅MOSFET在高效高防護(hù)戶儲(chǔ)逆變器中的應(yīng)用

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基本半導(dǎo)體B3M系列碳化硅MOSFET在高效高防護(hù)戶儲(chǔ)逆變器中的應(yīng)用與可靠性研究 BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)體一級(jí)代理商傾佳電子(C...

2026-01-24 標(biāo)簽:MOSFET逆變器碳化硅 758 0

揚(yáng)杰科技推出用于PD電源的N100V MOSFET產(chǎn)品

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N100V MOSFET產(chǎn)品采用特殊優(yōu)化的SGT技術(shù),具有較低的導(dǎo)通電阻Rdson和柵極電荷Qg,明顯降低導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗,同時(shí)提升了MOSFET抗雪崩沖擊能力。

2025-09-15 標(biāo)簽:電源MOSFET揚(yáng)杰科技 750 0

固態(tài)變壓器SST即電力電子變壓器(PET)拓?fù)浼軜?gòu)解析與演進(jìn)趨勢(shì)研究報(bào)告

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傳統(tǒng)的電力系統(tǒng)建立在交流電(AC)與低頻變壓器(LFT)的基礎(chǔ)之上,這一架構(gòu)在一個(gè)多世紀(jì)以來(lái)一直是全球能源傳輸?shù)幕?/p>

2026-01-20 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅固態(tài)變壓器 748 0

如何選擇節(jié)能、高效的MOSFET

如何選擇節(jié)能、高效的MOSFET 前不久,能源之星發(fā)布了2.0版外部電源能效規(guī)范。新規(guī)范大幅提高了工作頻率要求,同時(shí)進(jìn)一步降低待機(jī)功耗要求。例

2009-09-03 標(biāo)簽:MOSFET 746 0

傾佳技術(shù)分析報(bào)告:基于碳化硅MOSFET的固態(tài)斷路器——在電力分配中實(shí)現(xiàn)前所未有的壽命、性能與安全

傾佳技術(shù)分析報(bào)告:基于碳化硅MOSFET的固態(tài)斷路器——在電力分配中實(shí)現(xiàn)前所未有的壽命、性能與安全

傾佳電子技術(shù)分析報(bào)告:基于碳化硅MOSFET的固態(tài)斷路器——在電力分配中實(shí)現(xiàn)前所未有的壽命、性能與安全 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于...

2025-10-16 標(biāo)簽:MOSFET斷路器碳化硅 745 0

選擇用于運(yùn)動(dòng)控制的 Mosfet 驅(qū)動(dòng)程序

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工程師通常使用柵極驅(qū)動(dòng)器或“預(yù)驅(qū)動(dòng)器”IC 以及 N 溝道功率 MOSFET 來(lái)提供驅(qū)動(dòng)電機(jī)所需的高電流。重要的是要考慮與選擇驅(qū)動(dòng)器 IC、MOSFET...

2022-08-08 標(biāo)簽:MOSFET運(yùn)動(dòng)控制驅(qū)動(dòng)程序 743 0

派恩杰PCB嵌入式功率模塊的性能優(yōu)勢(shì)

傳統(tǒng)Si基功率模塊大多采用引線鍵合實(shí)現(xiàn)芯片的二維平面封裝,鍵合線連接芯片頂部與陶瓷基板,以實(shí)現(xiàn)芯片頂部電極的互連,該封裝方案以其低成本、工藝成熟等特點(diǎn),...

2025-11-14 標(biāo)簽:pcbMOSFET功率模塊 741 0

GaN FET如何實(shí)現(xiàn)下一代工業(yè)電源的應(yīng)用設(shè)計(jì)

氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體的物理特性與硅器件不相上下。傳統(tǒng)的電源供應(yīng)器金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)只有在犧牲...

2022-08-01 標(biāo)簽:電源MOSFETGaN 736 0

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    IoT是Internet of Things的縮寫(xiě),字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱傳感網(wǎng),簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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    STM32F103C8T6是一款集成電路,芯體尺寸為32位,程序存儲(chǔ)器容量是64KB,需要電壓2V~3.6V,工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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    基站測(cè)試
    +關(guān)注
    802.11ac與11基站測(cè)試(base station tests) 在基站設(shè)備安裝完畢后,對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別,802.11n無(wú)線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng),802.11n怎么安裝。
  • ESP8266
    ESP8266
    +關(guān)注
    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
  • TMS320F28335
    TMS320F28335
    +關(guān)注
    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
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